TIÊU CHUẨN QUỐC GIA
TCVN 12678-8:2020
IEC
60904-8:2014
THIẾT BỊ QUANG
ĐIỆN - PHẦN 8: PHÉP ĐO ĐÁP ỨNG PHỔ CỦA THIẾT BỊ QUANG ĐIỆN
Photovoltaic devices - Part 8: Measurement of spectral responsivity of a photovoltaic (PV)
device
Lời nói đầu
TCVN 12678-8:2020 hoàn toàn tương đương với IEC 60904-8:20014;
TCVN 12678-8:2020 do Ban kỹ thuật tiêu chuẩn Quốc gia TCVN/TC/E13 Năng
lượng tái tạo biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ
Khoa học và Công nghệ công bố.
Bộ TCVN 12678 (IEC 60904), Thiết bị quang điện, gồm các phần sau:
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
- TCVN 12678-1-1:2020 (IEC 60904-1-1:2017), Phần 1-1: Phép đo đặc tính
dòng điện-điện áp quang điện của thiết bị quang điện nhiều lớp tiếp giáp
- TCVN 12678-2:2020 (IEC 60904-2:2015), Phần 2:
Yêu cầu đối với thiết bị chuẩn quang điện
- TCVN 12678-3:2020 (IEC 60904-3:2019), Phần 3: Nguyên lý đo dùng cho
thiết bị quang điện mặt đất với dữ liệu phổ bức xạ chuẩn
- TCVN 12678-4:2020 (IEC 60904-4:2019), Phần 4: Thiết bị chuẩn quang điện
- Quy trình thiết lập liên kết chuẩn hiệu chuẩn
- TCVN 12678-5:2020 (IEC 60904-5:2011), Phần 5: Xác định nhiệt độ tương
đương của tế bào của thiết bị quang điện bằng phương pháp điện áp hở mạch
- TCVN 12678-7:2020 (IEC 60904-7:2019), Phần 7: Tính toán hiệu chỉnh sự không phù
hợp phổ đối với các phép đo của thiết bị quang điện
- TCVN 12678-8:2020 (IEC 60904-8:2014), Phần 8: Phép đo đáp ứng phổ của
thiết bị quang điện
- TCVN 12678-8-1:2020 (IEC 60904-8-1:2017), Phần 8-1: Phép đo đáp ứng
phổ của thiết bị quang điện nhiều lớp tiếp giáp
- TCVN 12678-9:2020 (IEC 60904-9:2007), Phần 9: Yêu cầu về tính năng của
bộ mô phỏng mặt trời
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
THIẾT BỊ QUANG ĐIỆN - PHẦN 8: PHÉP ĐO ĐÁP ỨNG
PHỔ CỦA THIẾT BỊ QUANG ĐIỆN
Photovoltaic devices - Part 8: Measurement of spectral responsivity of a
photovoltaic (PV) device
1 Phạm vi áp dụng
Tiêu chuẩn này quy định các yêu cầu đối với phép đo đáp ứng phổ của thiết
bị quang điện (PV) tuyến tính và không tuyến tính. Tiêu chuẩn này chỉ áp dụng
cho thiết bị một lớp tiếp giáp. Đáp ứng phổ của thiết bị PV được sử dụng để xây
dựng và phân tích tế bào PV vì nó đưa ra một biện pháp tái kết hợp và các quá
trình khác xảy ra bên trong chất bán dẫn hoặc hệ thống vật liệu tế bào.
Đáp ứng phổ của một thiết bị quang điện được sử dụng để hiệu chỉnh sự
không phù hợp phổ nếu một thiết bị PV được hiệu chuẩn trong một bố trí lắp đặt
tại đó phổ của phép đo khác với dữ liệu phổ bức xạ chuẩn trong TCVN 12678-3
(IEC 60904-3) và một thiết bị chuẩn với đáp ứng phổ khác với thiết bị cần thử
nghiệm. Quy trình này được cho trong TCVN 12678-7 (IEC 60904-7).
2 Tài liệu viện dẫn
Các tài liệu viện dẫn sau đây là cần thiết cho việc áp dụng tiêu chuẩn.
Đối với các tài liệu viện dẫn ghi năm công bố thì áp dụng bản được nêu. Đối với
các tài liệu viện dẫn không ghi năm công bố thì áp dụng phiên bản mới nhất, bao
gồm cả các sửa đổi.
TCVN 6781 (IEC 61215) (tất cả các phần), Môđun quang điện (PV) mặt đất
- Chất lượng thiết kế và phê duyệt kiểu
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
TCVN 12678-3 (IEC 60904-3), Thiết bị quang điện - Phần 3: Nguyên lý
đo dùng cho thiết bị quang điện mặt đất với dữ liệu phổ bức xạ chuẩn
TCVN 12678-7 (IEC 60904-7), Thiết bị quang điện - Phần 7: Tính toán
hiệu chỉnh sự không phù hợp phổ đối với các phép đo của thiết bị quang điện
TCVN 12678-9 (IEC 60904-9), Thiết bị quang điện
- Phần 9: Yêu cầu về tính năng của bộ mô phỏng mặt trời
TCVN ISO/IEC 17025, Yêu cầu chung về năng lực của các phòng thử nghiệm
và hiệu chuẩn
IEC/TS 61836, Solar photovoltaic energy systems - Terms, definitions
and symbols (Hệ thống năng lượng quang điện mặt trời - Thuật ngữ, định nghĩa và
ký hiệu)
3 Ghi nhãn
Thiết bị PV cần được ghi nhãn rõ ràng và không tẩy xóa được.
