3.1.2
Độ dài chùm tia (beam
length)
Kích thước của vùng chiếu
xạ dọc theo hướng chuyển động của sản phẩm, tại một khoảng cách nhất định từ cửa
sổ máy gia tốc.
CHÚ
THÍCH: Chiều dài chùm tia vuông góc với độ rộng chùm và trục chùm tia điện tử.
Trong trường hợp sản phẩm đứng yên trong quá trình chiếu xạ, 'chiều dài chùm
tia' và 'chiều rộng chùm tia' có thể hoán đổi cho nhau.
3.1.3
Độ rộng chùm tia (beam
width)
Kích thước của vùng chiếu
xạ vuông góc với hướng chuyển động của sản phẩm, tại một khoảng cách nhất định từ cửa
sổ máy gia tốc.
Giải thích
Xem minh họa hình ảnh tại ISO/ASTM 51649. Thuật ngữ này thường
áp dụng cho chiếu xạ chùm tia điện tử.
3.1.4
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Bức xạ điện từ phổ rộng
phát ra khi một hạt tích điện mang năng lượng bị tác động bởi
một điện trường hoặc từ trường mạnh, như trường trong vùng lân cận của một hạt
nhân nguyên tử.
Giải thích
Trong xử lý bức xạ, các photon bức xạ hãm có năng lượng đủ để gây ra ion hóa
được tạo ra bởi sự giảm tốc hoặc lệch hướng của điện tử mang năng lượng trong vật
liệu bia. Khi một điện tử đi gần qua một hạt nhân nguyên tử, trường culông mạnh
sẽ làm cho điện tử đi lệch khỏi hướng chuyển động ban đầu của nó. Tương tác này
dẫn đến việc mất động năng do phát xạ bức xạ điện từ. Các tương tác như vậy
không thể kiểm soát được và chúng tạo ra phân bố năng lượng photon liên
tục trải dài đến động năng cực đại của điện tử tới. Phổ năng lượng bức xạ hãm
phụ thuộc vào năng lượng điện tử, thành phần và độ dày của bia
tia X và hướng phát xạ của góc photon phát xạ ứng với điện tử tới.
3.1.5
Trạng thái cân bằng hạt tích
điện (charged-particle equilibrium) (được xem
là trạng thái cân bằng điện tử trong trường hợp các điện tử sinh ra do chiếu xạ
một vật liệu bằng chùm photon)
Điều kiện trong đó động
năng của các hạt tích điện (hoặc các điện từ), không bao gồm khối lượng nghỉ,
đi vào một thể tích rất nhỏ của vật liệu bị chiếu xạ bằng với động năng của các
hạt tích điện (hoặc các điện tử) thoát ra từ nó.
3.1.6
Tỷ số đồng nhất liều (dose
uniformity ratio)
Tỉ
số của liều hấp thụ lớn nhất trên liều hấp thụ nhỏ nhất trong sản phẩm bị chiếu
xạ.
Giải thích
Khái niệm này còn được gọi là tỉ số liều max/min.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Liều kế
(dosimeter)
Vật dụng khi bị chiếu xạ sẽ
chỉ thị sự thay đổi có thể định lượng liên quan đến liều hấp thụ trong vật liệu
cho trước bằng các dụng cụ đo và quy trình đo thích hợp.
3.1.8
Đáp ứng liều kế (dosimeter
response)
Hiệu ứng có thể định lượng
và tái lập được tạo ra trong liều kế bởi bức xạ ion hoá.
3.1.9
Hệ đo liều (dosimetry
system)
Hệ thống được sử dụng để
đo liều hấp thụ, bao gồm liều kế, dụng cụ đo và các chuẩn quy chiếu liên quan của
chúng và các quy trình sử dụng hệ.
3.1.10
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Động năng của một điện tử.
Giải thích
Đơn vị thường sử dụng là electronvôn (eV), kiloelectronvôn (keV), hoặc
megaelectronvôn (MeV). 1 eV là động năng thu được bởi một điện tử gia tốc qua một
hiệu điện thế 1 V. 1 eV bằng năng lượng 1,602.10-19
jun.
3.1.11
Phổ năng lượng điện tử (electron
energy spectrum)
Phân bố thông lượng hạt của
các hạt điện tử như là một hàm của năng lượng.
3.1.12
Chứng nhận chất lượng lắp
đặt (IQ) (installation qualification)
Quá trình thu thập và lập
hồ sơ chứng tỏ rằng thiết bị đã được cung cấp và lắp đặt phù hợp với các yêu cầu
kỹ thuật của nó.
3.1.13
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Cơ cấu dùng để đặt sản phẩm
vào trong quá trình chiếu xạ.
Giải thích
"Thùng chiếu xạ" thường được gọi đơn giản là "Thùng" và có
thể là thùng chuyên chở, xe đẩy, khay đựng, thùng cactông đựng hàng, pallet, thùng
đựng hàng hoặc vật chứa khác.
3.1.14
Hệ thống quản lý đo (measurement
management system)
Tập hợp các yếu tố có liên
quan lẫn nhau hoặc tác động lẫn nhau để đạt được sự khẳng định về đo lường và
kiểm soát liên tục của các quá trình đo.
3.1.15
Chứng nhận chất lượng vận
hành (OQ) (operational qualification)
Quá trình thu thập và lập
hồ sơ chứng tỏ thiết bị đã được lắp đặt hoạt động trong giới hạn đã định trước
khi được sử dụng theo đúng các quy trình vận hành của nó.
3.1.16
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Quá trình thu thập và lập
hồ sơ chứng tỏ thiết bị lắp đặt và vận hành theo đúng các quy trình vận hành
luôn bảo đảm tính năng làm việc phù hợp với các tiêu chuẩn đã được xác định trước
và tạo ra sản phẩm đáp ứng với yêu cầu kỹ thuật của nó.
3.1.17
Khối xử lý (process
load)
Khối vật liệu với một cấu
hình tải quy định được chiếu xạ như một thực thể duy nhất.
3.1.18
Nhóm xử lý (processing
category)
Nhóm của sản phẩm khác
nhau có thể được xử lý cùng nhau.
Giải thích
Ví dụ, nhóm xử lý có thể dựa theo thành phần, mật độ hoặc yêu cầu về liều.
3.1.19
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Vật liệu đồng nhất có đặc
tính hấp thụ và tán xạ đã biết được sử dụng để xác định các đặc tính của quá
trình chiếu xạ, như độ đồng nhất của việc quét, phân bố liều theo chiều sâu,
suất thông lượng và khả năng tái lập liều đưa vào.
3.1.20
Sản phẩm mô phỏng (simulated
product)
Vật liệu với đặc tính tán
xạ và làm suy giảm bức xạ tương tự như các đặc tính của sản phẩm, vật liệu hoặc
chất được chiếu xạ.
Giải thích
Sản phẩm mô phỏng được sử dụng trong quá trình mô tả đặc tính của thiết bị chiếu
xạ như một vật thay thế cho sản phẩm, vật liệu hoặc chất được chiếu xạ thực tế.
Khi được sử dụng trong các đợt sản xuất thường xuyên để bù đắp cho sự không có
mặt của sản phẩm, sản phẩm mô phỏng đôi khi được xem như tải giả bù trừ. Khi được
sử dụng để lập bản đồ liều hấp thụ, sản phẩm mô phỏng đôi khi được xem là vật
liệu phantom.
1.3.2 Định
nghĩa các thuật ngữ riêng cho tiêu chuẩn này
3.2.1
Bức xạ tia X
(X-radiation)
Bức xạ điện từ ion hóa,
bao gồm cả bức xạ hãm và bức xạ đặc trưng phát ra khi các điện tử nguyên tử
chuyển tiếp sang các trạng thái liên kết bền chặt. Xem bức xạ hãm.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
3.2.2
Tia X (X-ray)
Là hoặc liên quan đến bức
xạ tia X.
Giải thích
Tia X được sử dụng như một tính từ khi bức xạ tia X được sử dụng như một danh từ.
