Kiểu
PC
|
Tần
số sóng mang
GHz
|
Trường
E
V/m
|
Điều
biến
|
Ảnh
hưởng quan sát được
|
Pentium 133 MHz
|
2,731
2,770
1,133
2,675
2,887
|
30
50
50
50,75
75
|
CW
AM
AM, Xung
AM, Xung
AM
|
Mất dữ liệu
Mất dữ liệu
Khởi động lại
Không truy cập được
Không truy cập được
|
Pentium II
233 MHz
|
1,070
1,460
1,480
|
100
100
100
|
Xung
CW, AM, Xung
CW
|
Lỗi ghi đĩa
Tắt nguồn
Tắt nguồn
|
Pentium II
300 MHz
|
1,040
1,400
|
45
100
100
100
75
75
50
85
|
Xung
CW
AM
AM
Xung
Xung
Xung
Xung
|
Tắt nguồn
Tắt nguồn
Tắt nguồn
Khởi động lại
Tắt nguồn
Tắt nguồn
Tắt nguồn
Tắt nguồn
|
AM: điều biên.
|
Trong các phép đo ở
Bảng 1, nhận thấy rằng loại điều biến (CW, AM 80 % 1 kHz, xung có tần số lặp 217
Hz và 50 % chu kỳ làm việc) cũng là tham số quyết định trong các hạng mục quan sát
được. Cả ba điều biến đều tạo ra các ảnh hưởng bất lợi lên PC. Các ảnh hưởng quan
sát được bao gồm từ mất dữ liệu, khởi động lại (trong trường hợp PC tự khởi
động lại) và lỗi ghi đĩa (thông báo từ hệ thống vận hành đĩa, trong trường hợp
phải tắt nguồn bằng tay để phục hồi lại hệ thống) đến tắt nguồn, đòi hỏi phải
rút và cắm lại phích cắm của dây nguồn. Trường điện nhỏ nhất gây ra ảnh hưởng bất
lợi là 30 V/m. Dữ liệu về các ảnh hưởng này rất hữu ích để hiểu về hiện tượng
ghép nối EM trong hệ thống điện tử.
Càng về sau các thiết
bị càng được thiết kế tốt hơn, và do đó các mức xáo trộn điển hình đối với môi
trường HPEM thường vào cỡ từ hàng chục đến hàng trăm V/m. Điều này có thể là do
tốc độ xử lý cao hơn trong các thiết bị mới hơn và do các thiết bị này cần gắn
với các yêu cầu EMC khác nhau đối với phát bức xạ khiến cho màn chắn thiết bị
phải tốt hơn.
Một ví dụ thứ hai
liên quan đến thử nghiệm tính nhạy HPEM của các PC trên ô tô và các thiết bị
quân sự không có màn chắn bằng cách sử dụng các xung rađa (điển hình là xung có
độ rộng một hoặc một vài giây và tần số lặp xung khoảng 1 kHz) tại 1 GHz đến 3
GHz, Backstrom [30] đã ghi lại xáo trộn (đòi hỏi phải cài đặt lại hoặc khởi
động lại các thiết bị trên ô tô) xuất hiện tại các cường độ trường cỡ vài trăm
V/m (giá trị đỉnh hiệu dụng của cường độ trường), trong khi hỏng hóc vĩnh viễn
yêu cầu mức cao hơn 20 dB đến 30 dB.
Từ các kết quả này,
có thể kết luận rằng xáo trộn có thể xuất hiện trong các hệ thống điện tử không
được bảo vệ ở khoảng cách lớn nhất khoảng 500 m đối với nguồn HPM có thể được
đặt trong xe tải. Đối với các nguồn có kích cỡ nhỏ hơn, ví dụ các nguồn có thể
đặt trong xe thùng chuyên dụng, thì khoảng cách ước tính giảm xuống còn 50 m.
Khoảng cách lớn nhất gây ra hỏng vật lý vĩnh viễn được ước tính khoảng 15 m đối
với HPM có thể đặt trong xe tải, trong khi nguồn có thể đặt trong xe thùng chuyên
dụng thì phải đặt rất gần, hoặc tiếp xúc trực tiếp với hệ thống. Bảng 2 tóm tắt
các kết quả từ các thử nghiệm này.
Bảng
2 - ảnh hưởng HPEM lên ô tô là hàm của khoảng cách và công suất nguồn
(Dựa vào dữ liệu đo được từ Backstrom [30])
Nguồn
Khoảng
cách m
15
50
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
HPM do xe tải chở
P = 10 MW
Hỏng
vĩnh viễn
Xáo
trộn b
Xáo
trộn **)
HPM do xe thùng
chuyên dụng chở a
P = 100 kW
Xáo
trộn**)
Xáo
trộn b
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
HPM do xe tải chở
SE = 30 dB
Xáo
trộn**)
Không
ảnh hưởng
Không
ảnh hưởng
HPM do xe thùng
chuyên dụng chở
SE = 30 dB
Không
ảnh hưởng
Không
ảnh hưởng
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
a Có thể gây ra hỏng
vĩnh viễn khi đặt rất gần với vật bị ảnh hưởng (ví dụ ở khoảng cách vài mét)
b Xáo trộn nhìn
chung thường là mất chức năng tạm thời, tuy nhiên, trong một số trường hợp có
thể sẽ có hỏng hóc vĩnh viễn.
Ví dụ thứ ba về ghép
nối HPEM là việc chiếu xạ CW của nhiều thiết bị điện tử, ở tần số của lò vi
sóng 2,4 GHz, được Giri và Kaelin ghi lại [8]. Trong thử nghiệm này, anten hình
loa tiêu chuẩn được sử dụng để bức xạ ra năng lượng tạo ra từ lò vi sóng thương
mại và chiếu đến một số vật thử nghiệm. Các vật thử nghiệm này được đặt cách
nguồn khoảng 6 m và trường điện chiếu vào cỡ 350 V/m. Thử nghiệm này chứng tỏ
những gì có thể làm được khi sử dụng các thiết bị bán sẵn.
Đối tượng bị phơi
nhiễm trong các trường này gồm:
- máy thu thanh AM,
FM;
- đồng hồ đeo tay vỏ
nhựa;
- thiết bị kích nổ
bằng điện (EED) cỡ nhỏ;
- máy tính tay;
- vật liệu hấp thụ;
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Các ảnh hưởng quan sát
được gồm:
a) máy thu thanh bị
hỏng do nhiệt;
b) đồng hồ vỏ nhựa bị
hỏng hoàn toàn;
c) EED bị nổ khi dây
dẫn tạo thành một lưỡng cực nửa sóng;
d) máy tính bị hỏng,
màn hình LCD bị cháy;
e) gây tăng nhiệt độ
ở vật liệu hấp thụ;
f) làm sáng bóng đèn
huỳnh quang.
Những ví dụ trên đây
cho thấy rằng việc ghép năng lượng EM vào hệ thống điện tử là hàm số của một số
tham số của môi trường tới cũng như của các đặc trưng riêng của bản thân hệ
thống điện tử.
6.3 Linh kiện/hệ
thống con bị cháy và hỏng vĩnh viễn
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Từ năm 1970, đã có
những nỗ lực đáng kể để hiểu và định lượng mức hỏng hóc và xáo trộn của các
linh kiện do kích thích HPEM. Đã có lượng lớn các dữ liệu liên quan đến hỏng linh
kiện do HPEM [1], và cũng có sẵn các kết quả của thử nghiệm mở rộng trên các hệ
thống truyền thông, hệ thống và linh kiện điện [31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38,
39, 40, 41 và 42].
Gần đây, một số thử
nghiệm đã được thực hiện để đánh giá xáo trộn và hỏng hóc linh kiện, hệ thống
con riêng rẽ (ví dụ PC nối với đường điện hoặc đường dây viễn thông), và để
kiểm tra khả năng lan truyền của các quá độ hỏng tiềm ẩn trên cáp điện từ bên
ngoài vào bên trong của tòa nhà. Kết quả này được thảo luận trong các điều nhỏ dưới
đây.
