Tiêu chuẩn quốc gia TCVN 10802:2015 về Nguồn chuẩn - Hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn

• Số hiệu: TCVN10802:2015
• Loại văn bản: Tiêu chuẩn Việt Nam
• Nơi ban hành: ***
• Người ký: ***
• Ngày ban hành: Năm 2015

Năng lượng photon trung bình^axấp xỉ kV	Thời gian bán rã Ngày	Nhân phóng xạ và bộ lọc^b
5,9	1,00 x10^3	^55Fe (không)
16	3,20x10^4	^238Pu với một bộ lọc zirconi 32,5 mg.cm^-^2
32	5,88 x10^9	^129l với một bộ lọc nhôm 81 mg.cm-2
60	1,58 X10^5	^2^4^1A với một bộ lọc thép không gỉ 200 mg.cm^-^2
124	272	^57Co với một bộ lọc thép không gỉ 200 mg.cm^-^2
660	1,10x10^4	^137Cs với một bộ lọc thép không gỉ 800 mg.cm^-^2
1250	1,93 X103	^60Co với một bộ lọc nhôm 81 mg.cm^-^2
CHÚ THÍCH: Đây là các nguồn photon hoặc electron của một dải năng lượng cụ thể và không phải nguồn của nhân phóng xạ cụ thể.
^aNăng lượng photon trung bình xấp xỉ bằng , trong đó ni là số photon phát ra từ nguồn có năng lượng Ei. ^b Đối với tiêu chuẩn này, thép không gỉ có thành phần bao gồm: 72 % Fe, 18 % Cr, 10 % Ni.

5.2  Nguồn chuẩn Nhóm 1

5.2.1  Yêu cầu chung

Để đáp ứng các yêu cầu đã quy định trong tiêu chuẩn này, các nguồn chuẩn Nhóm 1 phải là các nguồn phẳng chứa vật liệu nền dẫn điện với chất phóng xạ phủ phía trên hoặc kết hợp vào trong một bề mặt đề làm giảm thiểu việc tự hấp thụ của nguồn và để duy trì khả năng dẫn điện dọc theo toàn bộ bề mặt hoạt động (xem Chú thích). Diện tích hoạt động phải ít nhất là 10^4 mm^2, kích thước khuyến nghị là 100 mm x 100 mm và 100 mm x 150 mm.

CHÚ THÍCH: Một nguồn chuẩn Nhóm 1 phải có hoạt độ xấp xỉ gần với hoạt độ của một nguồn “mỏng" lý tưởng (xem IEC 60325). Tuy nhiên, với các nguồn phát anpha và beta năng lượng thấp, khả năng tự hấp thụ có thể không đáng kể. Việc duy trì độ dẫn điện là cần thiết cho việc hoạt động chính xác của các bộ đếm tỷ lệ không có cửa sổ.

Độ dày của vật liệu nền phải đủ để giảm thiểu sự đóng góp từ bức xạ tán xạ ngược, cả dạng hạt và photon. Khuyến nghị vật liệu nền là nhôm có độ dày 3 mm (Độ dày này đủ để loại phát xạ hạt từ phía sau của nguồn trừ các nguồn ^106Ru/Rh độ dày cần tới 4,6 mm). Khối lượng trên mỗi đơn vị diện tích của vật liệu nền phải trong khoảng ± 10 % giá trị được đưa ra trong chứng chỉ. Vật liệu nền phải rộng hơn diện tích hoạt động rộng đến mức tác động của tán xạ ngược là đồng nhất trên toàn bộ diện tích hoạt động. Khuyến nghị vật liệu nền nên rộng hơn và diện tích hoạt động của nguồn phải ít nhất là 10 mm.

Các nguồn phát photon phải bao gồm cả bộ lọc như đã quy định trong Bảng 1. Các bộ lọc thường phải là một phần tích hợp với nguồn, không nên loại bỏ các bộ lọc. Diện tích bộ lọc nên rộng hơn diện tích hoạt động của nguồn 10 mm. Khối lượng trên mỗi đơn vị diện tích của bộ lọc phải trong khoảng ± 10 % giá trị được quy định trong Bảng 1.

Các nguồn phải đi kèm với chứng chỉ hiệu chuẩn bao gồm thông tin sau:

a) Nhân phóng xạ và thời gian bán rã1) ;

b) Số nhận dạng nguồn;

...