Ghi nhãn này cần có:
- Tên, ký hiệu hoặc nhận dạng của nhà chế tạo
- Vật liệu nền và kiểu thiết bị PV
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
- Số se-ri, nếu có
Khi thiết bị quang điện được thử nghiệm là nguyên mẫu của một thiết kế
mới mà không phải từ loạt sản xuất, việc này phải được ghi trong báo cáo thử
nghiệm (xem Điều 10).
4 Thử nghiệm
4.1 Yêu cầu chung
Thiết bị quang điện phải chịu một trong các quy trình đo đáp ứng phổ được
quy định trong các điều từ Điều 7 đến Điều 9.
4.2 Xem xét đặc biệt
Ổn định trước - trước khi bắt đầu đo, thiết bị cần
thử nghiệm phải được ổn định (nếu cần thiết) bằng quy trình thử nghiệm ngâm ánh
sáng thích hợp, như được quy định trong bộ TCVN 6781 (IEC 61215) hoặc TCVN
10896 (IEC 61646). Các công nghệ quang điện khác nhau có thể yêu cầu các quy
trình ổn định trước khác nhau.
4.3 Đo dưới ánh sáng trắng định thiên
Các quy trình tại Điều 7 và Điều 9 yêu cầu ánh sáng trắng định thiên đặt
lên thiết bị thử nghiệm trong quá trình xác định đáp ứng phổ. Trong điều kiện
ánh sáng định thiên, không phải đáp ứng phổ mà là đáp ứng phổ vi sai được đo.
Đáp ứng phổ có thể được xác định từ đáp ứng phổ vi sai bằng cách
tính đến độ không tuyến tính dựa trên một loạt các phép đo đáp ứng phổ vi sai ở
các mức ánh sáng định thiên tạo ra dòng điện ngắn mạch trong thiết bị nằm trong
khoảng từ 5 % đến 110 % của dòng điện ngắn mạch ở điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn
(xem Điều 5). Hầu hết các tế bào mặt trời tinh thể silic có đáp ứng phổ vi sai ở
ánh sáng định thiên tạo ra 30 % đến 40 % dòng điện ngắn mạch của chúng ở điều
kiện thử nghiệm tiêu chuẩn giống với đáp ứng phổ ở điều kiện thử nghiệm tiêu
chuẩn. Do đó, phép đo phải được thực hiện với các mức ánh sáng định thiên như vậy
nếu độ không tuyến tính của thiết bị PV tinh thể silic không được xác định. Nếu
độ không tuyến tính được xác nhận là không đáng kể, tức là đáp ứng phổ vi sai
không đổi trong dải bức xạ xem xét thì có thể sử dụng đáp ứng phổ vi sai ở mức ánh sáng
định thiên quy định. Xem chi tiết ở Điều 5.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Nói chung, đáp ứng phổ của thiết bị quang điện được đo ở các điều kiện
ngắn mạch (thiên áp bằng 0) của thiết bị quang điện và được sử dụng cho mục
đích phân tích tế bào và tính toán độ không phù hợp phổ.
Để đo đáp ứng phổ của mẫu thử dưới một điện áp cụ thể, có thể cần phải
sử dụng thiên áp. Thiên áp của thiết bị phải được điều khiển bởi nguồn điện áp
bên ngoài. Phải nêu trong báo cáo thử nghiệm nếu đặt thiên áp.
5 Mô tả chung phép đo đáp ứng phổ
Đáp ứng phổ của thiết bị quang điện (PV) được đo bằng cách chiếu bức xạ
nó bằng nguồn sáng băng thông hẹp ở một chuỗi các bước sóng khác nhau bao trùm dải
đáp ứng của nó và đo dòng điện ngắn mạch và bức xạ đơn sắc ở từng
bước sóng này (công thức 1), hoặc dòng điện ngắn mạch và công suất chùm sáng
đơn sắc (công thức 2). Kiểu đo theo công thức 1 cho kết quả đáp ứng phổ bức xạ
với đơn vị A/W·m-2. Để xác định đáp ứng phổ theo IEC/TS 61836
thì phải chia cho diện tích của thiết bị cần thử nghiệm trong khi công thức 2
cho kết quả trực tiếp của đáp ứng phổ theo đơn vị A/W.
Để xác định dòng điện đầu ra của thiết bị, ánh sáng định thiên cũng như
ánh sáng đơn sắc cần chiếu bức xạ toàn bộ diện tích của thiết bị một cách đồng
đều. Điều quan trọng là chiếu sáng hiệu quả toàn bộ diện tích của thiết bị, vì ánh sáng
không chiếu trực tiếp vào diện tích hoạt động cũng có thể góp phần vào tín hiệu
đo được. Nếu đáp ứng phổ được sử dụng để tính toán hiệu chỉnh sự không phù hợp
phổ theo TCVN 12678-7 (IEC 60904-7) thì diện tích được chiếu sáng trong quá
trình đo đáp ứng phổ phải giống như trong quá trình đo các đặc tính điện áp-
dòng điện. Thường là toàn bộ diện tích của thiết bị. Nếu không, việc này nên được
định ranh giới thích hợp bằng một góc mở.
Trong trường hợp diện tích của thiết bị lớn hơn kích thước chùm tia
tương ứng, thì phần sau phải được quét một cách thích hợp trên toàn bộ diện
tích của thiết bị để cung cấp ánh sáng đồng đều. Nếu cả hai chùm tia được quét,
quá trình quét phải đồng bộ với ánh sáng định thiên luôn chiếu sáng một điểm lớn
hơn ánh sáng đơn sắc.