6.3.1 Hỏng linh kiện
Như đã lưu ý trước
đây, môi trường HPEM bức xạ khác với trường HEMP bức xạ, và do đó, không phải
tất cả các dữ liệu hỏng hóc linh kiện HEMP đều có thể áp dụng trực tiếp cho các
nghiên cứu HPEM. Nghiên cứu gần đây của Goransson [43] về độ nhạy của HPEM lên
các linh kiện đã kết luận rằng, liên quan đến độ nhạy HPM trên các mạch số, có thể
có những khác biệt lớn về độ nhạy giữa các công nghệ mạch số khác nhau.
Goransson cũng quan sát thấy những khác biệt nhỏ giữa những mẫu khác nhau của cùng
một loại và cùng một nhà chế tạo; tuy nhiên cũng ghi lại được những khác biệt
lên đến 16 dB trong mức nhạy của linh kiện đối với các nhà chế tạo khác nhau.
Goransson cũng ghi nhận được sự phụ thuộc rất mạnh của tần số vào độ nhạy của linh
kiện, với mức ngưỡng nhạy tăng nhanh khi tần số tăng. ảnh hưởng này trong linh
kiện của mạch TTL được minh họa trên Hình 8.
Hình
8 – Ví dụ về ngưỡng nhạy đo được trong vi mạch DM74LS00N [TTL] 4 cổng NAND 2
đầu vào là hàm của tần số, thể hiện ngưỡng nhạy tăng tại các tần số cao hơn
[43]
Lưu ý rằng độ nhạy hệ
thống có thể khác với độ nhạy của từng linh kiện riêng rẽ. Đối với hệ thống
analog, mức nhạy HPM được Goransson nhận thấy là phụ thuộc vào ứng dụng. Tuy
nhiên, thường có thể đạt được biện pháp độc lập với ứng dụng của ảnh hưởng HPM.
Do đó có thể tính được mức nhạy đối với các ứng dụng khác nhau.
6.3.2 Ảnh hưởng quá
độ dẫn lên PC
Đối với nghiên cứu này,
Radasky và những người khác [44] quyết định sử dụng máy phát thử nghiệm quá độ
lặp lại được và được hiệu chỉnh tốt. Vì lý do này, máy phát thử nghiệm được sử
dụng là loại được IEC xác định để thử nghiệm thiết bị với quá độ sinh ra do sét
hoặc quá độ điện nhanh. Trong khi các quá độ này thường bắt đầu trên các đường
dây điện bên ngoài tòa nhà, thì lại có những ghép nối chéo đến các đường dây
viễn thông cả bên ngoài và bên trong tòa nhà.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
6.3.2.1 Thiết bị cần
thử nghiệm
Để thực hiện các thử
nghiệm, sử dụng bốn máy tính cá nhân. Một là máy tính Macintosh SE và ba máy
tính khác là loại PC (1 – Pentium 66 MHz, 2 – 486, 3 – Pentium 120 MHz). Cả bốn
máy tính, dây nguồn được thử nghiệm cho dạng sóng EFT trong khi hai trong số
bốn PC được thử nghiệm cho dạng viễn thông. Ngoài ra, các dạng sóng EFT được
đặt lên dây chuột, dây bàn phím và dây điện nối vào modem.
Trong bộ thử nghiệm
thứ hai, các cổng mạng được thử nghiệm với các dạng sóng EFT, CWG và viễn
thông. Hai loại cổng ethernet được kiểm tra trên PC: 10base2 (cáp đồng trục RG
58) và 10baseT (cáp đôi xoắn cấp 5). Cổng Appletalk trên Macintosh cũng được
thử nghiệm với EFT.
6.3.2.2 Kết quả thử
nghiệm – các xung CWG và xung viễn thông
Bộ kết quả thử nghiệm
đầu tiên cần mô tả đã bao gồm việc sử dụng xung viễn thông và xung sét CWG
mạnh. Dạng sóng quá độ với xung có độ rộng lớn hơn 200 ms được đưa vào dây nguồn của máy tính
và dây mạng Ethernet nối đến các máy tính thông qua card Ethernet bên trong.
Bảng 3 tóm tắt các kết quả của thử nghiệm.
Trong trường hợp các
dây nguồn, không có các ảnh hưởng phát sinh đến giá trị điện áp mạch hở lớn
nhất đầu ra của máy phát là 4,5 kV. Lưu ý là điện áp được phân phối đến đối tượng
thử nghiệm chỉ là 1,2 kV trong 4 ms
sau đó là khoảng 300 V trong 300 ms.
Trong khi âm thanh do phóng hồ quang là rõ ràng trong quá trình thử nghiệm nhưng
máy tính không có ảnh hưởng gì sau khi thực hiện các thử nghiệm.
Bảng
3 – Tóm tắt các kết quả thử nghiệm cổng nguồn và cổng dữ liệu với máy phát xung
viễn thông và xung CWG
Tóm
tắt thử nghiệm xung viễn thông/CWG
· Dây nguồn (chỉ thử nghiệm xung viễn
thông):
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
o Hồ quang nghe được từ khu vực nguồn
cung cấp.
o ứng suất lớn nhất điển hình tại tải
(điện áp mạch hở của máy phát 4,5 kV)
▪ xung điện áp đỉnh
1,2 kV (rộng 4 ms) tiếp sau là suy
giảm chậm 200 V đến 300 V (rộng 300 ms)
▪ dòng điện đỉnh
300 A (giới hạn bởi máy phát).
· Cổng Ethernet 10base2 (đồng trục)
o Cổng bị hỏng bởi cả xung CWG và
xung viễn thông.
▪ xung 500 V (điện
áp nhỏ nhất của máy phát)
▪ xung 50 V một
chiều (độ dốc 100 V/s đến 200 V/s).
o Không hỏng máy tính ngoại trừ card
Ethernet
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
o Hỏng hóc xảy ra ở xung viễn thông 4
kV.
▪ đòi hỏi khoảng 4
J để gây hỏng.
▪ hồ quang bắt đầu
tại 3 kV đối với cả xung CWG và xung viễn thông.
o Không hỏng máy tính ngoại trừ card
Ethernet
Đối với cáp Ethernet,
các kết quả đáng chú ý hơn. Trong trường hợp cáp đồng trục 10base2, card mạng Ethernet
bị hỏng ở mức thử nghiệm nhỏ nhất 500 V đối với cả xung CWG và xung viễn thông.
Lưu ý rằng mức thử nghiệm 50 V một chiều cũng làm hỏng card mạng Ethernet. Qua xem
xét nhận thấy rằng cáp R-58 được nối đất để không phải nối đất tại card bằng thiết
kế, do đó điện áp phương thức chung được chuyển đổi thành tín hiệu vi sai. Cần
nhấn mạnh rằng trong khi bị mất khả năng của card Ethernet và khả năng truyền thông
sau thử nghiệm này nhưng máy tính có chứa card Ethernet thì lại không bị hỏng.
Trong trường hợp cáp
đôi xoắn 10baseT, kết quả cũng tương tự mặc dù hỏng hóc xảy ra ở mức cao hơn
nhiều do quá trình thử nghiệm ở mức 4 kV (phương thức vi sai) đối với xung viễn
thông. Trong các thử nghiệm, có thể nghe được việc phóng hồ quang ở 3 kV đối
với cả xung CWG và xung viễn thông nhưng hỏng hóc chỉ xảy ra đối với xung viễn
thông. Hình 9 minh họa một trường hợp khi phích cắm RJ-45 bị hỏng do việc phóng
hồ quang đáng kể ở bộ nối trong quá trình thử nghiệm xung viễn thông. Năng lượng
dẫn đến hỏng hóc vào khoảng 4 J, và như trong trường hợp 10base2 cũng không phát
hiện hỏng máy tính. Rõ ràng là 10baseT ít bị ảnh hưởng do hỏng hóc cho trước mà
có các mức hỏng hóc lớn hơn nhiều và thử nghiệm được thực hiện theo phương thức
vi sai.