...

...

d) Hoạt độ, được tính theo ngày dẫn chiếu như phần c) ở trên và độ không đảm bảo;

e) Diện tích hoạt động và kích thước của nguồn và độ không đảm bảo;

f) Độ dày của lớp hoạt động được đo từ mặt trước của lớp hoạt động;

g) Bản chất, độ dày, mật độ và kích thước của chất nền;

h) Bản chất, độ dày, mật độ và kích thước của bộ lọc (nếu có);

i) Tính đồng nhất và bảng suất liều phát xạ bề mặt tương ứng của tất cả các phần riêng lẻ liên quan đến vị trí và suất liều phát xạ;

j) Nhóm nguồn.

Nhà sản xuất có thể quyết định cung cấp thêm thông tin để trợ giúp cho người sử dụng. Các dấu hiệu trên nguồn phải chỉ ra nhân phóng xạ và số nhận dạng nguồn.

5.2.2  Hoạt độ và suất liều phát xạ bề mặt

...

...

...

± 3 % đối với nguồn anpha;

± 3 % đối với nguồn beta với một mức năng lượng điểm cuối lớn hơn 150 kV;

± 5 % đối với nguồn beta với một mức năng lượng điểm cuối nhỏ hơn 150 kV;

±10 % đối với nguồn photon.

Các nguồn chuẩn Nhóm 1 phải được hiệu chuẩn lại với tần suất ít nhất bốn năm một lần.

5.2.3  Tính đồng nhất

Tính đồng nhất của nguồn chuẩn Nhóm 1 được biểu thị trong thuật ngữ bằng độ lệch chuẩn của suất liều phát xạ bề mặt từ mỗi phần riêng lẻ của toàn bộ nguồn phải không lớn hơn 5 %.

Để xác định tính đồng nhất của một nguồn có liên quan đến suất liều phát xạ bề mặt trên một đơn vị diện tích, nguồn phải được xem là bao gồm một số các phần riêng lẻ của diện tích bằng nhau. Diện tích của các phần là 5 cm^2 hoặc nhỏ hơn. Tính đồng nhất được biểu thị bằng độ sai lệch tiêu chuẩn thử nghiệm tương ứng từ suất liều phát xạ bề mặt từ mỗi phần riêng lẻ của toàn bộ nguồn. Các suất liều phát xạ bề mặt riêng lẻ này cần được xác định với một độ không đảm bảo, theo thống kê đếm, không vượt quá ± 1 %.

Tính đồng nhất có thể được đo bằng cách sử dụng kỹ thuật tấm kính tạo ảnh, các hệ đo độ nhạy vị trí hoặc bằng cách đưa vào một tấm chắn giữa nguồn và detector. Tấm chắn phải có một khe hở có kích thước phù hợp và đủ che chắn cho detector để đảm bảo phần đóng góp từ các diện tích bên ngoài khe hở không được vượt quá 5 % đối với kết quả đo từ bất kỳ diện tích riêng lẻ nào. Đối với kỹ thuật tấm chắn, cần phải cẩn trọng để luôn luôn sử dụng cùng một phần của detector để giảm thiểu các ảnh hưởng do độ không đồng nhất có thể có của đáp ứng với bức xạ dọc theo bề mặt detector. Đối với các kỹ thuật khác, nên cẩn trọng để giảm thiểu các tác động do độ không đồng nhất có thể có của hiệu suất liều phát hiện dọc theo toàn bộ detector.

...

...

...

CHÚ THÍCH 2: Do các hiệu ứng biên có thể có và các đóng góp từ các diện tích bên cạnh, tổng suất liều phát xạ từ nguồn không thể được xác định từ tổng suất liều phát xạ từ các diện tích riêng lẻ.

5.2.4  Nhân phóng xạ

Các nguồn chuẩn Nhóm 1 phải được chuẩn bị, nếu có thể, từ một trong những nhân phóng xạ trong Bảng 1, 2 và 3. Các đặc trưng của các nhân phóng xạ này được đưa ra trong các bảng. Xem tài liệu tham khảo[6].