Nhiệt độ của thiết bị cần được kiểm soát.
Mật độ dòng điện của thiết bị cần thử nghiệm ở từng
bước sóng được chia cho các cường độ bức xạ tương ứng để cho đáp ứng phổ.
s(λ)= Isc(λ)/E(λ)/A
(1)
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
s(λ) là đáp ứng phổ của
thiết bị cần thử nghiệm ở bước sóng λ;
Isc(λ)
là dòng điện ngắn mạch của thiết bị cần thử nghiệm ở bước sóng λ;
E(λ) là cường độ bức
xạ của nguồn sáng ở bước sóng λ;
A là diện tích của
thiết bị cần thử nghiệm
Diện tích của thiết bị cần thử nghiệm phải được ghi trong báo cáo thử
nghiệm.
Ngoài ra, có thể đo dòng điện ngắn mạch Isc(λ) và công suất bức xạ tới thiết bị P(λ). Đáp
ứng phổ khi đó được xác định là:
s(λ) = Isc(λ)/P(λ) (2)
trong đó:
Isc(λ) là dòng điện ngắn mạch của thiết bị cần thử nghiệm ở bước sóng λ;
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Việc xác định P(λ) yêu cầu đo diện tích của thiết bị cần thử nghiệm. Diện
tích này phải được ghi trong báo cáo thử nghiệm.
Trong thực tế (xem Điều 7 và Điều 9), một tín hiệu điều chế nhỏ phát ra
từ ánh sáng đơn sắc được xếp chồng lên tín hiệu định thiên lớn phát ra từ ánh
sáng trắng định thiên. Trong các trường hợp như vậy, các đại lượng được đánh
giá cần được coi là vi sai và đáp ứng phổ vi sai phụ thuộc bước sóng được xác định cho một cường
độ bức xạ ánh sáng định thiên cụ thể E. Đáp ứng phổ ở điều kiện thử nghiệm tiêu
chuẩn sẽ bằng với
đáp ứng phổ vi sai chỉ khi thiết bị hoàn toàn tuyến tính. Nếu độ không tuyến
tính được xác nhận là không đáng kể, có thể sử dụng đáp ứng phổ vi sai ở mức ánh sáng
định thiên cụ thể. Ví dụ: nếu đáp ứng phổ vi sai hoặc hệ số không phù hợp phổ
thu được không đổi ở các mức ánh sáng định thiên để tạo ra Isc trong khoảng từ 5 % đến 110 % ở các điều
kiện thử nghiệm tiêu chuẩn, thì đáp ứng phổ vi sai ở mức định thiên 100 % của
điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn có thể được sử dụng. Trong tất cả các trường hợp
khác, DSR phải được đo ở một lượng đủ các mức bức xạ định thiên và đáp ứng phổ
thu được có thể được tính toán hoặc cường độ bức xạ ánh sáng định thiên cụ thể
E0 được tính theo công thức
6 Trang thiết bị thử nghiệm
6.1 Yêu cầu chung
Một hệ thống đo đáp ứng phổ bao gồm một nguồn sáng đơn sắc liên tục (bị
cắt hoặc không bị cắt) hoặc xung, một bộ tách chùm tia tùy chọn với một bộ phát
hiện có màn hình, một đế thiết bị có thể giữ thiết bị được thử nghiệm,
một thiết bị chuẩn, một cụm ánh sáng tùy chọn và thiết bị mặt trời.
Nếu một bộ cắt quang được sử dụng (Hình 1 và Hình 2) thì cần phải chú ý
rằng không có ánh sáng định thiên nào được phản xạ của bộ cắt quang tới mặt phẳng
thử nghiệm.
Hình 1a) - Bộ tạo ánh sáng đơn sắc ở trước bộ
băm xung
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Hình 1 - Ví dụ về sơ đồ khối của thiết bị đo
đáp ứng phổ vi sai sử dụng nguồn sáng liên tục và một bộ tạo ánh sáng đơn sắc lưới
Hình 2a) - Bộ lọc ở trước bộ băm xung
Hình 2b) - Bộ băm xung ở trước bộ lọc
Hình 2 - Ví dụ về sơ đồ khối của thiết bị đo
đáp ứng phổ vi sai sử dụng nguồn sáng liên tục và bộ
lọc dải thông
6.2 Nguồn sáng đơn sắc
Ánh sáng đơn sắc thường được tạo ra bởi một nguồn sáng và bộ tạo ánh
sáng đơn sắc (ví dụ: lưới chọn sóng) hoặc bánh lọc với các bộ lọc băng thông.
Băng thông (toàn độ rộng ở nửa cực đại, FWHM) của ánh sáng đơn sắc không được
vượt quá 20 nm đối với các phép đo đáp ứng phổ trong phạm vi từ 300 nm đến 1
200 nm. Trong phạm vi lên tới 3 000 nm, băng thông không được vượt quá 50 nm.
Băng thông của ánh sáng đơn sắc nên được chọn theo cấu trúc mịn về sự
biến thiên trong đáp ứng phổ của thiết bị cần thử nghiệm. Thông thường, băng
thông (FWHM) 10 nm - 15 nm được chọn cho các tế bào tinh thể silic hoặc tế bào PV màng mỏng.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
CHÚ THÍCH: Điều này tương tự với định nghĩa của bộ mô phỏng cấp A trong
TCVN 12678-9 (IEC 60904-9).