3.2.3
Bộ chuyển đổi tia X (X-ray
target)
Thiết bị để tạo ra bức xạ
tia X (bức xạ hãm) từ một chùm tia điện tử, bao gồm bia, biện pháp làm mát bia
và cơ cấu hỗ trợ.
3.2.4
Bia tia X (X-ray
target)
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Giải thích
Bia tia X thường được làm bằng kim loại có số nguyên tử cao (như tantali), nhiệt
độ nóng chảy cao và tính dẫn nhiệt cao.
3.3 Các
định nghĩa khác sử dụng trong tiêu chuẩn này liên quan đến đo bức xạ và đo liều
bức xạ có thể tham khảo trong ASTM E170. Các định nghĩa trong ASTM E170 tương
thích với ICRU Report 85a và có thể được sử dụng làm tài liệu tham
khảo thay thế.
4 Ý nghĩa và sử dụng
4.1 Nhiều
loại sản phẩm và vật liệu được chiếu xạ bằng bức xạ tia X để thay đổi các đặc
tính của chúng và cải thiện giá trị kinh tế hoặc để giảm quần thể vi sinh vật của
chúng cho các mục đích liên quan đến sức khoẻ. Các yêu cầu về liều lượng có thể
khác nhau tùy thuộc vào loại và mục đích sử dụng của sản phẩm. Một số ví dụ về
các ứng dụng chiếu xạ mà việc đo liều lượng cần sử dụng là:
4.1.1 Tiệt
khuẩn các sản phẩm y tế;
4.1.2 Xử
lý thực phẩm nhằm mục đích kiểm soát ký sinh trùng và mầm gây bệnh, diệt côn
trùng và kéo dài thời hạn sử dụng;
4.1.3 Khử
khuẩn các sản phẩm tiêu dùng;
4.1.4 Liên
kết ngang hoặc phân hủy polyme và chất dẻo;
4.1.5 Xử lý vật
liệu composit;
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
4.1.7 Tăng
cường màu sắc trong đá quý và các vật liệu khác;
4.1.8 Thay
đổi đặc tính của thiết bị bán dẫn;
4.1.9 Nghiên
cứu ảnh hưởng chiếu xạ cho vật liệu.
CHÚ THÍCH 3 Đo liều
với khả năng liên kết chuẩn và với độ
không đảm bảo đo được biết được yêu cầu cho các quá trình chiếu xạ được kiểm
soát pháp quy như tiệt khuẩn các sản
phẩm y tế và xử lý thực phẩm. Việc đo liều có thể ít quan trọng hơn đối với
các quá trình công nghiệp khác, ví dụ như đối với biến đổi polyme có thể được
đánh giá bằng sự thay đổi tính chất vật lý của vật liệu được chiếu xạ. Tuy
nhiên, đo liều thường xuyên có thể được sử dụng để giám sát độ tái lập của xử lý bức xạ.
4.2 Thông
số kỹ thuật xử lý bức xạ thường bao gồm một cặp giới hạn liều hấp
thụ: Giá trị tối thiểu để đảm bảo hiệu ứng đem lại lợi ích mong
muốn và giá trị tối đa mà sản phẩm có thể chịu được mà vẫn đáp ứng các yêu cầu
về chức năng hoặc yêu cầu về quản lý pháp quy. Đối với một ứng dụng nhất định,
có thể quy định một hoặc cả hai giá trị này theo yêu cầu kỹ thuật của quy trình
xử lý hoặc theo các quy định pháp luật. Kiến thức về phân bố liều trong vật liệu
chiếu xạ là quan trọng để bảo đảm tuân thủ các yêu
cầu này. Đo liều là yếu tố quan trọng cho xử lý bức xạ vì nó được sử dụng để
xác định cả hai giới hạn này và để xác nhận rằng sản phẩm được chiếu xạ trong các
giới hạn này.
4.3 Một
số thông số quan trọng phải được kiểm soát để có được phân bố liều tái lập
trong quy trình xử lý. Phân bố liều hấp thụ trong sản phẩm phụ thuộc vào kích
thước và khối lượng tổng thể của sản phẩm và điều kiện hình học chiếu xạ. Tốc độ
xử lý và phân bố liều phụ thuộc vào cường độ tia X, phổ năng lượng photon, phân
bố không gian của trường bức xạ và tốc độ băng tải.
4.4 Trước
khi thiết bị chiếu xạ được sử dụng, phải bảo đảm các tiêu chuẩn về IQ, OQ
để xác định hiệu quả của nó trong việc tái lập được các liều hấp thụ có thể kiểm
soát đã biết. Điều này bao gồm việc thử nghiệm thiết bị xử lý, hiệu
chuẩn thiết bị và hệ đo liều và xác định đặc tính độ lớn, phân bố và khả năng
tái lập của liều hấp thụ được đưa ra bởi thiết bị chiếu xạ trong một dải mật độ
sản phẩm.
4.5 Để
đảm bảo việc đưa liều nhất quán trong một quá trình chiếu xạ đã
được xác nhận về chất lượng, việc kiểm soát
thường quy quá trình đòi hỏi phải có các quy trình để đo liều sản
phẩm thường quy và để xử lý sản phẩm trước và sau khi chiếu xạ, cấu hình nạp sản
phẩm nhất quán, kiểm soát và giám sát các thông số quy trình quan trọng và lập
hồ sơ về các hoạt động và chức năng được yêu cầu.
5 Đặc tính nguồn bức
xạ
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
5.2 Các
đặc tính vật lý của trường tia X phụ thuộc vào thiết kế của bộ chuyển đổi tia X
và các thông số của chùm điện tử đập vào bia, gồm phổ năng lượng
điện tử, dòng chùm hạt điện tử trung bình và phân bố dòng chùm tia trên bia.
5.3 Các
khía cạnh này của bức xạ tia X và tính phù hợp của nó
đối với việc xử lý bức xạ được xem xét chi tiết hơn trong Phụ lục A1.
6 Các dạng cơ sở
6.1 Thiết
kế của thiết bị chiếu xạ ảnh hưởng đến phân phối liều hấp thụ trong sản phẩm.
Vì vậy, thiết kế thiết bị chiếu xạ cần được xem xét khi thực hiện các phép đo
liều hấp thụ được mô tả trong các điều từ Điều 9 đến Điều 11.
6.2 Dải
năng lượng chùm điện tử được sử dụng để tạo ra bức xạ tia X được đề cập trong
tiêu chuẩn này từ 50 keV đến 7,5 MeV. Giới hạn
trên được xác định để tránh sinh ra hoạt độ phóng xạ trong bia tantali và/hoặc
sản phẩm (Xem Tài liệu tham khảo [1], [2]).
6.3 Các
bộ phận của thiết bị chiếu xạ: Một thiết bị chiếu xạ
tia X thường bao gồm máy gia tốc điện tử với bộ chuyển đổi tia X, hệ thống băng
chuyền sản phẩm, che chắn bức xạ với hệ thống an toàn cá nhân, các khu chứa và
nạp dỡ hàng, thiết bị phụ trợ để cung cấp điện, làm mát, thông gió... phòng thiết
bị, phòng thí nghiệm để đo liều lượng và kiểm tra sản
phẩm và các văn phòng làm việc cho nhân viên. Thiết kế thiết bị chiếu xạ phải
tuân thủ với các quy định pháp luật và hướng dẫn hiện hành. (Xem Tài liệu tham
khảo [3] đến [7]) để có thông tin về một số cơ sở công nghiệp.
Giải thích: Cấu
hình của bộ chuyển đổi tia X, sự phân bố chùm điện tử trên bia tia X, đặc tính
đâm xuyên của bức xạ và kích thước, hình dạng và mật độ nạp sản phẩm ảnh hưởng
đến tỷ số đồng đều của liều (Xem Tài liệu tham khảo [3], [4], [8] đến [10]).
Trong một số trường hợp, tỷ số đồng đều liều có thể được cải thiện bằng cách sử
dụng các bộ chuẩn trực chùm tia giữa bộ chuyển đổi tia X và sản phẩm[11]
hoặc bằng cách sử dụng một nam châm ở phía trước bộ chuyển đổi tia X để kiểm
soát sự phân kỳ của chùm tia.