Hình
9 – Ví dụ về hỏng hóc gây ra bởi máy phát xung viễn thông do một xung đơn 4,5
kV
6.3.2.3 Kết quả thử
nghiệm – EFT
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Để thử nghiệm các đường
dây dữ liệu, máy phát EFT được nối trực tiếp đến các máy tính (điện áp phân
phối đến đối tượng thử nghiệm bằng điện áp đầu ra máy phát); nhận thấy là các
xáo trộn máy tính bị lặp lại cao đối với các máy tính và loại cáp giao diện
khác nhau. Trong Bảng 4, đối với cáp AppleTalk được nối với máy tính Mac SE, xuất
hiện một xu hướng giữa mức điện áp và số lượng xung đặt vào. Nếu xét hàng cuối cùng
của bảng đối với xung đơn, chỉ ghi được ảnh hưởng ở 4,5 kV, và chỉ xuất hiện 1
lần trong 10 thử nghiệm. Vì các xung thử nghiệm được lặp lại, ví dụ 20 xung ở 1
kHz nên các ảnh hưởng bắt đầu tại 2 kV và xuất hiện trong mỗi thử nghiệm ở 4
kV. Xu hướng này tiếp tục khi các xáo trộn được phát hiện ở 1,5 kV đối với tất
cả các tốc độ lặp lớn hơn hoặc bằng 10 kHz.
Bảng
4 – Kết quả do các xung EFT đưa vào cáp AppleTalk có chỉ ra số lượng xáo
trộn/số lượng chuỗi thử nghiệm (x để chỉ những trường hợp không thử nghiệm được)
Mức
điện áp
1
000 V
1
500 V
2
000 V
3
000 V
4
000 V
4
500 V
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
1 000 kHz (20 000)
0/3
4/4
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
3/3
3/3
2/2
100 kHz (2 000)
0/5
4/4
3/3
3/3
x
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
10 kHz (200)
0/4
4/4
3/3
3/3
x
3/3
1 kHz (20)
0/6
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
3/5
4/6
4/4
3/3
Xung đơn
0/2
x
0/2
0/2
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
1/10
Không hỏng
Một số hỏng
Tất cả hỏng
Trong Bảng 5 thể hiện
xu hướng chung mặc dù một số xáo trộn được tìm thấy chỉ ở mức 1 kV và có biểu
hiện sự phụ thuộc của tần số lặp bổ sung. Lưu ý là ở 2 000 V và thấp hơn, xác
suất xáo trộn ở 1 MHz thấp hơn ở 100 kHz. Cũng có xác suất ảnh hưởng thấp hơn ở
1 kHz so với ở 10 kHz hoặc 100 kHz.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Mức
điện áp
1
000 V
1
500 V
2
000 V
3
000 V
4
000 V
4
500 V
Tần số xung (số lượng
xung)
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
1 000 kHz (20 000)
0/7
2/5
1/5
3/3
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
x
100 kHz (2 000)
7/9
3/3
3/3
3/3
2/2
x
10 kHz (200)
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
1/3
3/3
3/3
2/2
x
1 kHz (20)
0/6
2/5
3/5
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
3/3
x
Xung đơn
0/2
x
0/3
1/3
0/3
4/4
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Không hỏng
Một số hỏng
Tất cả hỏng
Trong Bảng 6a các xáo
trộn đối với xung đơn trên cáp 10base2 (chỉ những dữ liệu lấy được) thể hiện
mức cao nhất của độ nhạy với các xáo trộn xung đơn ở 2,5 kV mà không phải ở 4,5
kV đối với 10baseT và trên 4,5 kV đối với AppleTalk.
Bảng
6 – Kết quả do các xung EFT được đưa vào cáp 10base2 có chỉ ra số lượng xáo
trộn/số lượng chuỗi thử nghiệm
Mức
điện áp
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
1
000 V
1
500 V
2
000 V
2
500 V
3
000 V
4
000 V
4
500 V
Tần số xung (số lượng
xung)
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Xung đơn
1/6
3/6
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
4/6
3/3
3/3
6/6
4/4
Không hỏng
Một số hỏng
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Tất cả hỏng
6.3.2.4 Kết luận về
quá độ dẫn
Các thí nghiệm này,
trong khi được giới hạn về điện áp đỉnh đưa vào, thể hiện rằng các xung có năng
lượng cao như xung CWG và xung viễn thông là những mối đe dọa rõ ràng với hệ
thống dữ liệu cáp Ethernet dưới dạng gây hỏng cho các card Ethernet của máy
tính nối vào. Cũng biết rằng thành phần tần số thấp của các xung thử nghiệm này
(thấp hơn 1 MHz) lan truyền rất tốt dọc theo các loại cáp này.
Đối với các xung EFT,
rõ ràng chúng là mối đe dọa nghiêm trọng, gây ra các xáo trộn của máy tính ở
các mức rất thấp (1 kV đến 2 kV) được đưa vào cáp Ethernet. Các xung này suy
giảm theo khoảng cách trên cáp cấp 5, nhưng mức suy giảm chỉ vừa phải (30 %
trong 30 m).
Đối với dây điện dẫn
vào, các giới hạn của bộ tạo xung không cho phép có những kết quả rõ ràng của
dạng sóng xung bất kỳ, mặc dù một số xáo trộn EFT được ghi lại chỉ ở mức 2 kV.
Các xung có năng lượng cao (xung viễn thông, xung CWG) không thể ghép nối quá 1
kV với tải, và không ghi lại được hỏng hóc hoặc xáo trộn bất kỳ từ những dạng
sóng này.
6.3.3 Thử nghiệm dẫn
ở mức tòa nhà
Trong những năm gần
đây, mối quan tâm ngày càng tăng đến khả năng khủng bố và tội phạm sử dụng có chủ
ý các quá độ điện từ để phá vỡ các hoạt động kinh doanh vận hành theo cách thông
thường. Trong khi có nhiều mối đe dọa liên quan đến trường EM bức xạ tần số cao
tại tòa nhà từ vị trí bị che khuất, nhưng cũng có nhiều khả năng các quá độ EM
dẫn có thể được đưa vào trên các dây điện hoặc dây viễn thông đi vào tòa nhà
khi không bị hạn chế xâm nhập.
Dưới đây là tóm tắt
công trình đáng chú ý được thực hiện bởi Parfenov và những người khác [47, 48],
họ đã đưa các loại tín hiệu quá độ khác nhau vào dây dẫn của tòa nhà để nghiên cứu
các đặc tính lan truyền của các quá độ này từ bên ngoài vào các phích cắm trên
tường bên trong tòa nhà. Ngoài ra, các tác giả còn nghiên cứu các loại quá độ
có thể gây hỏng nguồn máy tính.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Tòa nhà cần thử
nghiệm được cấp điện từ máy biến áp lắp ráp liên hợp sao-tam giác 1 MW, 10
kV/380 V như thể hiện trên Hình 10. Tòa nhà có năm tầng và các phép đo thực
hiện ở tầng 2 và tầng 5. Lưu ý là tổng đài điện thoại chính của toà nhà và tổng
đài điện thoại của từng tầng là một phần của thử nghiệm.