6.3 Giá đỡ thiết bị PV và bộ điều khiển nhiệt
độ
Giá đỡ thiết bị PV cần có khả năng thực hiện các kết nối điện
với thiết bị cần thử nghiệm với độ dẫn điện tốt và kiểm soát nhiệt độ của thiết
bị cần thử nghiệm và thiết bị chuẩn. Nhiệt độ của thiết bị chuẩn và thiết bị cần
thử nghiệm phải được đo hoặc kiểm soát với độ chính xác là ± 1 °C với độ lặp lại
là ± 0,5 °C. Độ đồng đều về nhiệt độ của thiết bị chuẩn và thiết bị cần thử
nghiệm phải nằm trong phạm vi ± 2 °C. Nếu nhiệt độ của thiết bị chuẩn chênh lệch
quá 2 °C so với nhiệt độ mà nó được hiệu chuẩn thì phải điều chỉnh giá trị hiệu
chuẩn theo nhiệt độ đo được.
CHÚ THÍCH: Sự chênh lệch về nhiệt độ của thiết bị chuẩn giữa việc hiệu
chuẩn và việc sử dụng nó để đo thường sẽ có ảnh hưởng lớn nhất gần đường biên
vùng của thiết bị chuẩn.
6.4 Các tiếp điểm của thiết bị PV
Nên sử dụng kết nối bốn điểm (các tiếp điểm Kelvin, tức là các tiếp điểm
riêng biệt cho dòng điện và điện áp) cho thiết bị cần thử nghiệm để đo điện áp
tế bào trong quá trình đo đáp ứng phổ. Thiết bị phải được thiết kế sao cho các
tiếp điểm không cản trở việc kiểm soát nhiệt độ của thiết bị thử nghiệm, đặc biệt
là trong trường hợp các tế bào có tất cả các tiếp điểm ở mặt sau.
CHÚ THÍCH: Nếu thiết bị được thử nghiệm có điện trở sun thấp, việc
đo chính xác điện áp tế bào là rất quan trọng.
6.5 Ánh sáng định thiên
Đối với hầu hết các thiết bị PV, việc sử dụng bóng đèn dây tóc hoặc dãy
đèn là đủ để phát ra ánh sáng định thiên bức xạ không đổi. Ánh sáng định thiên
sẽ chiếu sáng toàn bộ khu vực của thiết bị thử nghiệm. Độ không đồng đều về
không gian (trong TCVN 12678-9 (IEC 60904-9)) của ánh sáng định thiên được đặt
trong mặt phẳng thử nghiệm phải nhỏ hơn 10 %, tương ứng với cấp C. Có thể sử dụng
phương pháp quét được mô tả trong Điều 5.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
a) Điện áp và dòng điện phải được đo với độ chính xác ± 0,2 % điện áp hở mạch
hoặc dòng điện ngắn mạch. Điện áp và dòng điện phải được đo bằng cách sử dụng
các dây dẫn từ các đầu nối của mẫu (bốn (4) dây), giữ chúng càng ngắn càng tốt.
Nếu thiết bị thử nghiệm là một tế bào trần, đấu nối 4 dây cần bắt đầu tại các
thanh dẫn.
Phương pháp đấu nối đối với các tế bào cần được đánh giá cẩn thận, vì
nó có thể thay đổi điều kiện ngắn mạch của tế bào do tổn hao điện trở. Do hiệu ứng
này, sự khác biệt về đáp ứng phổ có thể xảy ra.
b) Dòng điện ngắn mạch được tạo ra bởi ánh sáng định thiên cần được đo ở
điện áp bằng không. Thông thường, có thể sử dụng các bộ chuyển đổi dòng
điện sang điện áp (bộ khuếch đại trở kháng truyền). Một cách khác, có thể sử dụng
một điện trở sun bên ngoài cùng với một nguồn thiên áp biến thiên để bù điện
áp rơi trên nó. Thiên áp biến thiên có thể được bỏ qua nếu điện áp rơi trên thiết
bị thử nghiệm nhỏ hơn 3 % VOC của nó.
CHÚ THÍCH: Đối với tế bào PV tinh thể silic, điều này tương ứng với
thiên áp dưới 20 mV.
6.7 Phép đo điện xoay chiều trong ánh sáng định
thiên
Nếu đáp ứng phổ được đo bằng ánh sáng đơn sắc dạng xung băm ngoài ánh
sáng định thiên, dòng điện xoay chiều đơn sắc phát ra phải được tách ra khỏi
dòng điện trạng thái ổn định được tạo ra bởi ánh sáng định thiên bằng cách sử dụng
bộ khuếch đại khóa tần hoặc thiết bị tương đương. Như nêu trên, bộ chuyển đổi
dòng điện sang điện áp hoặc điện trở sun bên ngoài cần được chọn sao cho điện
áp trên thiết bị thử nghiệm nhỏ hơn 3 % điện áp mạch hở. Phải
cẩn thận để đảm bảo rằng thiết bị đo hoặc bộ khuếch đại không bị bão hòa bởi
dòng điện một chiều được tạo ra bởi ánh sáng định thiên. Tần số băm phải được
nêu trong báo cáo thử nghiệm.
Nên chọn tần số băm sao cho thời gian chu kỳ dài hơn hằng số thời gian
của thiết bị thử nghiệm. Hơn nữa, tần số băm phải được chọn sao cho không trùng
với tần số nguồn hoặc các hài của nó.