6.4 Hệ
thống thao tác với sản phẩm. Kích cỡ khối xử lý cho việc sử dụng
tối ưu năng lượng photon và bảo đảm sự đồng đều liều phụ thuộc vào
năng lượng cực đại của photon và mật độ sản phẩm. Độ rộng của trường tia X
hẹp sẽ tốt hơn cho việc sử dụng với sự chuyển dịch liên tục của các sản phẩm
so với các hệ thống dạng dừng-xoay vòng để cải thiện tính đồng nhất liều.
7 Lựa chọn và hiệu
chuẩn hệ đo liều
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
CHÚ THÍCH 4 Hầu hết các hệ
đo liều phù hợp với bức xạ gamma (như các
thiết bị dùng 60Co) cũng có thể thích hợp cho bức xạ tia X.
7.2 Hệ
đo liều phải được hiệu chuẩn theo TCVN 12019 (ISO/ASTM 51261) và các quy trình của
người sử dụng quy định chi tiết về quy trình hiệu chuẩn và các yêu cầu đảm bảo
chất lượng.
7.3 Hiệu
chuẩn hệ đo liều là một phần của hệ thống quản lý đo.
8 Các thông số xử lý
8.11 Liều
hấp thụ trong một sản phẩm được xác định và kiểm soát bởi một số đặc tính của
thiết bị chiếu xạ cũng như của sản phẩm. Do đó, tất cả các thông số mô tả các
thành phần của thiết bị chiếu xạ, khối xử lý và các điều kiện chiếu xạ có ảnh
hưởng đến liều hấp thụ được gọi là "các thông số xử lý". Do đó, các
thông số này cần được xem xét khi thực hiện các phép đo liều hấp thụ được yêu cầu
trong Điều 10 đến Điều 12.
8.2 Đối
với các cơ sở sử dụng tia X, các thông số xử lý bao gồm:
8.2.1 Các
đặc tính của chùm tia (ví dụ năng lượng chùm điện tử, dòng phát tia, tần số
xung);
8.2.2 Độ
phân tán chùm tia (ví dụ chiều rộng quét, tần số quét, khẩu độ của bộ chuẩn trực
chùm tia, nam châm song song),
8.2.3 Đặc
tính thao tác với sản phẩm (ví dụ tốc độ băng tải),
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
8.2.5 Điều
kiện hình học chiếu xạ (ví dụ đi qua nhiều lần, xoay vòng, sự gối lên nhau của
sản phẩm hoặc nguồn).
8.3 Các
thông số trong 8.2.1, 8.2.2 và 8.2.3 đặc trưng cho thiết bị chiếu xạ không quy
chiếu đến sản phẩm hoặc việc xử lý. Những tập con này của thông số được gọi là
"thông số vận hành".
8.4 Các
quy trình trong chứng nhận chất lượng vận hành (OQ) liên quan đến các thông số
vận hành.
8.5 Mục
tiêu của chứng nhận chất lượng làm việc (PQ) là để xác lập các giá trị của tất
cả các thông số xử lý cho xử lý bức xạ đang được xem xét.
8.6 Trong
quá trình xử lý sản phẩm thường nhật, các thông số vận hành được kiểm soát liên
tục và giám sát để kiểm soát quá trình xử lý.
9 Chất lượng lắp đặt
9.1 Mục
tiêu. Mục đích của một chương trình chứng nhận chất lượng lắp đặt là để
thu thập và lập thành hồ sơ các chứng cứ khẳng định rằng thiết bị chiếu xạ với
thiết bị xử lý và thiết bị đo kèm theo của nó đã được cung cấp và lắp đặt phù hợp
với các yêu cầu kỹ thuật của chúng. Nội dung chất lượng lắp đặt bao gồm tài liệu
của thiết bị chiếu xạ và các thiết bị xử lý, thiết bị đo đi kèm, việc kiểm tra,
các quy trình vận hành và hiệu chuẩn để sử dụng của các thiết bị và kết quả xác
nhận chúng hoạt động theo đúng các thông số kỹ thuật.
9.2 Tài
liệu thiết bị. Bản mô tả thiết bị chiếu xạ và các thiết bị
xử lý và thiết bị đo kèm theo được lắp đặt trong
thiết bị chiếu xạ. Tài liệu này sẽ được lưu giữ trong toàn bộ vòng đời của thiết
bị chiếu xạ. Tối thiểu, tài liệu phải bao gồm:
9.2.1 Mô
tả vị trí của thiết bị chiếu xạ (máy gia tốc) trong cơ sở của người vận hành so
với các khu vực đã được phân định và biện pháp được thiết lập để đảm bảo việc
tách biệt các sản phẩm chưa chiếu xạ khỏi các sản phẩm đã chiếu xạ,
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
9.2.3 Quy
trình vận hành của thiết bị chiếu xạ.
9.2.4 Mô
tả việc xây dựng và vận hành của thiết bị thao tác với sản phẩm,
9.2.5 Mô
tả vật liệu và việc chế tạo của các thùng chiếu xạ dùng để chứa sản phẩm trong
quá trình chiếu xạ.
9.2.6 Mô
tả hệ thống kiểm soát quá trình xử lý.
9.2.7 Mô
tả mọi thay đổi được thực hiện trong và sau khi lắp đặt thiết bị bức xạ.
9.2.8 Mô
tả đặc điểm của bộ chuyển đổi tia X (kích thước, vật liệu và bản chất của việc
chế tạo).
9.3 Các
quy trình kiểm tra, vận hành và hiệu chuẩn. Các quy
trình thao tác chuẩn cho việc kiểm tra, vận hành và hiệu chuẩn (nếu cần) của
thiết bị chiếu xạ đã được lắp đặt và các thiết bị xử lý và
thiết bị đo đi kèm phải được thiết lập.
9.3.1 Quy
trình kiểm tra. Các quy trình này mô tả phương pháp kiểm tra
được sử dụng để đảm bảo rằng thiết bị chiếu xạ đã lắp đặt và các thiết bị xử lý
và thiết bị đo liên quan hoạt động theo đúng các đặc trưng kỹ thuật.
9.3.2 Quy
trình vận hành. Các quy trình này mô tả cách vận hành thiết
bị chiếu xạ và các thiết bị xử lý và thiết bị đo liên quan trong quá trình hoạt
động thông thường.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
9.4 Kiểm
tra thiết bị xử lý và các dụng cụ đo. Phải kiểm tra để xác nhận
thiết bị xử lý và dụng cụ đo được lắp đặt hoạt động đúng với các tiêu chuẩn thiết
kế của chúng thông qua các quy trình kiểm tra được đề cập trong 9.3.1. Thiết bị
và dụng cụ đo này phải được hiệu chuẩn theo quy trình hiệu chuẩn
9.4.1 Tất
cả các thiết bị liên quan đến việc vận hành thiết bị chiếu xạ phải được kiểm
tra để xác nhận rằng thiết bị chiếu xạ hoạt động phù hợp với các yêu cầu kỹ thuật
và thiết kế. Tất cả kết quả kiểm tra phải được lập thành hồ sơ.
9.4.2 Tính
năng làm việc của các thiết bị đo phải được xác nhận hoặc hiệu chuẩn (nếu yêu cầu)
để bảo đảm rằng các thiết bị đo này hoạt động phù hợp với các đặc trưng kỹ thuật
và thiết kế. Tất cả kết quả kiểm tra phải được lập thành hồ
sơ.
9.4.3 Nếu
có bất kỳ sự điều chỉnh hoặc thay đổi nào đối với thiết bị xử lý hoặc dụng cụ
đo lường trong quá trình lắp đặt, thì cần phải kiểm tra lại.