Hình
10 – Mô tả thử nghiệm đưa nhiễu dẫn vào
Trong thử nghiệm, máy
phát xung được bố trí ở phía thứ cấp của máy biến áp. và thử nghiệm được thực
hiện ở chế độ không cấp điện. Điều này chỉ để thuận tiện, và các tác giả cũng lưu
ý rằng không khó khăn khi đưa nhiễu vào trong khi toà nhà vẫn làm việc với đầy
đủ điện áp đầu vào. Các tác giả đã đưa nhiễu vào theo nhiều cách khác nhau gồm:
· giữa pha 1 và trung tính;
· giữa pha 2 và trung tính;
· giữa pha 1 và điện cực đất từ xa;
· giữa pha 2 và điện cực đất từ xa;
· giữa trung tính và điện cực đất từ
xa.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Loại quá độ đưa vào
gồm cả xung và sóng liên tục (CW). Đặc tính của xung được thay đổi nhưng nhìn
chung có thời gian tăng là 30 ns và độ rộng xung thay đổi từ 30 ns đến 10 ms. Các xung có giá trị đỉnh tại điểm
đưa vào là 1,5 kV và được lặp lại ở tần số 5 Hz. Từ việc đánh giá cách điện và
từ những kết quả, rõ ràng thấy rằng các xung 1,5 kV được đưa vào không làm hỏng
cách điện trong dây dẫn của tòa nhà. Đối với sóng liên tục, tần số được đặt vào
từ 500 Hz đến 1 MHz.
6.3.3.2 Kết quả thử
nghiệm toà nhà
Không ngạc nhiên rằng
sự xuất hiện suy giảm tín hiệu nhỏ nhất từ bên ngoài của tòa nhà vào các phích
cắm trên tường bên trong khi dây pha được đo bên trong giống với dây pha được
đưa vào từ bên ngoài. Cũng nhận thấy rằng suy giảm là nhỏ nhất với xung rộng nhất
(10 ms), không ghi lại được
suy giảm giá trị đỉnh nhận thấy được nào. Đối với các thử nghiệm tương tự được
thực hiện với các nguồn CW, suy giảm tăng theo tần số với mức suy giảm lớn nhất
là 5 dB ở f = 1 MHz. Nhận thấy rằng khi sử dụng các tần số cao hơn, sự
không phối hợp trở kháng và tổn thất điện cảm cao hơn sẽ làm tăng sự suy giảm.
Về mặt hiệu quả của
ghép nối từ một dây pha đến dây pha khác, nhận thấy rằng truyền ở pha 2 và đo ở
pha 1 sẽ tạo ra tổn thất 30 dB đến 50 dB trong tín hiệu có tần số từ 0,1 MHz đế
1 MHZ, mặc dù có cộng hưởng mạnh tại 250 kHz và 900 kHz. Việc đưa tín hiệu
nhiễu vào giữa các pha (hoặc trung tính) và điện cực đất ở xa và đo các điện áp
từ pha 1 đến trung tính cũng nhận thấy sự suy giảm 40 dB trong cùng dải tần số.
6.3.3.3 Nguồn máy
tính
Phần thứ hai của công
trình [47, 48] liên quan đến việc kiểm tra tính dễ bị hỏng của nguồn máy tính
với các quá độ dạng xung đi vào thông qua dây nguồn. Cũng nhận thấy rằng các
mạch bộ lọc nguồn máy tính hay bị hỏng nên đã thực hiện phân tích ba mạch bộ lọc
nguồn khác nhau: bộ lọc tải thấp (200 W), bộ lọc tải trung bình (500 W – 800 W)
và bộ lọc công nghiệp.
Các phân tích được
thực hiện với mã hóa mạch điện sử dụng các đặc tính xung đầu vào khác nhau và
tín hiệu nhiễu được đưa vào giữa pha và trung tính tại phích cắm điện. Mô hình
đã xem xét các phần tử ký sinh và phần tử phi tuyến của bộ lọc nguồn. Các kết
quả nghiên cứu cho thấy rằng đối với một xung đặt vào có độ rộng 100 ms, có thể có những hiệu ứng sau:
- đánh thủng tụ lọc,
với các xung đặt vào từ 3 kV đến 4 kV;
- đánh thủng điốt
chỉnh lưu, với các xung đặt vào từ 5 kV đến 6 kV;
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Để thử nghiệm một phần
của phân tích này, đầu vào của nguồn điện được đặt một xung có đặc tính mong muốn
bắt đầu ở 3 kV. Mức hỏng của tụ điện trong mạch từ 4,2 kV đến 5,6 kV, cao hơn
một chút so với dự kiến, nhưng vẫn phù hợp với phân tích.
Để thử nghiệm tính
năng tổng thể của hệ thống máy tính có bộ lọc nguồn công nghiệp các xung được đưa
vào có độ rộng 50 ms. Thử nghiệm cho
thấy hỏng nguồn điện máy tính ở điện áp đưa vào là 6 kV. Hỏng hóc tìm thấy ở
nguồn điện gồm: hai điốt chỉnh lưu, điện trở bù nhiệt, tụ điện ở đầu vào bộ lọc
và cầu chảy. Các phân tích thêm nghiên cứu tác động của độ rộng xung đã phát
hiện rằng đối với xung có độ rộng 1 ms, mức hỏng hóc dự kiến giảm xuống từ 1 kV
đến 2 kV.
6.3.3.4 Tóm tắt
nghiên cứu về tòa nhà
Các phép đo được thực
hiện bởi Parfenov và những người khác chỉ ra rõ ràng rằng điện áp đưa vào hệ
thống đi dây bên ngoài có thể lan truyền khá tốt trong hệ thống đi dây của tòa
nhà ngay cả khi xét đến nhiều tổng đài điện thoại bên trong tòa nhà. Rõ ràng từ
công trình này là các tần số nhỏ hơn 1 MHz lan truyền với độ suy giảm thấp như
các xung có độ rộng lớn hơn 1 ms.
Mặc dù nghiên cứu này không trực tiếp đề cập đến vấn đề phóng điện đánh thủng cách
điện của hệ thống đi dây nhưng nhận thấy rằng, đối với các loại xung đang xét,
hệ thống đi dây thông thường của tòa nhà cần có khả năng chịu được các điện áp
đỉnh trong phạm vi 10 kV.
Xét về tính dễ bị
hỏng của máy tính, cả phân tích và thử nghiệm giới hạn đều cho thấy rằng nguồn
điện của máy tính, và cụ thể là các bộ lọc đầu vào, dễ bị hỏng với xung 50 ms ở các mức 6 kV. Phân tích cũng cho
thấy rằng các mức từ 1 kV đến 2 kV thường tạo ra hỏng hóc đối với các xung có
độ rộng 1 ms.
Bằng cách xem xét cả
hai khía cạnh của công trình nghiên cứu, nhận thấy là có thể đưa các mức điện áp
đáng kể vào hệ thống đi dây của tòa nhà và điện áp đưa vào có thể dễ dàng lan
truyền và có thể làm hỏng nguồn máy tính.
6.4 Xáo trộn mạch
lôgic hoặc gián đoạn dịch vụ
Hậu quả có nhiều khả
năng xảy ra hơn khi chiếu xạ HPEM vào hệ thống là sự xáo trộn (trục trặc tạm
thời) hoặc tháo chốt (trục trặc làm cho mạch ngừng hoạt động cho đến khi đóng
lại nguồn) của mạch digital bên trong.
Kiểu nhạy với hỏng hóc
này của hệ thống rất khó dự đoán, tuy nhiên, nguyên nhân là do các độ không đảm
bảo trong các trường hợp sau:
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
b) đưa năng lượng EM
vào hệ thống, do nhiều tham số quan trọng, mà giá trị của chúng là chưa biết
hoặc biến đổi,
c) hướng và khoảng
cách của hệ thống liên quan đến nguồn EM là chưa biết hoặc thay đổi theo thời
gian, và
d) sự biến đổi theo mục
tiêu của các mức dễ bị hỏng của trường EM.