Đặt điện áp trên tế bào đến giá trị mong muốn (0 V đối với các điều kiện
ngắn mạch hoặc điện áp mong muốn).
6.8 Thiết bị chuẩn
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
CHÚ THÍCH: Máy dò nhiệt nói chung có thể không phù hợp vì chúng
có hằng số thời gian dài hơn thời gian chu kỳ của ánh sáng dạng xung băm.
Trong trường hợp có nhiều hơn một thiết bị chuẩn được sử dụng để
mở rộng dải bước sóng của hệ thống đo, cần đặc biệt cẩn thận để tránh các vật
trong vùng bước sóng xếp chồng của các thiết bị chuẩn.
7 Đo đáp ứng phổ sử dụng nguồn ánh sáng không đổi
7.1 Phương pháp chung với bộ đơn sắc lưới chọn
sóng hoặc bánh lọc
Nếu nguồn sáng ổn định theo thời gian, bước đầu tiên, thiết bị chuẩn được
đo ở tất cả các bước sóng đang xem xét. Bước thứ hai, nó được thay thế bằng thiết
bị PV cần thử nghiệm.
Nếu sự phân bố không gian của ánh sáng là đồng nhất, thiết bị chuẩn và
thiết bị PV có thể được lắp cạnh nhau và có thể được đo đồng thời. Các quy định
khác của 7.2 và 7.3 vẫn được áp dụng trong trường hợp này.
CHÚ THÍCH: Tương tự đối với bố trí tách chùm tia
tạo ra hai vùng được chiếu sáng đồng nhất (xem 6.2).
7.2 Phép đo của thiết bị chuẩn dùng cho việc
hiệu chuẩn lắp đặt
7.2.1 Lắp thiết bị chuẩn vào hệ thống đo đáp ứng phổ.
Đấu nối thiết bị chuẩn với các thiết bị đo. Đặt thiên áp của thiết bị chuẩn đến
các điều kiện được sử dụng khi hiệu chuẩn thiết bị.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
7.2.3 Đặt
chùm sáng đơn sắc có kích thước phù hợp cho cả phép đo của thiết bị chuẩn và
thiết bị cần thử nghiệm.
Điều quan trọng là chiếu sáng hiệu quả toàn bộ diện tích của thiết bị,
vì ánh sáng không chiếu trực tiếp vào diện tích hoạt động cũng có thể góp phần
vào tín hiệu đo được. Nếu đáp ứng phổ được sử dụng để tính toán hiệu chỉnh sự
không phù hợp phổ theo TCVN 12678-7 (IEC 60904-7) thì diện tích được chiếu sáng
trong quá trình đo đáp ứng phổ phải giống hệt như trong quá trình đo các đặc
tính dòng điện-điện áp. Thường là toàn bộ diện tích của thiết bị. Nếu không, việc
này nên được định ranh giới thích hợp bằng một góc mở.
Trong trường hợp diện tích của thiết bị lớn hơn kích thước chùm tia
tương ứng, thì phần sau phải được quét một cách thích hợp trên toàn bộ diện
tích của thiết bị để cung cấp ánh sáng đồng đều. Nếu cả hai chùm tia được quét,
quá trình quét phải đồng bộ với ánh sáng định thiên luôn chiếu sáng một điểm lớn
hơn ánh sáng đơn sắc.
Phải đặc biệt cẩn thận nếu thiết bị cần thử nghiệm có kích thước khác
so với thiết bị chuẩn. Trong trường hợp này, thiết bị nhỏ hơn nên ánh xạ diện
tích của thiết bị lớn hơn, (đặc biệt là nếu chùm sáng không đồng đều trong bức
xạ) bằng cách đo nó tại một số vị trí. Độ không đồng nhất về không gian của ánh
sáng đơn sắc phải được xem xét một cách rõ ràng trong việc xác định độ không đảm
bảo đo cuối cùng.
7.2.4 Ánh sáng định thiên cảm ứng dòng điện một chiều
Iref,DC của thiết bị chuẩn phải có cùng giá trị như trong quá trình hiệu chuẩn
của thiết bị (thường là ánh sáng định thiên thấp đối với tế bào mặt trời chuẩn
và không có ánh sáng định thiên cho các điốt quang chuẩn).
7.2.5 Đo
đầu ra Iref (λ/Iref,DC) của thiết bị chuẩn là hàm của bước sóng dưới
ánh sáng đơn sắc. Để tính toán cường độ bức xạ của ánh sáng đơn sắc, sử dụng
đáp ứng phổ vi sai của thiết bị chuẩn ở mức dòng điện định thiên Iref,DC như được đặt trong 7.2.4.
Trong trường hợp đo đồng thời dưới chùm sáng đồng nhất, phép đo của thiết
bị chuẩn sẽ được thực hiện cùng với phép đo của thiết bị cần thử nghiệm ở
7.3.3. Nên lặp lại các phép đo với các vị trí của thiết bị chuẩn và thiết bị cần
thử nghiệm đảo nhau và lấy trung bình một cách thích hợp các kết quả. Trong mọi
trường hợp, sự không đồng nhất về không gian của ánh sáng đơn sắc phải được xem
xét một cách rõ ràng trong việc xác định độ không đảm bảo đo cuối cùng.
7.3 Phép đo của thiết bị cần thử nghiệm
7.3.1 Lắp
thiết bị cần thử nghiệm vào hệ thống đo đáp ứng phổ. Kết nối thiết bị cần thử
nghiệm với các thiết bị đo. Đặt thiên áp sao cho điện áp qua thiết bị cần thử
nghiệm tương ứng với các điều kiện ngắn mạch hoặc với điện áp cụ thể được yêu cầu.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Nếu điều này là không thể đối với cấu trúc tế bào đảo ngược hoặc thiết
bị có diện tích lớn, sai lệch nhiệt độ cần được ghi trong báo cáo thử nghiệm.