9.4.4 Các
đặc tính của chùm điện tử (như dòng phát tia trung bình, năng lượng) và trường tia X (như
kích thước và tính đồng nhất) phải được xác định và ghi lại. Chúng thường bao gồm
như sau:
9.4.4.1 Đánh
giá năng lượng của chùm tia điện tử với phép
đo trực tiếp (xem ISO/ASTM 51649). Khi có thể tiếp cận được chùm điện tử, phân
bố liều sâu sẽ được đo bằng cách chiếu xạ các liều kế đặt trong một chồng các lớp
vật liệu đồng nhất hoặc bằng cách đặt các liều kế hay một dây liều kế tại một
góc qua một chất hấp thụ đồng nhất. Năng lượng tia điện tử có thể được xác định từ
các thông số phân bố liều sâu dựa trên sự tương quan đã được thiết lập.
9.4.4.2 Đánh
giá năng lượng của chùm tia điện tử với phép đo gián
tiếp. Khi chùm điện tử không thể tiếp cận được, ví dụ khi bộ chuyển đổi
tia X được gắn vào cuối máy quét và chùm điện tử không được truyền qua không khí trước
khi đập vào bia tia X, sự suy giảm của bức xạ tia X trong một chất quy chiếu
thích hợp có thể được sử dụng để gián tiếp đánh giá năng lượng chùm electron.
CHÚ THÍCH 5: Quy trình
thích hợp cho các quá trình chiếu xạ công nghiệp điển hình, được dựa theo ứng dụng
phổ biến trong lĩnh vực xạ trị bằng tia X, đã được công bố trong [14].
Ngoài ra, có thể sử dụng đo hoạt độ phóng xạ sinh ra trong một số nguyên tố nào
đó với giá trị ngưỡng dưới 8 MeV để xác định năng lượng[15], [16].
9.4.4.3 Đặc
tính trường tia X (độ rộng, độ dài và độ sâu). Hệ thống
làm mát bia và hình học bia có ảnh hưởng đáng kể đến trường tia X và do đó trường
tia X phải được đặc trưng trước khi OQ được bắt đầu (xem các Hình A1.1 đến
A1.3). Độ rộng và độ dài của chùm điện tử được đo bằng cách đặt một dãy liều kế
hoặc các liều kế riêng lẻ tại các khoảng cách được lựa chọn trên toàn bộ dải
chiều rộng và chiều dài của chùm tia và tháo bỏ bộ chuyển đổi chùm tia, hoặc nếu
trong trường hợp không thể thì đặt trực tiếp trên bộ chuyển đổi. Bất cứ khi nào
có thể, liều kế cần được đặt ra ngoài kích thước chùm tia dự tính để xác định giới
hạn của kích thước toàn bộ chùm tia. Trường tia X có thể được đặc trưng bằng
cách đặt một dây liều kế hoặc các liều kế rời rạc ở những khoảng cách được lựa
chọn trên toàn bộ chiều rộng chùm tia X và dải chiều dài với
các khoảng cách khác nhau từ bia tại X.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
10.1 Mục
tiêu. Mục tiêu của chứng nhận chất lượng vận hành (OQ) của một thiết bị
chiếu xạ tia X là nhằm thu thập và lập hồ sơ bằng chứng cho thấy thiết bị chiếu
xạ đã lắp đặt và các thiết bị đo đi kèm hoạt động trong giới hạn định trước khi
sử dụng phù hợp với quy trình vận hành. Mục đích của đo liều trong chứng nhận
chất lượng vận hành là xác định các giới hạn hoạt động lấy làm chuẩn và kỳ vọng về đặc
tính làm việc cho việc xử lý thông thường và theo đó đánh giá các đặc tính sau:
10.1.1 Khả
năng để dự đoán liều được đưa cho dải điều kiện hoạt động với các thông số vận
hành chủ yếu mà có thể ảnh hưởng đến liều hấp thụ trong sản phẩm.
10.1.2 Khả
năng của thiết bị chiếu xạ để có thể đưa mức liều tái lập cho dải điều kiện hoạt
động với các thông số vận hành chủ yếu mà có thể làm ảnh hưởng đến liều hấp thụ
trong sản phẩm[17].
10.1.3 Phân
bố liều hấp thụ trong khối xử lý
CHÚ THÍCH 6: Liều hấp thụ
nhận được từ bất kỳ phần nào của sản phẩm trong khối xử lý phụ thuộc vào thiết
kế băng tải, thiết kế bộ chuyển đổi, hình học và
đặc điểm của trường tia X, đặc tính và cấu
hình khối xử lý, hình học xử lý.
10.1.4 Việc
kiểm tra đo liều được thực hiện trong IQ (xem 9.4.4) cần được lặp lại như là một
phần của OQ đối với thiết bị chiếu xạ.
10.2 Lập
bản đồ liều hấp thụ. Bản đồ liều hấp thụ được lập để
mô tả đặc tính của thiết bị chiếu xạ về phân bố liều và khả năng tái lập việc
đưa liều hấp thụ. Lập bản đồ phân bố liều hấp thụ được thực hiện bằng cách đặt
bộ liều kế theo một bố trí ba chiều trong một khối xử lý có
chứa vật liệu quy chiếu chuẩn. Xem ASTM E2303 về hướng dẫn thực hiện lập bản đồ
liều hấp thụ.
10.2.1 Số
lượng vật liệu quy chiếu chuẩn trong mỗi thùng chiếu xạ phải là lượng dự kiến
trong quá trình sản xuất điển hình hoặc phải là lượng thiết kế lớn nhất cho
thùng chiếu xạ.
10.2.2 Kiểu
đặt liều kế cần được lựa chọn để xác định được vị trí lớn nhất và nhỏ nhất của
liều hấp thụ. Có thể cần phải đặt nhiều liều kế ở các vị trí này và ít liều kế
hơn ở các vị trí có thể nhận được liều hấp thụ trung bình để xác định được
chính xác các điểm có liều hấp thụ lớn nhất và nhỏ nhất. Số
liệu đo liều từ thiết bị chiếu xạ đã được xác nhận về chất lượng trước đây có
cùng thiết kế hoặc các kết quả tính toán sử dụng các mô hình toán học (xem ASTM
E2232) có thể cung cấp thông tin hữu ích để
xác định số lượng và vị trí của liều kế cho quá trình chứng nhận chất
lượng.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
10.2.3 Cần
lập bản đồ liều cho một số lượng đủ của khối xử lý (nhỏ nhất 3) có mật độ đồng
nhất để đánh giá độ biến thiên của độ lớn và phân bố liều hấp thụ trong khối xử
lý. Số liệu đo liều từ thiết bị chiếu
xạ đã được xác nhận về chất lượng trước đây có cùng thiết kế có thể cung cấp
thông tin hữu ích để xác định số lượng khối xử lý cho chứng nhận chất lượng
này.
10.2.4 Số
lượng khối xử lý trước và sau quá trình lập bản đồ liều phải đủ để mô phỏng một
cách chính xác thiết bị chiếu xạ có nạp sản phẩm.
10.2.5 Việc
lập bản đồ liều hấp thụ phải được thực hiện tại và giữa khoảng mật độ cho các sản
phẩm xem là thường xuyên được chiếu xạ.
10.2.6 Việc
lập bản đồ liều hấp thụ phải được thực hiện cho mỗi hành trình khác nhau của
thiết bị chiếu xạ thường được sử dụng cho xử lý sản phẩm.
10.2.7 Các
quy trình cho lập bản đồ liều hấp thụ nêu trong điều này có thể không khả thi
đối với một số loại thiết bị chiếu xạ với lượng xử lý lớn. Trong những trường hợp
như vậy, liều hấp thụ tối thiểu và tối đa phải được đánh giá bằng cách sử dụng
một số lượng thích hợp các liều kế được trộn ngẫu nhiên với sản phẩm và vận
chuyển cùng sản phẩm qua vùng chiếu xạ. Nên sử dụng một mô hình thống kê để ước
tính số lượng liều kế cần sử dụng. Việc tính toán liều hấp thụ tối thiểu và tối
đa có thể là một giải pháp thay thế phù hợp.
CHÚ THÍCH 8: Tính toán lý
thuyết có thể được thực hiện bằng phương pháp Monte
Carlo [18]
và được áp dụng cho xử lý bức xạ công nghiệp [19].