Bảng 1 và 2 có các loại "thích hợp” và loại “thay thế có thể”. Các nhân phóng xạ “thích hợp” được chọn vì sự sẵn có, thời gian bán rã dài và hoạt độ riêng cao. Loại thay thế có thể có một số nhược điểm như cần thay thế thường xuyên do thời gian bán rã tương đối ngắn, do hoạt độ riêng thấp do vậy khó có thể cung cấp đủ hoạt độ trong một lớp hoạt động rất mỏng, do nhân phóng xạ phát thêm bức xạ không mong muốn, do khó khăn trong việc cung cấp nhân phóng xạ đủ độ tinh khiết.

Bảng 2 - Nhân phóng xạ đối với các nguồn phát anpha

Nhân phóng xạ

Thời gian bán rã

Ngày

Năng lượng tối đa

...

...

...

Khuyến nghị

Loại thích hợp

^241Am

1,58 x 10^5

5544

-

^23^8Pu

3,20 x 10^4

5499

...

...

...

Loại thay thế có thể

^230Th

2,75 x10^7

4688

-

Bảng 3 - Nhân phóng xạ đối với các nguồn phát beta

Nhân phóng xạ

Thời gian bán rã

ngày

...

...

...

keV

Khuyến nghị

Loại thích hợp

^3H

4,50 x 10^3

19

Phụ thuộc vào bản chất của quá trình sản xuất, có thể cần phải hiệu chuẩn lại thường xuyên hơn vì có thể có trao đổi đồng vị với H trong không khí

^63Ni

3,61 x10^4

...

...

...

^14C

2,08x10^6

156

Phụ thuộc vào bản chất của quá trình sản xuất, có thể cần phải hiệu chuẩn lại thường xuyên hơn vì có thể có trao đổi đồng vị với C trong không khí

^99Tc

7,82 x 10^7

292

...

...

...

1,10 x 10^8

709

^90Sr/Y

1,05 x 10^4 (^90Sr)

2,67 (^90Y)

546 (^90Sr)

2280 (^90Y)

Nếu chỉ cần tia beta năng lượng cao hơn từ ^90Y, thì cần một bộ lọc 130mg.cm^-^2 nhưng điều này sẽ làm giảm đáng kể phổ phát xạ ^90Y

...

...

...

373 (^10^6Ru)

0,00035 (^10^6Rh)

40 (^10^6Ru)

3541 (^10^6Rh)

Thời gian bán rã tương đối ngắn

Loại thay thế có thể

^147Pm

958

225

...

...

...

^204TI

1,38 x 10^3

764

Xấp xỉ 3 % các phân rã là do bẫy electron và phát ra tia X khoảng từ 70 kV tới 80 kV

^60Co

1,925 x 10^3

317

Không phải là một nguồn phát beta sạch

Phát photon ở 1,173 MeV và 1,332 MeV

...

...

...

5.3.1  Yêu cầu chung

Các nguồn chuẩn Nhóm 2 phải đáp ứng các yêu cầu giống như đối với nguồn chuẩn Nhóm 1. Nguồn phải được đánh dấu với những thông tin giống như thông tin của nguồn chuẩn Nhóm 1 và phải được đi kèm với một chứng chỉ hiệu chuẩn như trong 5.2.1

5.3.2  Hoạt độ và suất liều phát xạ bề mặt

Suất liều phát xạ của một nguồn chuẩn Nhóm 2 với kích thước thích hợp phải được yêu cầu bởi người sử dụng và sẽ phụ thuộc vào loại thiết bị được hiệu chuẩn và loại thử nghiệm được thực hiện. Hoạt độ phải được xác định theo liên kết chuẩn đến Hệ đơn vị quốc tế (SI) và được đưa ra với độ không đảm bảo đo không vượt quá ± 10 % (k = 1). Suất liều phát xạ bề mặt phải được xác định bằng thiết bị truyền chuẩn (xem Điều 6) với độ không đảm bảo đo không vượt quá:

± 5 % đối với nguồn anpha;

± 5 % đối với nguồn beta có mức năng lượng cuối lớn hơn 150 kV;

± 10 % đối với nguồn beta có mức năng lượng cuối nhỏ hơn 150 kV;

± 15 % đối với nguồn photon.

Các nguồn chuẩn Nhóm 2 phải được hiệu chuẩn lại ở tần suất ít nhất 4 năm một lần.

...

...

...

Tính đồng nhất (như định nghĩa trong 5.2.3) của một nguồn chuẩn Nhóm 2 được biểu thị bằng độ sai lệch chuẩn của suất liều phát xạ bề mặt của nguồn từ mỗi phần riêng lẻ trong toàn bộ nguồn không được lớn hơn 10 %.