Do khó đoán trước được
nên việc thử nghiệm thiết bị là cần thiết để hiểu đầy đủ các ảnh hưởng HPEM có
thể có. Tuy nhiên, có thể khảo sát các mức điện áp đóng cắt lôgic trong thiết
bị cụ thể và yêu cầu tín hiệu HPEM thấp hơn đáng kể so với các điện áp hệ thống
chuẩn này. Các tiếp cận thận trọng này có thể dẫn đến việc bảo vệ quá cẩn thận
cho hệ thống nhưng là một kỹ thuật có thể áp dụng để bảo vệ các hệ thống tới
hạn cao.
7. Khái niệm bảo vệ
HPEM
Như đã đề xuất trong các
điều trước của tiêu chuẩn này, môi trường HPEM có thể tạo ra các hiệu ứng dưới
đây lên hệ thống (để giảm mức khắc nghiệt):
a) hỏng hóc về vật lý
vĩnh viễn;
b) hỏng chức năng
vĩnh viễn;
c) xáo trộn tạm thời
(có sự can thiệp của người vận hành);
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
e) xáo trộn tạm thời
(không có sự can thiệp của người vận hành).
Trong một số trường hợp,
có thể mong muốn bảo vệ hệ thống khỏi các trường HPEM. Trong điều này, đưa ra
xem xét các phương pháp bảo vệ khác nhau.
7.1 Chiến lược lựa
chọn mức miễn nhiễm
Khía cạnh quan trọng của
việc bảo vệ EM là hiểu được hệ thống bền vững như thế nào. Điều này thường được
thể hiện dưới dạng xác suất hỏng hóc của hệ thống khi chịu môi trường EM qui
định. Để thực hiện điều này, phải sử dụng khái niệm thống kê, do độ không đảm
bảo của chiếu xạ EM lên hệ thống, cũng như lên sự thay đổi của tham số hệ
thống. Một số hệ thống có thể được coi là “tới hạn tính năng” và có yêu cầu về
“tới hạn tính năng” rất cao; các hệ thống không tới hạn về tính năng khác có
thể không được bảo vệ. Giải quyết các yêu cầu về khả năng tồn tại thích hợp là
phức tạp, bao gồm những phác hoạ ban đầu, lập kế hoạch chiến lược, chi phí,
v.v…
Để đánh giá sự cần
thiết đối với bảo vệ HPEM, cần xác định yêu cầu về khả năng tồn tại của hệ
thống theo nội dung rộng hơn các quan hệ với các linh kiện khác trong cơ sở hạ
tầng có chứa hệ thống đang xét. Ví dụ, nếu hệ thống cần nghiên cứu là khối liên
lạc lệnh và điều khiển trong cơ sở hạ tầng bảo vệ dân cư, hoạt động của khối
này được coi là cốt yếu trong toàn bộ hoạt động của cơ sở hạ tầng đó. Tuy
nhiên, nếu hệ thống là các thành phần điện không tới hạn (ví dụ thiết bị làm
nóng cà phê) thì yêu cầu về khả năng tồn tại của nó có thể được giảm thiểu. Do
đó, cần thực hiện đánh giá cẩn thận vai trò của hệ thống và đánh giá các yêu
cầu bảo vệ của hệ thống.
Cũng quan trọng để
nhận thấy rằng môi trường HPEM là môi trường cục bộ (trái ngược với môi trường
HEMP có độ bao phủ rất rộng). Điều này cho thấy rằng đối với hệ thống được phân
bố và liên kết, xác suất hỏng hóc do HPEM có thể khác đáng kể so với HEMP. Thực
tế có thể có tác động đến quyết định bảo vệ thiết bị khỏi các môi trường HPEM.
Hơn nữa, phải thực hiện đánh giá cẩn thận yêu cầu bảo vệ.
7.2 Tổng quan về kỹ
thuật bảo vệ HPEM
Nếu phân tích hoặc
thử nghiệm đáp ứng của hệ thống với môi trường HPEM đã chỉ ra rằng cần bảo vệ hệ
thống thì một số phương pháp giảm nhẹ có thể được xem xét. Chúng bao gồm:
a) bảo vệ EM áp dụng cho
hệ thống liên quan;
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
c) theo dõi từ bên
ngoài đối với các kích thích HPEM;
d) an toàn vật lý của
hệ thống; và
e) dự phòng chức năng
của hệ thống.
Phương pháp giảm nhẹ
đầu tiên (a) rất giống với phương pháp bảo vệ được sử dụng cho HEMP (xem IEC
61000-5-6). Phương pháp này cũng liên quan đến việc khống chế kết cấu về điện
của hệ thống để giảm thiểu ghép nối với các trường EM bên ngoài, và tăng cường chống
nhiễu hiệu quả cho hệ thống bằng cách xử lý các lỗ thủng, xâm nhập dẫn hoặc PoE
cùng với thiết bị bảo vệ khác.
Vì nhiều hệ thống đang
xét về bản chất là hệ thống số nên xác suất xáo trộn hệ thống ở các mức thấp
của kích thích HPEM có thể giảm xuống bằng cách xem xét các thiết kế sai hỏng cho
phép của phần cứng và phần mềm. Tuy nhiên, cách tiếp cận (b) này không thích
hợp để giảm nhẹ hư hại về vật lý mà có thể xảy ra do các trường HPEM.
Các tiếp cận giảm nhẹ
(c) là hữu ích nhất trong trường hợp môi trường HPEM có tính lặp lại. Với khái
niệm này, người sở hữu phương tiện có thể tìm ra nguồn gây nhiễu khi cảm biến
phát hiện có trường HPEM, lan toả vào tòa nhà. Điều này có thể rất có ích vì có
nhiều khả năng nguồn gây nhiễu rất gần với phương tiện.
Phương pháp giảm nhẹ
(d) là phương pháp mang nhiều tính chất phòng ngừa – ngăn không cho xâm nhập
vào hiện trường có thể dễ bị xâm nhập. Cuối cùng cách tiếp cận dự phòng (e)
giảm khả năng bị xâm nhập của hệ thống trong trường hợp, ví dụ, mất hệ thống con
thì được "dự phòng" bằng một hệ thống con riêng rẽ, giống hệt như hệ
thống "EM - có cách ly".
7.3 Thực hiện bảo vệ
HPEM
HPEM tổng thể tương
tác với hệ thống có thể được coi là chuỗi chức năng truyền từ nguồn EM đến cổng
(linh kiện) cần quan tâm trong hệ thống, như được đề xuất trong Hình 6. Đối với
các tuyến tương tác này, có thể thực hiện tính toán trên các linh kiện cụ thể
của hệ thống để xác định các chức năng truyền, và ước lượng đáp ứng của hệ
thống tổng thể. Do đó, bảo vệ hệ thống có thể được xác định như một kỹ thuật
chung để giảm ứng suất EM tại cổng đang xét. Phương pháp này toàn diện hơn (và
cũng phức tạp hơn) là chỉ cố định “rò rỉ” trên màn chắn và đặt bộ lọc cho cáp.
Để làm điều này, yêu cầu có các chuyên gia ở các lĩnh vực kỹ thuật khác nhau để
xác định đặc điểm của quá trình tương tác.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Hình
11 – Minh họa xâm nhập có chủ ý và không chủ ý vào hệ thống giả định của Hình 5
Như thể hiện trên
Hình 11, xâm nhập chủ ý là những xâm nhập một cách có ý thức vào hệ thống để
đưa thông tin (tín hiệu EM), công suất, nước, lực cơ khí hoặc thậm chí con người
từ bên ngoài vào bên trong và ngược lại. Trong các định nghĩa này, anten, cáp
công suất và tín hiệu đi vào màn chắn trong Hình 11 tạo nên những xâm nhập có
chủ ý. Tương tự xâm nhập qua lỗ thủng cũng được coi là xâm nhập có chủ ý nếu lỗ
thủng là cửa hoặc cửa sổ được định vị có chủ ý trên màn chắn để cho “thông tin”
đi qua.