Việc sử dụng phương pháp tâm - điểm có thể sử dụng cho cơ sở chiếu xạ tia X[20].
Cả hai phương pháp đòi hỏi phải biết chính xác tiết diện tương tác
bức xạ cho tất cả các vật liệu nằm giữa và xung
quanh điểm đặt nguồn và điểm xác định liều. Các phần mềm cho mục đích sử dụng
chung là có sẵn cho các tính toán này (xem ASTM E2232). Các mô hình tính được xây dựng bằng
cách sử dụng các phần mềm này cần phải được kiểm chứng theo số liệu đo liều để xác
nhận các kết quả tính toán là chấp nhận được. Các mô hình dựa vào thực nghiệm
được xây dựng trực tiếp từ số liệu đo liều có thể đáp ứng tốt nhưng chỉ nên giới
hạn trong điều kiện biên của các thử nghiệm tại một máy chiếu xạ cụ thể.
CHÚ THÍCH 9: Đối với thiết
bị chiếu xạ tia X, phân bố liều sâu trong một vật liệu đồng nhất có số nguyên tử
thấp gần đúng là hàm mũ và sự đâm xuyên của bức xạ tia X
năng lượng 5 MeV là lớn hơn một chút so với bức xạ gamma của
nguồn cobalt-60 (xem Hình A1.7).
10.3 Liều
hấp thụ và các thông số vận hành
10.3.1 Mục
tiêu. Liều hấp thụ trong sản phẩm phụ thuộc vào một số thông số vận
hành. Trong dải dự kiến của các thông số này, sử dụng một hệ đo liều thích hợp
để xác định các đặc trưng liều hấp thụ trong vật liệu quy chiếu chuẩn.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
CHÚ THÍCH 10: Đối với thiết
bị chiếu xạ tia X, phổ năng lượng photon và phân bố góc phụ thuộc
vào thiết kế và thành phần của bộ chuyển đổi tia X và phổ năng lượng của chùm
điện tử. Các điện tử năng lượng cao sẽ tăng sự đóng góp
trong phần đỉnh của phân bố photon và do đó tăng khả năng đâm
xuyên trong sản phẩm [9], [21], [22].
10.3.2 Mối
quan hệ giữa liều lớn nhất và liều nhỏ nhất đối với một thùng chiếu xạ chứa đầy
vật liệu quy chiếu chuẩn có mật độ đã biết với tốc độ sản phẩm (hoặc thời gian
chiếu xạ), đặc trưng của chùm tia và các thông số kiểm soát trường photon trong
khoảng dự kiến của các thông số này cần phải được thiết lập. Mối quan hệ này cần
được thiết lập cho mỗi mật độ (10.2.5) và mỗi hành trình của thiết bị chiếu xạ
(10.2.6).
Xác định dải liều hấp thụ
có thể chiếu, dải mật độ có thể được xử lý và số hành trình của thiết bị chiếu
xạ có thể được sử dụng trong quá trình xử lý hàng ngày. Điều này sẽ xác lập các
giới hạn làm việc cho thiết bị chiếu xạ.
CHÚ THÍCH 11 Tốc độ băng tải
và dòng chùm tia có thể được liên kết với nhau trong quá trình xử lý sản phẩm để
sự thay đổi của một thông số sẽ dẫn đến sự thay đổi tương ứng của thông số
kia để duy trì liều chiếu ổn định.
10.4 Sự
biến đổi liều
10.4.1 Độ
lớn của thay đổi liều trong một vật liệu quy chiếu chuẩn phải được ước tính bằng
cách, ví dụ, cho các liều kế trong điều kiện hình học chuẩn đi qua vùng chiếu xạ
trên băng chuyền sản phẩm với các khoảng thời gian thích hợp với tần suất dao động
của các thông số.
CHÚ THÍCH 12: Rất khó để
tách biệt ảnh hưởng của sự biến thiên của thông số hoạt động và độ không đảm bảo
đo của hệ đo liều; Do đó, độ biến thiên được đo thường là sự kết hợp của hai ảnh
hưởng này.
10.4.2 Vị
trí giám sát thường quy.
Nếu các vị trí lớn nhất và nhỏ nhất của liều hấp thụ đã xác định trong quá trình
lập bản đồ liều là không thể tiếp cận được trong hành trình chiếu thực tế thì
các vị trí thay thế (bên trong hoặc bên ngoài khối xử lý) có thể được sử dụng
trong đo liều xử lý sản phẩm thông thường. Các vị trí này có thể ở trên thùng
chiếu xạ hoặc trên khối xử lý. Sự thay đổi liều ở vị trí giám sát hàng ngày phải
được đánh giá.
10.5 Ảnh
hưởng của khối xử lý với mật độ sản phẩm khác
nhau đặt liền kề nhau. Đối với một hành trình xử lý với
khối xử lý có mật độ khác nhau được đặt cạnh nhau, phân bố liều trong các khối
xử lý đặt kề nhau có thể sẽ khác nhau. Các ảnh hưởng này có thể là do sự tán xạ
của bức xạ tia X từ tải quá trình ở phía trước của bia và chúng có thể được xác định bằng
cách lập bản đồ liều của tải quá trình ở phía trước của nguồn cũng như khối xử
lý đặt cạnh nhau cho các cho các điều kiện hình học này để xác nhận rằng các
giá trị liều lớn nhất và nhỏ nhất là có thể chấp
nhận được. Nhiều tổ hợp của các mật độ khác nhau đặt cạnh nhau cần phải được
đánh giá để xác định mức độ ảnh hưởng nếu có và để thiết lập
các giới hạn hoạt động được chấp nhận cho ảnh hưởng này.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
10.7 Gián
đoạn/khởi động lại quá trình xử lý.
Trong trường hợp việc xử lý bị gián đoạn, tác động của việc khởi
động lại đến việc tạo liều (ví dụ, sự đồng đều của liều trong một mặt phẳng quy
chiếu) phải được điều tra.
10.7.1 Điều
này có thể đạt được bằng cách phơi một dải phim đo độ phóng xạ trong một mặt phẳng
quy chiếu thông qua một chuỗi dừng/bắt đầu của hệ thống băng tải.
10.7.2 Ảnh
hưởng của quá trình gián đoạn/khởi động lại nên được đánh giá cho giá
trị giới hạn của các thông số hoạt động.
10.7.3 Nếu
có bất kỳ ảnh hưởng nào đối với việc đưa liều vào sản phẩm trong khi quá trình
gián đoạn, thì mức độ của nó sẽ được xác định để xác định các giới hạn hoạt động
cho phép.
10.8 Lập
hồ sơ và duy trì OQ. Các quy trình cho bảo đảm chất
lượng vận hành phải được lặp lại trong một khoảng thời gian xác định. Khoảng
này phải được luận chứng và tính hợp lý được lập thành hồ sơ để khẳng định rằng
thiết bị chiếu xạ hoạt động đúng với các đặc trưng kỹ thuật.
10.9 Các
thay đổi của thiết bị chiếu xạ. Nếu có sự thay đổi của thiết bị
chiếu xạ có thể ảnh hưởng đến phân bố liều (ví dụ như đặc tính của chùm tia, bộ
chuyển đổi tia X, băng tải) hoặc phương thức vận hành thì việc chứng nhận chất
lượng vận hành cần phải lặp lại đến một mức cần thiết để xác định ảnh hưởng đến
quá trình xử lý. Ví dụ về các thay đổi như vậy gồm:
10.9.1 Các
thay đổi đối với băng tải,
10.9.2 Các
thay đổi đối với thùng chiếu xạ,
10.9.3 Sửa
chữa hoặc thay thế nam châm quét,
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
10.9.5 Thay
đổi thành phần của thiết bị chiếu xạ tạo ra hiệu ứng tán xạ, và
10.9.6 Thay
đổi bia tạo tia X (bao gồm cả hệ thống làm mát).