5.3.4  Nhân phóng xạ

Các nguồn chuẩn Nhóm 2 phải được chuẩn bị từ nhân phóng xạ giống như đối với các nguồn chuẩn Nhóm 1 trong 5.2.4.

5.4  Nguồn làm việc

5.4.1  Yêu cầu chung

Các yêu cầu cụ thể quy định đối với các nguồn làm việc thuộc trách nhiệm của người sử dụng. Các nguồn này có thể thường được sản xuất tại chỗ và cần tuân thủ theo mọi quy định của quốc gia. Khi quy định các nguồn làm việc, các điểm sau cần được xem xét:

a) Các nguồn làm việc phải được có số lượng và đa dạng về kích thước để đáp ứng nhu cầu của tổ chức liên quan đến hiệu chuẩn thông lệ các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ bề mặt.

b) Các nguồn làm việc phải được đánh dấu và suất liều phát xạ bề mặt tại ngày chuẩn, nhân phóng xạ và số sêri, và phải đi kèm một chú thích chi tiết về cấu hình hình học mà các nguồn được hiệu chuẩn và do đó nên được sử dụng. Trong trường hợp kích thước của nguồn quá nhỏ không thể đánh dấu, nguồn phải mang một ký hiệu nhận dạng duy nhất và phải được đi kèm với một chứng chỉ hiệu chuẩn cũng bao gồm ký hiệu nhận dạng duy nhất đó cùng với các thông tin chi tiết về nhân phóng xạ, suất liều phát xạ bề mặt và ngày chuẩn.

c) Các nguồn làm việc phải đảm bảo đủ chắc chắn để chịu được việc thao tác hàng ngày.

...

...

...

5.4.2  Hoạt độ và suất liều phát xạ bề mặt

Suất liều phát xạ bề mặt của một nguồn làm việc nên được thống nhất giữa người sử dụng và nhà sản xuất. Hoạt độ của một nguồn làm việc phải được đưa ra bởi nhà sản xuất và phải được liên kết chuẩn tới SI, suất liều phát xạ bề mặt phải được đo trên một thiết bị truyền chuẩn đã được hiệu chuẩn bằng cách sử dụng một nguồn chuẩn Nhóm 1 hoặc Nhóm 2 có cùng cấu trúc. Suất liều phát xạ bề mặt của các nguồn làm việc sẽ cần biết về độ không đảm bảo theo các quy định về hiệu chuẩn thiết bị thích hợp.

Các nguồn làm việc phải được hiệu chuẩn ít nhất 2 năm một lần.

5.4.3  Tính đồng nhất

Tính đồng nhất của một nguồn làm việc nên giống với quy định đối với nguồn chuẩn Nhóm 2. (Ví dụ về tính không đồng nhất của nguồn ảnh hưởng đến việc hiệu chuẩn các thiết bị đo được đưa ra trong Tài liệu tham khảo [5]).

5.4.4  Nhân phóng xạ

Các nguồn làm việc phải được chuẩn bị từ các nhân phóng xạ phát anpha, beta, photon theo yêu cầu của người sử dụng.

6  Thiết bị truyền chuẩn

6.1  Thiết bị truyền chuẩn đối với nguồn anpha và beta

...

...

...

Ngưỡng để đếm beta phải được thiết lập để tương ứng với năng lượng photon 590 V (0,1 lần năng lượng bức xạ -X_K của ^54Mn tiếp theo phân rã của ^55Fe). Để đếm anpha, ngưỡng nên được thiết lập chỉ nằm trên nhiễu điện trở của hệ thiết bị. Cần phải hiệu chỉnh đối với thời gian chết điện tử và tỷ lệ đếm phông nền.

6.2  Thiết bị truyền chuẩn đối với các nguồn photon

Thiết bị truyền chuẩn đơn sẽ không thể dùng cho toàn bộ dải năng lượng photon được quy định trong tiêu chuẩn này. Thiết bị được sử dụng cho năng lượng cụ thể có các đặc trưng sau:

a) Hiệu suất phát hiện cao;

b) Tính đồng nhất của độ đáp ứng trên bề mặt thiết bị;

c) Độ ổn định;

d) Độ nhiễu phông nền thấp.