7.3.3 Đo
đầu ra phụ thuộc bước sóng hoàn chỉnh I (λ/Ibias(E)) dưới ít nhất 5 giá trị cường độ bức xạ ánh
sáng định thiên khác nhau E tạo ra trong ánh sáng định thiên phát ra dòng điện
ngắn mạch Ibias(E) dao động từ 5 % và 110 % dòng điện ngắn mạch của
thiết bị trong điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn. Thông thường I
(λ/Ibias(E)) được đo bằng bộ khuếch đại khỏa tần và Ibias(E) được đo bằng đồng hồ đa năng ở chế độ một
chiều.
Nếu sử dụng phương pháp quét như mô tả ở Điều 5, dòng điện ngắn mạch cần
được lấy trung bình dọc theo đường quét.
7.3.4 Hiệu chỉnh thích hợp cho các dao động của cường
độ bức xạ ánh sáng phải được áp dụng nếu sử dụng bộ phát hiện hiển thị. Nếu
không sử dụng bộ phát hiện hiển thị, thì kiểm tra độ ổn định của ánh sáng đối với
tất cả các bước sóng theo thời gian của cả hai phép đo của thiết bị chuẩn và
thiết bị cần thử nghiệm và bao gồm sự thay đổi của nó trong phân tích
độ không đảm bảo đo.
7.4 Tính toán đáp ứng phổ
7.4.1 Xác
định đáp ứng phổ vi sai s((λ/Ibias(E)) cho từng chế độ đặt của bước sóng và ánh sáng
định thiên:
Trong đó là đáp ứng
phổ vi sai cho trước của thiết bị chuẩn.
7.4.2 Tính
toán đáp ứng phổ vi sai cho từng chế độ đặt của ánh sáng định thiên
bằng cách lấy tích phân trên toàn bộ các bước sóng:
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Trong đó EAM1,5G(λ) là phân bố phổ bức xạ chuẩn được xác định theo TCVN 12678-3 (IEC
60901-3).
CHÚ THÍCH: Cường độ bức xạ không được biết trong quá trình đo.
Nhưng cường độ bức xạ hiệu dụng AM1,5G có thể tính toán sau
đó: .
7.4.3 Tính
toán đáp ứng s(ISTC) của thiết bị trong điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn
là:
Trong đó ISTC được xác định bằng cách đánh giá tích phân trong mẫu
số cho đến khi nó bằng 1 000 W·m2.
Sử dụng đáp ứng vi sai ở mức định thiên thấp nhất đối với phép ngoại
suy đến Ibias = 0. Mức định thiên thấp nhất xấp xỉ 50 W/m2.
7.4.4 Sau đó tính toán đáp ứng phổ s(λ/ISTC)
của thiết bị trong điều kiện thử nghiệm:
Đáp ứng phổ có thể được sử dụng để tính toán hệ số không phù hợp phổ.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
7.5 Đơn giản hóa
7.5.1 Nếu
các phép đo được mô tả ở 7.3 không thể thực hiện được ở tất cả các cường độ bức
xạ ánh sáng định thiên và ở tất cả các bước sóng thì xác định cường độ bức
xạ ánh sáng định thiên E0 tại đó đáp ứng phổ vi sai bằng với đáp ứng phổ của
thiết bị cần thử nghiệm theo quy trình dưới đây. Đo đáp ứng phổ vi sai s(λj/Ibias(E)
với độ rộng bước sóng 200 nm (nghĩa là đối với tinh thể silic ở 3 đến 5 bước
sóng khác nhau λj) hoặc ít nhất là tại một bước sóng gần với độ
đáp ứng phổ tối đa ở 3 đến 5 cường độ bức xạ ánh sáng định thiên khác nhau E.
Cường độ bức xạ ánh sáng định thiên phải cho kết quả dòng điện định thiên thiên
dao động trong khoảng từ 5 % đến xấp xỉ 110 % của xấp xỉ ISTC,approx, của thiết bị
cần thử nghiệm. Tính toán đáp ứng và mức ánh sáng định thiên E0
tại đó đáp ứng vi sai đo được s(Ibias) bằng với đáp ứng phổ đã tính s (ISTC,approx) theo các công thức ở 7.4. Thực hiện phép đo đáp ứng
phổ vi sai tại cường độ bức xạ ánh sáng định thiên này.
CHÚ THÍCH: ISTC,approx xấp xỉ có thể được đo bằng bộ mô phỏng mặt trời
mà không cần hiệu chỉnh quang phổ.
7.5.2 Nếu
các phép đo được mô tả ở 7.5.1 không thể thực hiện được thì xác định cường độ bức
xạ ánh sáng định thiên E0 tại đó đáp ứng phổ vi sai bằng với đáp ứng ứng
phổ của thiết bị cần thử nghiệm theo quy trình dưới đây với ánh sáng trắng thay
vì ánh sáng đơn sắc. Đo đáp ứng ánh sáng trắng vi sai s(Ibias(E))
ở 3 đến 5 cường độ bức xạ ánh sáng định thiên khác nhau E. Cường độ bức xạ ánh
sáng định thiên này sẽ dẫn đến dòng điện định thiên Ibias dao động trong khoảng xấp xỉ 5 % đến xấp xỉ 110 %
ISTCapprox của thiết bị cần thử nghiệm. Tính toán đáp ứng theo:
Nhận dạng mức ánh sáng định thiên E0 tại đó đáp ứng
ánh sáng trắng vi sai đo được s(Ibias) bằng với đáp ứng ánh sáng trắng đã tính S(ISTC,approx). Thực hiện
phép đo đáp ứng phổ vi sai tại cường độ bức xạ ánh sáng định thiên này.