11 Chứng
nhận chất lượng làm việc
11.1 Mục
tiêu. Mục tiêu của việc chứng nhận chất lượng là để thu thập và lập
thành hồ sơ các bằng chứng xác nhận thiết bị chiếu xạ và các thiết bị đo khi được
lắp đặt và vận hành phù hợp với các quy trình vận hành có thể xử
lý sản phẩm một cách ổn định trong giới hạn liều hấp thụ quy định. Việc đo liều
được sử dụng để có được các bằng chứng này và để xác định các giá trị thích hợp
của tất cả các thông số xử lý chính. Giới hạn liều hấp thụ lớn nhất và nhỏ nhất
gần như luôn luôn được gắn với các ứng dụng chiếu xạ. Đối với một ứng dụng nhất
định, một hoặc cả hai giới hạn này có thể được quy định bởi văn bản quy phạm
pháp luật. Đo liều được sử dụng trong chứng nhận chất lượng xử lý để xác định
các thông số xử lý thích hợp, bao gồm thời gian xử lý, dòng chùm tia, tốc độ
băng tải và cấu hình tải sản phẩm, để đảm bảo rằng yêu cầu liều hấp
thụ cho một quá trình xử lý cụ thể được đáp ứng.
Điều này được thực hiện bằng
cách lập bản đồ liều hấp thụ của các thùng chiếu xạ với sản phẩm và cấu hình tải
sản phẩm cụ thể. Mục đích của việc lập bản
đồ là để xác định độ lớn và vị trí của liều
hấp thụ nhỏ nhất và lớn nhất cùng mối quan hệ của chúng với liều hấp thụ tại
các vị trí được sử dụng để quan trắc trong quá trình xử lý sản phẩm hàng ngày.
11.2 Cấu hình tải
sản phẩm. Cấu hình khối xử lý phải được thiết lập cho mỗi sản phẩm. Hồ sơ cho
cấu hình tải này phải bao gồm các đặc trưng kỹ thuật cho các thông số gây ảnh hưởng đến
phân bố liều hấp thụ. Ví dụ của các thông số này bao gồm kích thước sản phẩm,
khối lượng sản phẩm, thành phần vật liệu, mật độ sản phẩm/mật độ khối sản phẩm
và hướng chuyển động của sản phẩm.
11.3 Loại xử lý.
Nếu khái niệm kiểu loại xử lý được sử dụng cho mục đích xử lý hàng ngày, sản phẩm
sẽ được đánh giá dựa trên các tiêu chuẩn đã được lập thành hồ sơ xem rằng nó có
thuộc một kiểu loại xử lý nào không. Việc đánh giá phải bao gồm việc xem xét
các biến số liên quan đến sản phẩm có thể làm ảnh hưởng đến
liều cho sản phẩm và đặc trưng quá trình xử lý. Kết quả đánh giá phải được thẩm
định lại và lập thành hồ sơ.
Giới hạn ứng với loại xử
lý phải được xác định và chứng nhận chất lượng xử lý phải được thực hiện ở các
giới hạn cực trị của loại xử lý.
11.4 Lập
bản đồ liều hấp thụ (xem ASTM E2303).
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
11.4.1.1 Vị
trí của các vùng liều hấp thụ lớn nhất và nhỏ nhất cho cấu hình tải được chọn
phải được thiết lập. Điều này được thực hiện bằng cách đặt các liều kế trong thể
tích quan tâm cho ba khối xử lý hoặc nhiều hơn. Các kiểu đặt phải được chọn để
xác định được vị trí của các điểm cực trị của liều hấp thụ bằng cách sử dụng dữ
liệu thu được từ các nghiên cứu lập bản đồ liều hấp thụ trong chứng nhận chất
lượng vận hành kết hợp với tính toán lý thuyết (xem ASTM E2232). Các liều kế phải
được tập trung ở các vùng dự đoán có liều hấp
thụ nhỏ nhất và lớn nhất và một số lượng nhỏ hơn được đặt ở các khu vực có thể
có liều hấp thụ trung bình.
11.4.1.2 Cần
đặc biệt chú ý đến các khối xử lý chứa các sản phẩm không đồng nhất và có các hốc
trống, cần phải sử dụng nhiều liều kế hơn tại các vị
trí không liên tục trong thành phần hay trong mật độ để đánh giá gradien liều
có thể có.
11.4.2 Biến
thiên của liều hấp thụ
11.4.2.1 Khi
lập bản đồ liều cho một cấu hình tải sản phẩm
cụ thể, cần xem xét biến thiên có thể xảy ra của
liều hấp thụ được đo tại các vị trí tương tự trong các khối xử lý khác nhau.
11.4.2.2 Để
đánh giá mức độ biến thiên liều này, các lô liều kế phải được đặt trong các
vùng dự đoán có liều hấp thụ nhỏ nhất và lớn nhất trong vài (ít nhất ba) khối xử
lý và chiếu xạ chúng trong cùng điều kiện giống nhau. Các biến thiên được đo của
giá trị liều hấp thụ phản ánh, ví dụ, sự thay đổi của cấu hình tải
sản phẩm (do sự trôi của các thành phần của khối xử lý trong quá trình di chuyển
qua thiết bị chiếu xạ), sự khác biệt nhỏ về mật độ lô hàng
trong khối xử lý, sự thăng giáng của các giá trị thông số vận hành và độ không
đảm bảo đo của hệ đo liều thường quy.
11.4.3 Tải
một phần. Đối với tải một phần, các yêu cầu về chứng nhận chất lượng làm việc
như đối với tải nạp đầy phải được thực hiện. Việc lập bản đồ liều phải đảm bảo
rằng phân bố liều hấp thụ được mô tả đầy đủ và có thể chấp nhận được. Các biến
đổi của phân bố liều đối với việc nạp tải một phần
trong một số trường hợp có thể được giảm thiểu bằng việc sử dụng vật liệu giả đặt
ở vị trí thích hợp trong khối xử lý. Ảnh hưởng của
thùng chiếu xạ nạp tải một phần và các thùng kề cạnh phải được đánh giá.
11.4.4 Liều
kế được sử dụng để lập bản đồ liều cần phải có khả năng đo liều và gradient
liều có thể xảy ra trong các sản phẩm được chiếu xạ.
11.4.5 Xử
lý ở nhiệt độ thấp hoặc cao. Đáp ứng của hầu hết tất cả các
liều kế phụ thuộc vào nhiệt độ chiếu xạ và thường sự phụ thuộc thay đổi theo liều
hấp thụ. Do đó, đối với các ứng dụng xử lý nhiệt độ cao hoặc thấp (ví dụ như
các sản phẩm thực phẩm ướp lạnh hoặc đông lạnh), việc đo liều có thể được thực
hiện theo một trong hai cách sau:
11.4.5.1 Việc
lập bản đồ liều hấp thụ có thể được thực hiện với sản phẩm thực hoặc sản phẩm
mô phỏng ở nhiệt độ phòng. Điều này đòi hỏi không có thay đổi trong bất
kỳ thông số nào có thể ảnh hưởng đến liều hấp thụ trong quá trình xử lý sản phẩm.
Lập bản đồ liều lượng ở nhiệt độ phòng bao gồm đặt một hoặc nhiều liều kế ở một
vị trí kiểm soát thường quy mà vị trí đó được cách cách ly khỏi gradien
nhiệt độ trong sản phẩm thực tế trong quá trình xử lý thường quy.
Các liều kế đo thường quy nên được đặt ở vị trí kiểm soát thường quy này trong
xử lý thường quy của sản phẩm.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
11.4.6 Thiết
bị chiếu xạ liên tục. Việc lập bản đồ liều hấp thụ có
thể không khả thi đối với các sản phẩm chạy qua vùng chiếu xạ với lượng lớn. Trong
trường hợp này, liều hấp thụ nhỏ nhất và lớn nhất nên được đánh giá bằng cách sử
dụng một số lượng thích hợp liều kế được trộn ngẫu nhiên với
sản phẩm và được cho chạy cùng sản phẩm qua vùng chiếu xạ[23]. Cần
phải sử dụng số lượng đủ liều kế để đạt được kết quả có ý nghĩa thống kê.