Ngược lại, lỗ thủng được
hình thành bởi mối ghép giữa hai miếng kim loại che chắn vỏ bọc có thể được
phân thành loại xâm nhập không chủ ý. Tương tự, xâm nhập trường EM thông qua vật
liệu dẫn không hoàn hảo là ví dụ về xâm nhập không chủ ý.
Mặc dù các tuyến ghép
nối xâm nhập EM có chủ ý thường đã biết, và các chức năng truyền khác nhau cũng
đã biết hoặc dễ dàng tính được, thì việc bảo vệ khỏi các xâm nhập này thường khó
hơn đối với các xâm nhập không chủ ý. Để bảo vệ các xâm nhập không chủ ý, thường
áp dụng công nghệ EMC “tiêu chuẩn”, tức là dùng miếng đệm, bộ lọc, màn chắn cáp,
v.v… Tất nhiên, nếu các mức môi trường qui định là cao, thì có thể sử dụng
nhiều mức bảo vệ; tuy nhiên các giải pháp tiêu chuẩn sẽ đủ để đáp ứng.
Mặt khác, đối với bảo
vệ xâm nhập EM có chủ ý, thường có thể có khó khăn để tìm được biện pháp bảo vệ
thích hợp, vì các xâm nhập này có thể cho đi qua các tín hiệu mong muốn, nhưng đồng
thời lại hạn chế môi trường HPEM. Các phần tử không tuyến tính thường được xem xét
đối với loại bảo vệ này nhưng nếu các xung HPEM rất ngắn thì bảo vệ có thể
không đáp ứng đủ nhanh để hấp thụ năng lượng xung. Đối với một số loại xâm nhập
có chủ ý nhất định, ví dụ như lỗ hở đối với các máy quay, rất khó để tìm được
bảo vệ thích hợp.
Một vấn đề khác cần lưu
ý khi xem xét biện pháp bảo vệ HPEM đối với hệ thống là bản chất tần số cao của
môi trường EM làm cho nó khó xác định đáp tuyến trường hợp xấu nhất (tức là khi
che chắn kém), nếu không thực hiện nhiều phép đo. Điều này cũng gây khó khăn và
mất nhiều thời gian khi thực hiện thử nghiệm để cho thấy rằng hệ thống cần thử
nghiệm không nhạy đối với góc tới bất kỳ của trường bức xạ [49].
7.3.1 Bảo vệ xâm nhập
có chủ ý
Các phần tử bảo vệ
xâm nhập EM có chủ ý được yêu cầu để bảo vệ hệ thống khỏi môi trường HPEM qui
định với xác suất qui định về khả năng tồn tại. Tuy nhiên, các phần tử bảo vệ
này không nên can thiệp vào hoạt động bình thường của hệ thống, và các phần tử
bảo vệ cần đảm bảo môi trường HPEM vẫn tiếp tục tồn tại trừ khi chúng được
thiết kế là thiết bị tác động một lần duy nhất như cầu chảy.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Hình
12a – Sơ đồ khối
Chú giải
Trad
Chức năng truyền
của mái che
Ttr
Chức năng truyền
của đường truyền thông
Tant
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Chức năng truyền
của anten
Chức năng truyền
của mạng phối hợp
Trcvr
Chức năng truyền
của thiết bị thu
Hình
12b – Mô hình chức năng truyền
Hình
12 – Ví dụ về tuyến ghép nối giả thuyết có chủ ý vào hệ thống
Các chức năng truyền
trong Hình 12 nhìn chung là đã biết trong dải tần làm việc của hệ thống. Việc
bảo vệ hệ thống này có thể được thực hiện theo hai cách cơ bản:
a) bằng cách thêm
thiết bị bảo vệ nối tiếp hoặc song song trong tuyến dẫn tín hiệu để phản xạ
hoặc hấp thụ nhiễm nhiễu HPEM, như thể hiện trên Hình 13, hoặc
b) bằng cách thiết kế
cẩn thận các phần tử hệ thống (tức là các chức năng truyền Ti) để loại bỏ nhiễm
nhiễu ngoài dải.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Chú giải
Trad
Chức năng truyền
của mái che
Ttr
Chức năng truyền
của đường truyền thông
Tant
Chức năng truyền
của anten
Trcvr
Chức năng truyền
của thiết bị thu
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Chức năng truyền
của mạng phối hợp
Hình
13 – Chèn thêm thiết bị bảo vệ vào tuyến ghép nối có chủ ý để cung cấp bảo vệ
EM chống các nhiễu ngoài dải
Thiết bị bảo vệ được
thể hiện trên Hình 13 có thể có một số loại khác nhau. Tại các tần số thấp, có
thể sử dụng các mạch lọc thông số tập trung, và tại các tần số cao hơn có thể
sử dụng mạch lọc hình răng lược, mạch lọc cài răng lược và bộ lọc ống dẫn sóng.
Ngoài ra, các linh kiện hạn chế phi tính gồm bộ hạn chế điốt, ống phóng khí, bộ
hạn chế ferit và các cơ cấu đóng cắt cũng thường được sử dụng.
Ngoài việc bảo vệ xâm
nhập EM có chủ ý đạt được bằng cách thêm các phần tử thích hợp vào chuỗi chức năng
truyền, còn có thể sửa đổi thiết kế hệ thống. Ví dụ, trong trường hợp bộ tập
trung anten trên hình 12, có thể sử dụng các bề mặt chọn lọc tần số trên mái
che để hạn chế năng lượng ngoài dải tới anten. Ngoài ra, anten có thể được
thiết kế sao cho điều khiển được phân cực và độ rộng chùm tia của anten để giảm
thu HPEM không mong muốn. Mỗi biện pháp này đều dẫn đến việc sửa đổi chức năng
truyền ngoài dải của tuyến tương tác.
Đối với các xâm nhập
dẫn có chủ ý không được coi là một phần của tuyến liên lạc EM thì bảo vệ của
chúng cũng có thể được thực hiện bằng các bộ lọc và thiết bị bảo vệ đấu nối
trên dây dẫn. Sự khác nhau chủ yếu giữa các xâm nhập này và xâm nhập EM có chủ
ý là ở chỗ các xâm nhập này được thiết kế để dẫn năng lượng EM từ bên ngoài vào
bên trong hệ thống. Ví dụ như các cáp bằng kim loại khống chế xâm nhập, trục
quay, ống nước, v.v… Khái niệm bảo vệ cơ bản của chúng là ngăn việc trực tiếp đưa
dòng điện HPEM vào hệ thống, và điều này có thể được thực hiện bằng cách cung cấp
liên kết điện tốt tại điểm xâm nhập, hoặc bằng cách đưa bộ cách ly cơ, bộ triệt
về điện hoặc bộ lọc tại vị trí xâm nhập này. Việc lựa chọn sử dụng thiết bị nào
tùy thuộc vào nội dung chi tiết của xâm nhập cụ thể.
7.3.2 Bảo vệ xâm nhập
không chủ ý
Như đã nêu ở trên,
các cơ chế xâm nhập không chủ ý cơ bản gồm:
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
b) xâm nhập trường HPEM
thông qua các lỗ hở, khe rãnh, đường nối và mối ghép không chủ ý trong tấm chắn
của hệ thống.
Khái niệm bảo vệ xâm
nhập không chủ ý rất đơn giản: lấp kín các khe hở trong (các) tấm chắn EM của
hệ thống. Như tóm tắt trong Hình 14, điều này có thể thực hiện được theo một số
cách khác nhau, tùy thuộc vào kiểu xâm nhập trong hệ thống.