Các ống đếm tỷ lệ diện tích rộng có bộ cấp khi thích hợp là phù hợp để đo các nguồn phát photon năng lượng thấp. Detector nhấp nháy như Nal (TI) phù hợp đối với các nguồn phát photon năng lượng cao.

6.3  Hiệu chuẩn

...

...

...

Hiệu chuẩn một thiết bị truyền chuẩn thuộc trách nhiệm của đơn vị. Trong trường hợp nhân phóng xạ phát beta không có sẵn vì nguồn chuẩn Nhóm 2 là nguồn làm việc, liên kết chuẩn có thể được giữ bởi phép nội suy hiệu suất của thiết bị truyền chuẩn. Tuy nhiên, đối với các nguồn phát beta năng lượng cực đại nhỏ hơn 0,5 MeV khi đó hiệu suất của detector tỷ lệ lưu khi thay đổi nhanh theo hàm của năng lượng, thì phép nội suy có thể dẫn đến các sai số lớn và cần có nguồn chuẩn Nhóm 1 hoặc Nhóm 2 phù hợp.

Phụ lục A

(Quy định)

Các xem xét cụ thể đối với các nguồn chuẩn phát electron năng lượng nhỏ hơn 0,15 MeV và phát photon năng lượng nhỏ hơn 1,5 MeV

Các nhân phóng xạ phân rã bằng cách bắt electron và bằng dịch chuyển đồng phân có thể phát ra một dải rộng các loại bức xạ khác nhau kể cả các electron chuyển đổi trong và các electron Auger cũng như bức xạ tia X đặc trưng vành K, L, M và bức xạ gamma. Đối với những loại bức xạ này chủ yếu là năng lượng thấp và do đó khả năng đâm xuyên thấp hơn, tương quan giữa suất liều phát xạ và hoạt độ số phụ thuộc lớn vào cấu trúc nguồn (hoặc bản chất của bề mặt nhiễm bẩn phóng xạ). Như vậy, có thể giảm đáng kể năng lượng của phổ electron phát ra và do đó biến dạng. Điều này sẽ gây ra trở ngại khi các nguồn đó được sử dụng để truyền chuẩn từ detector này sang detector khác khi 2 detector có cửa sổ khác nhau. Các ảnh hưởng này không được bỏ qua.

Việc sử dụng bộ lọc trên các nguồn phát photon sẽ dẫn đến độ chuẩn trực góc qua đó số photon được phát ra thông thường tới bề mặt sẽ lớn hơn số photon được phát ra tại các góc xiên. Vì vậy, phân bố phát xạ cực từ nguồn chuẩn có thể khác so với phát xạ từ bề mặt nhiễm bẩn phóng xạ. Cùng lý do đó, các phát xạ từ một bề mặt nhiễm bản phóng xạ có thể không đồng hướng.

Việc sử dụng các bộ lọc được thiết kế một phần là để loại bỏ các phát xạ không mong muốn như bức xạ beta hoặc bức xạ electron. Cần lưu ý rằng bộ lọc, cũng sẽ làm suy giảm các phát xạ photon, sẽ tạo ra phát xạ electron thứ cấp từ quá trình suy giảm. Bức xạ như vậy thường sẽ có năng lượng thấp và xác suất thấp. Tuy nhiên, sự có mặt có thể có của bức xạ này cần được xem xét.

Các nguồn chuẩn phát số electron cũng như photon với số lượng đáng kể có các nhược điểm sau:

...

...

...

b) Suất liều phát xạ và phân bố năng lượng của bức xạ electron năng lượng thấp rất phụ thuộc vào loại cấu trúc nguồn;

c) Nếu nguồn phát cả hai loại bức xạ, nhưng chỉ xác định phát xạ photon, thì đối với một nhân phóng xạ đã cho, hệ số hiệu chuẩn được cho đối với một thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ đáp ứng với cả hai loại bức xạ cần kiến thức về độ đáp ứng của thiết bị đo nhiễm bẩn bề mặt đối với cả hai bức xạ photon và electron;

d) Nếu nguồn như trong điểm c) được sử dụng để hiệu chuẩn các thiết bị đo nhiễm bẩn phóng xạ có cửa sổ mỏng phát hiện electron năng lượng thấp, hệ số hiệu chuẩn dẫn suất có thể phụ thuộc nhiều vào phân bố năng lượng do cấu trúc nguồn cụ thể và vào khoảng cách giữa bề mặt nhiễm bẩn phóng xạ và cửa sổ của thiết bị.