11.4.7 Vị
trí kiểm soát thường quy. Thiết lập các vị trí kiểm soát
thường quy dựa trên phân tích dữ liệu bản đồ liều. Nếu các vị trí cực trị của
liều hấp thụ được xác định trong quy trình lập bản đồ liều khó
tiếp cận được trong chu trình sản xuất, các vị trí thay thế (bên ngoài hoặc bên
trong so với khối xử lý) có thể được sử dụng cho việc đo liều xử lý sản phẩm thường
quy. Mối quan hệ giữa liều hấp thụ ở các vị trí kiểm
soát thay thế thường quy này và các điểm cực trị liều hấp thụ phải được thiết lập,
được chứng tỏ có thể tái lập và lập thành hồ sơ.
11.4.8 Giá
trị liều mục tiêu. Do bản chất thống
kê của phép đo liều hấp thụ và các biến thiên cố hữu trong xử lý bức xạ, cần
thiết lập các thông số vận hành để cung cấp trung bình một liều hấp thụ lớn hơn
mọi giá trị liều nhỏ nhất được quy định và nhỏ hơn mọi giá trị liều lớn nhất được
quy định[24], [25].
Các giá trị liều này được gọi là “Giá trị liều mục tiêu”. Nói chung, giá trị liều
mục tiêu này cần được chọn sao cho sẽ xảy ra với xác suất thấp việc chiếu xạ sản
phẩm hoặc một phần của sản phẩm với liều thấp hơn so với giá trị liều được yêu
cầu nhỏ nhất hoặc cao hơn so với giá trị liều cho
phép lớn nhất. Để thảo luận thêm về xác định các giá trị
liều mục tiêu, xem Tài liệu tham khảo [26], [27].
11.4.9 Tỷ
số đồng đều liều không chấp nhận được
11.4.9.1 Nếu
bản đồ liều cho thấy các yêu cầu về liều sản phẩm là không đáp ứng được với yêu
cầu, cần phải thay đổi các thông số vận hành hoặc cấu hình lại khối xử lý.
Trong cả hai trường hợp, việc lập bản đồ liều sản phẩm phải được làm lại.
11.4.9.2 Các
thông số vận hành. Thay đổi đặc tính của
chùm tia hoặc độ phân tán chùm tia bằng cách sử dụng các cơ cấu suy giảm chùm
tia, tán xạ, phản xạ và chuẩn trực chùm tia có thể làm giảm tỷ số đồng đều liều
[11], [28],
[29].
11.4.9.3 Nếu
bất kỳ thông số xử lý nào có ảnh hưởng đến độ lớn hoặc vị trí của liều hấp thụ
lớn nhất hoặc nhỏ nhất mà bị thay đổi thì phải lập lại bản đồ liều đến mức cần
thiết để đặc trưng cho các ảnh hưởng này. Thống tin thu thập được trong chứng
nhận chất lượng vận hành (Điều 10) có thể sử dụng như một hướng dẫn để xác định
mức độ của các nghiên cứu lập bản đồ liều hấp
thụ này.
12 Xử lý
sản phẩm thường quy
12.1 Các
thông số xử lý
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
12.1.2 Đảm
bảo rằng cấu hình tải sản phẩm vẫn giữ nguyên cho tất cả các khối xử lý. Đối với
một thiết bị chiếu xạ liên tục đảm bảo rằng các đặc tính
liên tục của sản phẩm vẫn giữ nguyên.
12.2 Kiểm
soát quy trình. Cần phải chứng minh rằng việc xử lý chiếu xạ là liên tục được kiểm
soát. Điều này được thực hiện thông qua các yếu tố kiểm soát xử lý sau: (1)
liên tục quan trắc và kiểm soát và quan trắc trong quá trình xử lý sản phẩm đối
với tất cả các thông số vận hành ảnh hưởng
đến liều và (2) sử dụng hệ đo liều xử lý thường quy.
12.3 Các
thông số vận hành. Các thông số vận hành liên quan phải được kiểm
soát, quan trắc và lập thành hồ sơ làm bằng chứng cho việc kiểm soát liên tục
quá trình xử lý, và qua đó đảm bảo rằng mỗi khối xử lý được xử lý theo đúng yêu
cầu.
12.4 Đo
liều xử lý thường quy. Cần phải đảm
bảo rằng sản phẩm nhận được liều hấp thụ như yêu cầu bằng cách sử dụng các quy
trình đo liều phù hợp, kiểm soát thống kê thích hợp
và lập thành hồ sơ một cách thích hợp.
12.4.1 Vị
trí liều kế. Các lô liều kế nên được đặt trong hoặc trên các khối xử lý đã chọn
ở các vị trí của liều hấp thụ lớn nhất hoặc nhỏ nhất đã được xác định trước
(xem 11.3), hoặc ở các vị trí quan trắc thường quy.
12.4.2 Tần
suất quan trắc. Tùy thuộc vào dạng thiết bị chiếu xạ, có thể
không cần thiết phải có liều kế đo trên mỗi khối xử lý. Chọn một số lượng hợp
lý khối xử lý để đặt liều kế để xác nhận rằng
liều hấp thụ cho toàn bộ đợt chạy xử lý nằm trong giới hạn quy định. Tần suất đặt
liều kế phải được lựa chọn để chứng minh rằng việc xử lý là
được kiểm soát. Tính hợp lý của tần suất quan trắc phải được lập thành hồ sơ.
CHÚ
THÍCH 13: Phân bố liều hấp thụ trong khối xử lý đã được biết từ quá trình lập bản
đồ liều được mô tả trong Điều 11. Tuy nhiên, việc sử dụng một
số lượng đủ liều kế được đặt một cách có tính toán là nhằm để xác nhận rằng liều
hấp thụ là thực sự đạt được trong dải quy định. Việc đặt
nhiều liều kế hơn trong đợt chạy xử lý sẽ cung cấp thêm thông tin về liều và do
vậy sẽ giúp cho việc loại bỏ sản phẩm ít hơn nếu một số trục trặc hoặc không ổn
định của quá trình xử lý xảy ra (như sai hỏng của thiết bị
đo tốc độ băng tải).
12.4.3 Chiếu
xạ liên tục. Đối với một số thiết bị chiếu xạ liên tục (ví dụ, trong đó chất lỏng
hoặc hạt chảy liên tục trong quá trình chiếu xạ), thì có thể sẽ là không khả
thi trong quá trình xử lý để đặt các liều kế vị tại các vị trí có liều
hấp thụ nhỏ nhất và lớn nhất. Trong trường hợp này, khi bắt đầu đợt
chạy xử lý, đưa một vài liều kế trộn ngẫu nhiên với sản phẩm và cho chạy cùng sản
phẩm qua vùng chiếu xạ. Đối với một đợt chiếu xạ dài, phải đưa thêm liều kế ở
giữa và gần cuối đợt chạy xử lý hoặc theo yêu cầu của quy định pháp quy. Mỗi bộ
kết quả đo liều hấp thụ cần sử dụng một vài liều kế để đảm bảo với một mức độ
tin cậy nhất định rằng liều hấp thụ nhỏ nhất và lớn nhất được biết. Quy trình
này đòi hỏi thời gian chiếu xạ tổng cộng và cấu hình dòng chảy của các liều kế
là tương tự như của sản phẩm [23], [30].
12.4.4 Các
sản phẩm được gia nhiệt hoặc được làm mát. Một hệ
đo liều đã được xác định các đặc trưng ở nhiệt độ xử lý hoặc hệ thống có sự phụ
thuộc nhiệt độ không đáng kể sẽ được sử dụng để đo. Nếu hệ đo liều được sử dụng
phụ thuộc đáng kể vào nhiệt độ, đặt liều kế tại các vị trí
quan trắc thường quy được cách ly khỏi gradien nhiệt độ. Xem Phụ lục A1 của
ISO/ASTM 52628 và TCVN 11435 (ISO/ASTM 52701).