Đối với đáp ứng ánh sáng trắng, nên sử dụng ánh sáng trắng có sự phù hợp
phổ ít nhất là cấp B (như được xác định trong TCVN 12678-9 (IEC 60904-9)) đối với
phân bố phổ bức xạ mặt trời chuẩn như được xác định trong TCVN 12678-3 (IEC
60904-3).
7.5.3 Nếu
không thể sử dụng các phương pháp như mô tả ở trên thì sử dụng mức ánh sáng định
thiên tạo ra dòng điện ngắn mạch từ 30 % ISTC,approx đến 40 % ISTC,approx. Đáp ứng
phổ vi sai được đo được giả thiết bằng với đáp ứng phổ ở các điều kiện thử nghiệm
tiêu chuẩn.
7.5.4 Nếu
không thể thực hiện được thì sử dụng ánh sáng định thiên để cung cấp tối thiểu
10 % ISC và kiểm tra xác nhận rằng dòng điện phát ra đơn sắc trong thiết bị cần
thử nghiệm là hàm của bước sóng không thay đổi quá 2 % nếu cường độ bức xạ ánh
sáng định thiên (a) giảm 50 % và (b) tăng 50 %. Nếu thay đổi nhiều hơn thì cần
đưa vào báo cáo hai phép đo bổ sung.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
8.1 Trang thiết bị bổ sung
a) Một nguồn sáng xung, ví dụ: một đèn flash Xenon kết hợp với các bộ lọc
nhiễu.
b) Đối với các bố trí thực nghiệm trong đó các số đọc của thiết bị cần
thử nghiệm và thiết bị chuẩn được lấy đồng thời thì không cần màn hình.
c) Thu thập dữ liệu đủ nhanh để đo hình dạng toàn xung của tín hiệu đầu
ra từ thiết bị chuẩn, thiết bị cần thử nghiệm và màn hình (nếu có) là cần thiết
để đo đáp ứng phổ sử dụng ánh sáng đơn sắc xung.
8.2 Quy trình thử nghiệm
Một ví dụ về sự bố trí thử nghiệm cho hệ thống đo đáp ứng phổ mặt trời
dạng xung được thể hiện trên Hình 3.
Hình 3 - Ví dụ về sơ đồ khối của thiết bị đo
đáp ứng phổ sử dụng nguồn sáng dạng xung và
bộ lọc băng thông
Ngoài sự thay đổi của nguồn sáng và hệ thống thu thập dữ liệu, phương
pháp đo vẫn được duy trì như được nêu trong 7.2 và 7.3, ngoại trừ việc ánh sáng
định thiên bổ sung là không bắt buộc đối với phương pháp này.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
9 Phép đo các môđun nối tiếp
9.1 Quy định chung
Khi cần đo đáp ứng phổ của một tế bào thành phần trong môđun PV nối tiếp,
có thể sử dụng quy trình dưới đây. Tế bào trong môđun cần đo dưới đây được gọi là tế
bào mục tiêu.
9.2 Trang thiết bị bổ sung
Một nguồn ánh sáng định thiên bổ sung chiếu sáng toàn bộ điện tích của
môđun hoặc một trong các chuỗi của môđun được phân chia bởi một điốt rẽ nhánh.
9.3 Quy trình thử nghiệm
9.3.1 Lắp môđun vào hệ thống đo đáp ứng phổ. Kết nối
môđun với các thiết bị đo.
9.3.2 Trong
quá trình đo, các tế bào mục tiêu phải được duy trì ở 25 °C
(hoặc nhiệt độ khác) với độ chính xác ± 1 °C và độ lặp lại ± 0,5 °C. Các phần
khác của môđun phải được duy trì ở trạng thái cân bằng nhiệt với độ chính xác ±
1 °C với độ lặp lại ± 0,5 °C.
9.3.3 Đặt
ánh sáng định thiên bổ sung cho tất cả các tế bào trong môđun và đo đường cong I-V I1(V)
của môđun. Sau đó, che tế bào mục tiêu khỏi ánh sáng định thiên bổ sung và đặt
ánh sáng định thiên trắng cho tế bào mục tiêu. Nên chọn cường độ bức xạ của ánh
sáng định thiên trắng và ánh sáng định thiên bổ sung để dòng điện đầu ra của
môđun bị giới hạn bởi dòng quang điện của tế bào mục tiêu (Hình 4),
tức là ánh sáng định thiên trắng cộng với ánh sáng đơn sắc bổ sung tạo ra dòng
quang điện ít hơn trong tế bào mục tiêu so với tế bào kém nhất trong chuỗi
hoặc môđun còn lại tạo ra trong định thiên ánh sáng đặt vào. Nếu mạch của môđun
được chia thành các chuỗi theo điốt rẽ nhánh, các tế bào trong (các) chuỗi
không có tế bào mục tiêu có thể được che thay vì đặt ánh sáng định thiên bổ
sung (Hình 5). Đo đường cong I-V I2(V) của môđun (Hình 6). Vùng điện áp thấp được
hiển thị bởi đường đứt nét trong Hình 6, không cần phải đo, bởi vì chỉ I2(V)
xung quanh điểm B trong hình là cần thiết trong quy trình dưới đây.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Đo vùng điện áp thấp của I2(V), được hiển thị bằng đường đứt nét trên Hình 5, đặt điện áp âm cao
lên tế bào mục tiêu vì dòng điện đầu ra của môđun bị giới hạn bởi tế bào mục
tiêu. Cần cẩn thận khi đặt điện áp âm cao vì tính năng của
tế bào mục tiêu làm bằng một số vật liệu có thể bị hỏng vĩnh viễn.