Đầu tiên, màn chắn
bên ngoài của hệ thống cần được làm bằng vật liệu có độ dẫn cao, ví dụ bằng kim
loại như trong ví dụ ở Hình 14. Lỗ thủng bất kỳ cần được xử lý bằng cách sử
dụng vỏ hoặc lưới dẫn, lớp phủ dẫn, một hoặc nhiều cơ cấu dẫn sóng vượt ngưỡng
hoặc đơn giản là được điền đầy như trong Hình 14 cũng minh họa cách xử lý nối
đất hệ thống. Phải có cả hệ thống nối đất bên trong và bên ngoài, với giao diện
giữa chúng là màn chắn của hệ thống, và không đấu nối dây dẫn xuyên qua màn
chắn. Trong vấn đề này, các tín hiệu bên trong và bên ngoài loại trừ lẫn nhau bởi
không gian màn chắn. Cuối cùng, mọi mối nối điện đến các hệ thống khác đều phải
ghép nối với màn chắn của hệ thống tổng thể, như được chú thích trên hình.
Tuy nhiên, cần chú ý
rằng việc bảo vệ sự xâm nhập EM có chủ ý có thể bảo vệ thiết bị khỏi hỏng hóc, nhưng
không nhất thiết bảo vệ khỏi trục trặc tạm thời (ví dụ do không nhận được tín
hiệu), trong khi đó bảo vệ xâm nhập không chủ ý thích hợp sẽ bảo vệ được hệ thống
khỏi cả hỏng hóc và trục trặc
Hình
14 – Minh họa các phương pháp bảo vệ xâm nhập HPEM không chủ ý điển hình
7.3.3 Sơ đồ bảo vệ
HPEM thay thế
Có các kỹ thuật khác để
bảo vệ HPEM trong trường hợp không xuất hiện các thành phần gây hỏng nặng nề
trực tiếp đến hệ thống, nhưng khi đó lại gặp phải vấn đề phản lôgic hoặc chặn
đứng thời gian. Trong trường hợp đó, số lần xuất hiện hỏng có thể so sánh với
một số lần chu kỳ lôgic và điều đó có thể cung cấp đủ thời gian cho “bảo vệ
chức năng”.
Các khả năng để áp dụng
bảo vệ này gồm:
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
b) dự phòng của hệ
thống;
c) phần mềm phát hiện
và hiệu chỉnh sai lỗi.
Khái niệm bảo vệ chủ
động liên quan đến khả năng phán đoán môi trường HPEM và bảo vệ hệ thống trước
khi có các ảnh hưởng gây hỏng. Việc sắp đặt thủ công “các tấm che EMP” trên phương
tiện hàng không là một ví dụ của kiểu bảo vệ này. Mặt khác, các ví dụ phức tạp
hơn có thể tìm thấy trong bảo vệ xâm nhập EM có chủ ý của hệ thống rađiô hoặc
rađa.
Yếu tố quan trọng của
phương pháp này là làm trễ tín hiệu nhận được. Việc trễ này phải đủ dài để cho
phép thiết bị đóng cắt hoặc thiết bị bảo vệ tác động; tuy nhiên, việc trễ không
được có ảnh hưởng bất lợi đến hoạt động bình thường của hệ thống.
Sử dụng dự phòng của hệ
thống để bảo vệ được áp dụng cho các trường hợp trong đó cần tăng độ tin cậy.
Phương pháp này thích hợp cho cả hỏng hóc và xáo trộn từng phần. Trong khái
niệm này, có nhiều ví dụ về hệ thống con hoặc linh kiện, nhiều máy tính trong
truyền thông mà các kết quả đã được trưng cầu. Điều này dẫn đến con số tổng
quát về khả năng tồn tại lớn hơn đối với một hệ thống con đơn lẻ. Dự phòng của hệ
thống này thường được sử dụng trong thiết bị phóng và tàu vũ trụ nơi cần độ tin
cậy cao.
Qui trình phát hiện
và hiệu chỉnh sai lỗi trong hệ thống điện tử cũng có thể làm tăng độ tin cậy.
Thiết kế phần mềm và đường truyền dữ liệu bền vững phục vụ các môi trường HPEM
và hiệu chỉnh sai lỗi dữ liệu và mất dữ liệu là các kỹ thuật có thể áp dụng để
bảo vệ HPEM.
Cuối cùng, nếu cần có
thể thực hiện theo dõi định kỳ (tự động hoặc thủ công) hoạt động của hệ thống
và/hoặc sự xuất hiện của môi trường HPEM, và thực hiện khởi động lại thiết bị.
THƯ
MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[2] EMP Interaction:
Principles, Techniques and Reference Data, K. S. H. Lee, editor, Hemisphere
Publishing Co., New York, 1989.
[3] IEC 61000-1-3, Electromagnetic
compatibility (EMC) -Part 1-3: General -The effects of high-altitude EMP
(HEMP) on civil equipment and systems
[4] VANCE, EF., "EMP
Hardening of Systems", Proceeding of the 4th Symposium and Technical Exhibition
on Electromagnetic Compatibility, Zurich, March 10-12, 1981.
[5] MIL-STD-188-125-1,2:1999
High-Altitude Electromagnetic Pulse (HEMP) Protection For Ground- Based C41
Facilities Performing Critical, Time-Urgent Missions; Part 1: Fixed Facilities,
Part 2 Transportable Systems.
[6] Electromagnetic
Pulse (EMP) and Tempest Protection For Facilities, U.S. Army Corps of
Engineers, Washington, DC 20314-1000, Publication 1110-3-2, 31 December 1990.
[7] TAYLOR, CD. and GIRl,
D V. High Power Microwave Systems and Effects. .Taylor & Francis,
Inc., January 1994
[8] GIRl, DV and KAELIN
AW. Many Faces of High-Power Electromagnetics (HPEM) and Associated Problems
in Standardization. Presentation at the AMEREM'96 Meeting, Kirtland AFB,
Albuquerque, NM, 1996
[9] LEACH, PO. and ALEXANDER,
MB. Electronic Systems Failures and Anomalies Attributed to Electromagnetic Interference",
NASA Report 1374, National Aeronautics and Space Administration.
Washington, CC 20546-0001, July 1995.
[10] GARDNER, RL. Electromagnetic
Terrorism. A Real Danger. Proceedings of the Xlth Symposium on
Electromagnetic Compatibility, Wroclaw, Poland, June 1998.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[12] Workshop on "Electromagnetic
Terrorism and Adverse Effects of High Power Electromagnetic (HPE) Environments",
Proceedings of the 13th International Zurich Symposium and Technical
Exhibition on Electromagnetic Compatibility, February 16-18, 1999.
[13] AMEREM'96
Meeting, Albuquerque, New Mexico, May 27-31,1996.
[14] EUROEM'98, Tel Aviv,
Israel, June 14-19, 1998, and EUROEM 2000, Edinburgh, Scotland, 30 May-2 June
2000.
[15] International
Scientific Radio Union (URSI) General Assembly, Toronto, 1999.
[16] ROSENBERG, E.
"New Face of Terrorism: Radio-Frequency Weapons", New York Times, 23
June
[17] "City surrenders
to Ê400m gangs", The Sunday Times, London, 2 June 1996.
[18] LOBOREV, VM. The
Modern Research Problems. Plenary Lecture, AMEREM'96 Meeting, Albuquerque, NM,
USA, May 1996.
[19] SAWYER, D.
"20/20 Segment on Non-lethal Weapons", American Broadcasting Company
(ABC), aired in February 1999.
[20] BACKSTROM, M.,
FROST, C., ANAS, P. Forstudie rorande vitala samhallssystems
motstandsformaga mot elektromagnetisk straIning med hog intensitet (HPM). Anvandarrapport
FOA-R-- 97-00538-612--SE, August 1997, ISSN 1104-9154. In Swedish (abstract in English),
English title: "Preliminary Study on the Resistance of Critical Societal
Functions Against Intense Electromagnetic Radiation".