Để đảm bảo tính nhất quán lớn giữa các hiệu chuẩn quan trọng đối với phát xạ photon, cần một loạt các nguồn chuẩn phát bức xạ photon trên các dải năng lượng hạn chế.

Mặc dù có nhiều nhân được sử dụng hàng ngày tại nơi làm việc, số nguồn phù hợp là nguồn chuẩn lại rất ít do cần xem xét sao cho thời gian bán rã đủ dài, cân nhắc về chi phí, sự sẵn có và khả năng cung cấp hiệu chuẩn chỉ có một nhánh beta đơn hoặc một photon đơn. Các nhân phóng xạ phát photon được khuyến nghị đã được chọn đề làm nguồn tạo ra một dải năng lượng photon phù hợp để hiệu chuẩn các loại thiết bị thường được sử dụng nhất để đo các nhân phân rã bằng các quy trình bắt electron và chuyển đồng phân. (Nếu có yêu cầu xác định một độ đáp ứng chi tiết hơn của một thiết bị đối với các năng lượng khác với năng lượng được cung cấp bởi các nguồn này, bức xạ tia X huỳnh quang chuẩn từ TCVN 7942 (ISO 4037) có thể được sử dụng). Cần lưu ý rằng, ngoại trừ ^55Fe, tất cả các nguồn chuẩn phát photon đều có bộ lọc trên bề mặt của vật liệu hoạt động của nguồn. Đối với ^55Fe, nên lưu ý là nguồn này phát electron Auger năng lượng thấp. Các bức xạ này thường sẽ bị hấp thụ hoàn toàn trong cửa sổ detector nhưng, nếu sử dụng các ống đếm không có cửa sổ, cần tính đến bức xạ hạt này và tác động có thể có khi che chắn phép đo truyền.

Mục đích của bộ lọc là loại bỏ bức xạ không mong muốn từ các nhân phóng xạ và do đó cung cấp nguồn phát photon trong các dải giới hạn. Bức xạ bị loại bỏ bao gồm cả:

^129l

Bức xạ beta và bức xạ năng lượng thấp khác

^24^1Am

...

...

...

^57Co

Bức xạ tia X đặc trưng vành K, electron và các photon năng lượng thấp hơn

^238Pu

Giảm cường độ tương đối của bức xạ tia X đặc trưng vành L trên biên hấp thụ vành K của zirconi

^137Cs

Bức xạ beta, electron và bức xạ tia X đặc trưng vành K

^60Co

Bức xạ beta

Nếu các nguồn chuẩn quy định trong tiêu chuẩn này được dẫn chiếu trong các văn bản khác nhưng được sử dụng mà không có bộ lọc theo quy định để xác định độ đáp ứng của một thiết bị với một nhân phóng xạ cụ thể, thì các văn bản đó cần nêu rõ tác động này và phải bao gồm các chi tiết của bộ lọc thực tế (nếu có) sử dụng.

...

...

...

Thư mục tài liệu tham khảo

[1]  IAEA, Monitoring of Radioactive Contamination on Surfaces, Technical Report Series No. 120, Vienna, 1970.

[2]  IAEA, Safe handling of Radionuclides, Safety Series No. 1, Vienna, 1973.

[3]  ICRP Publication 60, Recommendations of the International Commission on Radiological Protection, Ann. ICRP, 21, Nos 1-3, Elsevier, Amsterdam, 1990.

[4]  ICRP Publication 60, Recommendations of the International Commission on Radiological Protection - Users' Edition, 60, Elsevier, Amsterdam, 1990.

[5]  BURGESS, P.H. and ILES, W.J., Radiation Protection Dosimetry, 5, No. 2, pp. 125-130,1983.

[6]  DDEP, Decay Data Evaluation Project, http://www.nucleide.org/DDEP_WG/DDEPdata.htm.

[7]  IEC 60050-393, International Electrotechnical Vocabulary - Part 393: Nuclear instrumentation - Physical phenomena and basic concepts.

[8]  ISO 4037 (all parts), X and gamma reference radiation for calibrating dosemeters and doserate meters and for determining their response as a function of photon energy.

...

...

...