Hình 4 - Ví dụ về bố trí đo dùng cho phép đo
đáp ứng phổ vi sai của tế bào mục tiêu trong môđun PV, trong đó ánh sáng định
thiên bổ sung được đặt lên tất cả các tế bào trong môđun không phải là tế bào mục tiêu
Hình 5 - Ví dụ về bố trí đo dùng cho phép đo
đáp ứng phổ vi sai của tế bào mục tiêu trong môđun PV, trong đó ánh sáng định
thiên bổ sung được đặt lên tất cả các tế bào trong chuỗi của môđun không phải là tế bào mục tiêu
Hình 6 - Xác định thiên áp Vb để đặt
điện áp trên tế bào mục đến điều kiện ngắn mạch (xem 9.3)
9.3.4 Để
đặt điện áp trên tế bào mục tiêu đến điều kiện ngắn mạch (thiên áp bằng không),
đặt thiên áp Vb được xác định như dưới đây. Đầu tiên, tính tổng đường
cong I-V I3(V) của các tế bào không phải là tế bào mục tiêu dưới ánh sáng định
thiên bổ sung bằng cách nhân I1(V)
với (n-1)/n theo điện áp theo công thức (8).
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
9.3.5 Đo
dòng điện của thiết bị cần thử nghiệm và bộ theo dõi ánh sáng (nếu
thích hợp) là hàm của bước sóng.
9.4 Tính toán đáp ứng phổ
Xác định đáp ứng phổ theo Điều 7.
10 Báo cáo thử nghiệm
Sau khi hoàn thành quy trình, một báo cáo được chứng nhận về các phép
đo đáp ứng phổ phải được tổ chức thử nghiệm chuẩn bị theo TCVN ISO/IEC 17025. Từng
chứng chỉ hoặc báo cáo thử nghiệm phải có các thông tin sau:
a) Tiêu đề;
b) Tên và địa chỉ của phòng thử nghiệm và địa điểm thực hiện các thử
nghiệm hoặc hiệu chuẩn;
c) Nhận dạng duy nhất của báo cáo và của mỗi trang;
d) Tên và địa chỉ của khách hàng, nếu thích hợp;
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
f) Đặc tính và điều kiện của việc hiệu chuẩn hoặc vật phẩm thử nghiệm;
g) Ngày nhận vật phẩm thử nghiệm và (các) ngày hiệu chuẩn hoặc thử nghiệm,
nếu thích hợp;
h) Nhận dạng phương pháp hiệu chuẩn hoặc phương pháp thử nghiệm được sử
dụng;
i) Nhận dạng thiết bị chuẩn được sử dụng trong hiệu chuẩn;
j) Tham chiếu đến quy trình lấy mẫu, nếu liên quan;
k) Mọi sai khác do thêm vào hoặc bớt đi khỏi phương pháp hiệu chuẩn hoặc
phương pháp thử nghiệm và bất kỳ thông tin nào khác liên quan đến hiệu chuẩn hoặc
thử nghiệm cụ thể, như điều kiện môi trường;
l) Kiểu nguồn sáng đơn sắc và độ rộng băng thông (FWHM)
m) Mức ánh sáng định thiên và điện áp của thiết bị thử nghiệm;
n) Nhiệt độ và độ lệch nhiệt độ của thiết bị thử nghiệm;
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
p) Mức ánh sáng đơn sắc hoặc dòng điện được tạo ra trong thiết bị thử
nghiệm bằng ánh sáng đơn sắc;
q) Diện tích của thiết bị cần thử nghiệm, nếu có liên quan;
r) Tần số băm của ánh sáng đơn sắc (nếu có);
s) Các phép đo, kiểm tra và kết quả thu được của đáp ứng phổ là hàm của
bước sóng;
t) Tuyên bố về độ không đảm bảo ước tính của các kết quả thử nghiệm hoặc
hiệu chuẩn (nếu có liên quan);
u) Chữ ký và chức vụ, hoặc nhận dạng tương đương của (những) người nhận
trách nhiệm đối với nội dung của báo cáo thử nghiệm và ngày cấp
v) Khi có liên quan, tuyên bố rằng kết quả chỉ liên quan đến mẫu thử
nghiệm hoặc hiệu chuẩn;
w) Tuyên bố rằng không được sao chép lại báo cáo thử nghiệm này nếu
không có sự phê chuẩn bằng văn bản của phòng thử nghiệm, ngoại trừ sao chép
toàn bộ.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Lời nói đầu
1 Phạm vi áp dụng
2 Tài liệu viện dẫn
3 Ghi nhãn
4 Thử nghiệm
5 Mô tả chung phép đo đáp ứng phổ
6 Trang thiết bị thử nghiệm
7 Đo đáp ứng phổ sử dụng nguồn ánh sáng không đổi
8 Đo đáp ứng phổ dưới ánh sáng xung
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
10 Báo cáo thử nghiệm