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[22] IEC 61000-5-3, Electromagnetic
compatibility (EMC) - Part 5-3: Installation and mitigation guidelines
-HEMP protection concepts
[23] IEC 61000-5-4, Electromagnetic
compatibility (EMC) - Part 5: Installation and mitigation
guidelines-Section 4: Immunity to HEMP -Specifications for protective devices
against HEMP radiated disturbance
[24] IEC 61000-5-6, Electromagnetic
compatibility (EMC) - Part 5-6: Installation and mitigation guidelines
-Mitigation of external EM influences
[25] IEC 61000-2-9, Electromagnetic
compatibility (EMC) - Part 2: Environment -Section 9: Description
of HEMP environment -Radiated disturbance
[26] IEC 61000-2-10, Electromagnetic
compatibility (EMC) - Part 2-10: Environment - Description of HEMP
environment - Conducted disturbance
[27] BENFORD, J. and SWEAGLE,
J. (Editors), High-Power Microwaves, Artech House, Norwood,
Massachusetts, 1992.
[28] IEC 61000-2-13, Electromagnetic
compatibility (EMC) - Part 2-13: Environment -High- power
electromagnetic (HPEM) environments - Radiated and conducted (to be
published)
[29] LOVETRI, J.,
WILBERS, ATM. and ZWAMBORN, APM. Microwave Interaction with a Personal
Computer: Experiment and Modeling. Proceedings of the 1999 Zurich EMC
Symposium.
[30] BACKSTROM, M. HPM
Testing of a Car: A Representative Example of the Susceptibility of
Civil Systems. Workshop W4, Proceedings of the 13th International Zurich Symposium
and Technical Exhibition on EMC, February 1999, pp. 189-190.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[32] WHALEN, JJ.
Assessment Procedure Application Utilizing UHF Transistor RF Pulse
Susceptibility Data. Proceedings of the 1977 Symposium and Technical
Exhibition on EMC, Montreux, Switzerland. [33] HJELLEN, GA. and LANGE, T J.
A Thermal Damage Model for Bipolar Semiconductors, Proceedings of the 1977
IEEE Symposium on EMC.
[34] VAN KEUREN, E., HENDRICKSON,
R. and MAGYARICS, R. Circuit Failure Thresholds Due to Transient Induced
Stresses. Proceedings of the 1975 Symposium and Technical Exhibition
on EMC, Montreux, Switzerland.
[35] CLARK, OM.,
Device and Methods for EMP Transient Suppression, Proceedings of the 1975
IEEE Symposium on EMC.
[36] FOWLES, HM. Test
and Evaluation of Electrical PoE Protection Devices Using MIL-STD- 188-125 Short-,
Intermediate-, and Long-Duration Pulses. Mission Research Corp., Technical Report
MRC/ABQ-1340, July 1990.
[37] WIK, M., KAPP, WH.,
EGGENDORFER, A., JOHL, W., BUCHMANN, W. Measurement and Application of
Secondary Surge Arresters for the Purpose of HEMP Protection. Proceedings of
the 1981 Symposium and Technical Exhibition on EMC, Zurich,
Switzerland.
[38] EICHLER, CH., IECRO,
JR. and BARNES, PR. Experimental Determination of The Effects of Steep Front-Short
Duration Surges on 25 KVA Pole-Mounted Distribution Transformers, IEEE
Transactions on Power Delivery, Vol. 4, No.2, April 1989.
[39] SALAS, TM.,
WIGGINS, CM. and BARNES, PR. Steep Front Impulse Flashover Tests on a Solid-
State Relay. Paper No. 90 WM 126-3 PWRD, Proceedings of the IEEEIPES 1990
Winter Meeting, Atlanta, Georgia, February 4-8,1990.
[40] BARNES, PR. and HUDSON,
TL. Steep-Front Short-Duration Voltage Surge Tests of Power Line Filters and Transient
Voltage Suppressors. Paper 88 SM 541-5, Proceedings of the IEEEIPES Summer
Meeting, July 1988.
[41] MILLER, D B.,
LUX, AE. GRZYBOWSKI, S. and BARNES, PR. The Effects of Steep- Front, Short-
Duration Impulses on Power Distribution Components. Digest of the
IEEE/PES Summer Meeting, Long Beach, CA, July 10-14,1989.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[43] GORANSSON, G.
HPM Effects on Electronic Components and the Importance of This Knowledge in
Evaluation of System Susceptibility. Proceedings of the 1999 IEEE
EMC Symposium, Seattle, Washington.
[44] RADASKY, WA.,
MESSIER, MA., WIK, MW. Intentional Electromagnetic Interference (EMI) -Test
Data and Implications. Proceedings of the 14th International Zurich Symposium
and Technical Exhibition on EMC, February 2001.
[45] IEC 61000-4-5, Electromagnetic
Compatibility (EMC) -Part 4: Testing and measurement techniques -Section
5: Surge immunity test
[46] IEC 61000-4-4, Electromagnetic
compatibility (EMC) -Part 4-4: Testing and measure- ment techniques
-Electrical fast transient/burst immunity test
[47] FORTOV, V.,
LOBOREV, V., PARFENOV. Y., SIZRANOV, V., YANKOVSKII, B., RADASKY, W. Estimation
of Pulse Electromagnetic Disturbances Penetrating into Computers Through Building
Power and Earthing Circuits. EUROEM 2000 Conference, Edinburgh, May
2000.
[48] FORTOV, V.,
PARFENOV, Y., ZDOUKHOV, L., BORISOV, R., PETROV, S., SINIY, L. A computer code for
estimating pulsed electromagnetic disturbances penetrating into building power and
earthing connections. Proceedings of the 14th International Zurich Symposium
and Technical Exhibition on EMC, February 2001.
[49] LANDGREN, PG. Some
Directivity Properties of Test Objects in the Microwave Region. Proceedings of
the 2001 IEEE EMC Symposium, Montreal, Canada.
[50] Special Issue
on Intentional Electromagnetic Interference (IEMI). IEEE Transactions on EMC, August
2004.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Lời nói đầu
Lời giới thiệu
1 Phạm vi áp dụng
2 Tài liệu viện dẫn
3 Thuật ngữ và định
nghĩa
4 Tổng quan
4.1 Kinh nghiệm trước
đây về các ảnh hưởng HPEM lên hệ thống
4.2 Các kỹ thuật
chung bảo vệ khỏi EM dùng cho khu dân cư
5 Phân loại môi trường
HPEM
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
5.2 Dạng sóng (CW)
băng hẹp
5.3 Môi trường quá độ
xung ngắn/băng siêu rộng
5.4 Kích thích lặp
lại
6 Ảnh hưởng của HPEM
lên hệ thống
6.1 Thể hiện về mặt
không gian của hệ thống
6.2 Ví dụ về ảnh hưởng
HPEM lên hệ thống và linh kiện điện tử
6.3 Linh kiện/hệ
thống con bị cháy và hỏng vĩnh viễn
6.4 Xáo trộn mạch
lôgic hoặc gián đoạn dịch vụ
7 Khái niệm bảo vệ
HPEM
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
7.2 Tổng quan về kỹ
thuật bảo vệ HPEM
7.3 Thực hiện bảo vệ
HPEM
Thư mục tài liệu tham
khảo
1) Thuật ngữ xâm nhập
“cửa trước” và xâm nhập “cửa sau” thường được sử dụng để mô tả cách mà năng
lượng EM có thể xâm nhập vào hệ thống. Đây là những thuật ngữ mô tả theo cách
không kỹ thuật, và trong tiêu chuẩn này chúng ta chọn định nghĩa cơ chế xâm
nhập EM tương ứng là “chủ ý” và “không chủ ý”, vì các thuật ngữ này đặc trưng
đầy đủ hơn về nguyên nhân mà năng lượng HPEM bên ngoài có thể xâm nhập vào hệ
thống.
2)
Đối với các trường HPEM bức xạ loại này, yêu cầu không được có thành phần một
chiều trong phổ. Điều này ngụ ý là tích phân của vùng nằm bên dưới dạng sóng
thể hiện trong Hình 3a) hoặc tích phân dạng sóng bất kỳ thể hiện môi trường này
đều phải bằng “không”.