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
12.5 Gián
đoạn quá trình xử lý
12.5.1 Nếu
có trục trặc trong quá trình xử lý, ví dụ do mất điện, sự tác động của nó đối với
quá trình xử lý và sản phẩm phải được đánh giá
trước khi khởi động lại việc xử lý. Quy trình đã được thiết lập trong OQ cho việc
ra quyết định khi có sự gián đoạn xử lý cần được thực hiện.
12.5.2 Nếu
sản phẩm được chiếu xạ dưới nhiệt độ được kiểm soát, cần phải cẩn
thận để duy trì các điều kiện này trong suốt thời gian gián đoạn.
12.5.3 Độ
đồng đều liều của sản phẩm trong trường hợp gián đoạn xử lý được làm rõ tính
đặc trưng trong chứng nhận chất lượng vận hành.
13 Chứng
nhận
13.1 Yêu
cầu về lập hồ sơ
13.1.1 Hồ
sơ thiết bị. Hồ sơ hoặc tài liệu quy chiếu việc hiệu chuẩn và bảo
trì thiết bị và thiết bị đo được sử dụng để đo liều hấp thụ đưa vào sản phẩm.
13.1.2 Thông
số xử lý. Ghi lại giá trị của các thông số xử lý ảnh
hưởng đến liều hấp thụ cùng với thông tin đầy đủ để xác định
các thông số này đối với các lô sản phẩm cụ thể hoặc các đợt
chạy xử lý.
13.1.3 Đo
liều. Ghi lại và lập thành hồ sơ tất cả các dữ liệu đo liều đối
với quá trình chứng nhận chất lượng làm việc và đối với
xử lý sản phẩm thường quy. Ghi rõ tên của người vận hành, ngày tháng, thời
gian, loại sản phẩm, sơ đồ tải, và liều hấp thụ cho tất cả các sản phẩm được xử
lý. Ghi lại thời gian thực hiện phân tích liều kế nếu độ ổn định sau chiếu xạ của
các liều kế dưới các điều kiện sử dụng đòi hỏi có các
hiệu chỉnh sự phụ thuộc vào thời gian cho đáp ứng liều kế.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
13.1.5 Nhật
ký thiết bị chiếu xạ. Ghi lại ngày tháng sản phẩm được
xử lý và thời gian bắt đầu và kết thúc chiếu xạ. Ghi lại mọi điều kiện đặc biệt
của thiết bị chiếu xạ hoặc thiết bị chiếu xạ có thể ảnh
hưởng đến liều hấp thụ vào sản phẩm.
13.1.6 Nhận
dạng sản phẩm. Đảm bảo rằng mỗi lô sản phẩm được xử lý mang
một dấu hiệu nhận dạng để phân biệt nó với tất cả các
lô khác trong thiết bị chiếu xạ. Dấu hiệu nhận dạng này sẽ được sử dụng cho tất
cả các tài liệu liên quan đến lô hàng đó.
13.2 Rà
soát và chứng nhận
13.2.1 Trước
khi đưa sản phẩm ra để sử dụng, rà soát lại các kết quả đo liều và các giá trị
được ghi lại của các thông số vận hành để xác nhận sự tuân thủ các yêu cầu kỹ
thuật.
13.2.2 Phê
duyệt và xác nhận liều hấp thụ vào sản phẩm cho từng đợt xử lý phù hợp với
chương trình đảm bảo chất lượng của thiết bị chiếu xạ. Việc chứng nhận sẽ được
thực hiện bởi các nhân viên được ủy quyền, như đã quy định trong chương trình bảo
đảm chất lượng thiết bị chiếu xạ.
13.2.3 Thực
hiện việc thanh, kiểm tra tất cả tài liệu theo khoảng thời gian quy định trong
chương trình đảm bảo chất lượng để đảm bảo rằng hồ sơ là chính xác và đầy đủ. Nếu
phát hiện thấy thiếu sót, phải đảm bảo có hành động khắc phục.
13.3 Lưu
giữ hồ sơ. Lập thành bộ hồ sơ quản lý tất cả các thông tin liên quan đến từng
đợt sản xuất (ví dụ như bản sao của tài liệu chuyển hàng, giấy chứng nhận chiếu
xạ, và hồ sơ kiểm soát chiếu xạ). Lưu giữ hồ sơ trong khoảng thời gian quy định
nêu trong chương trình đảm bảo chất lượng và chuẩn bị sẵn sàng cho việc thanh,
kiểm tra khi được yêu cầu.
14 Độ
không đảm bảo của liều đo và độ biến thiên trong quá trình xử lý
14.1 Tất
cả các phép đo liều cần phải đi kèm với ước lượng về độ không đảm bảo. Xem TCVN
12021 (ISO/ASTM 51707) TCVN 12019 (ISO/ASTM 51261) và TCVN
9595-3 (ISO/IEC Guide 98-3).
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Phụ lục A
(Tham
khảo)
Tia X (bức xạ hãm)
A1 Đặc
tính tia X (bức xạ hãm)
A1.1 Xử
lý tia X. Các tính chất vật lý của tia X (bức xạ hãm) đã được biết rất rõ
và việc sử dụng loại tia này để xử lý vật liệu đã được nghiên cứu rộng rãi [31].
Một số đặc tính quan trọng của công nghệ này được mô tả dưới đây và có thể tìm
hiểu thêm thông tin chi tiết từ các tài liệu tham khảo đã chọn được liệt kê
trong Thư mục tài liệu tham khảo. Một số thông tin trong số đó có được bằng
cách đo liều nhưng phần lớn là dựa trên các phân tích lý thuyết sử dụng phương
pháp tính toán Monte Carlo được nêu trong Tài liệu tham khảo
[32] và các nguồn dữ liệu trong Tài liệu tham khảo [33] đến [37]. Vì bức xạ X
được tạo ra nhờ các điện tử mang năng lượng, máy gia tốc điện tử
là cần thiết để tạo ra loại tia này.
A1.2 Máy
gia tốc điện tử
A1.2.1 Các
dạng khác nhau của máy gia tốc điện tử có thể được sử dụng, bao gồm cả máy tác
động trực tiếp và tác động gián tiếp. Các công nghệ năng lượng cao, công suất
cao thích hợp cho việc xử lý tia X công nghiệp đã được tổng hợp trong Tài liệu
tham khảo [7], [10], [38] đến [58].
A1.2.2 Máy
gia tốc tác động trực tiếp. Máy loại này sử dụng máy phát
xung hoặc ĐC điện áp cao áp để tạo ra các điện trường mạnh. Các điện tử được
gia tốc nhờ các trường này qua các ống lái chùm tia chân không, một điểm ngoặt hoặc
nhiều điểm ngoặt từ catot đốt nóng có điện thế âm cao so với anot được nối đất.
Các hệ thống mạnh nhất sử dụng các mạch chỉnh lưu nhiều tầng
để chuyển đổi điện áp AC thấp thành điện áp DC cao. Máy gia tốc tác động trực
tiếp hiện nay có thể tạo ra năng lượng điện tử tới 5 MeV và công suất chùm điện
tử lên tới 300 kW [10], [39], [41], [45], [46],
[47], [53].
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
CHÚ THÍCH A1.1: Xem
ISO/ASTM 51649 để biết thêm chi tiết về máy gia tốc điện tử.
A1.3 Thiết
kế bộ chuyển đổi
A1.3.1 Hiệu
suất chuyển đổi tia X (Công suất tia X phát ra theo hướng đi về phía trước chia
cho công suất điện tử điện tử tới trên bia) tăng theo năng lượng
điện tử và số nguyên tử của vật liệu bia. Các kim loại nặng, như tantali, vonfram
và vàng là những vật liệu thích hợp vì chúng có số nguyên tử cao và nhiệt độ
nóng chảy cao. Các phân tích lý thuyết với chương trình tính Monte
Carlo đã chỉ ra rằng hiệu suất chuyển đổi
khoảng 7 % đến 8 % ở 5 MeV và 14 % đến 16 % ở 10 MeV có thể đạt được với độ đày
tối ưu của các bia tantali hoặc vonfram (bằng khoảng
40 % dải điện tử lớn nhất) được bổ trợ với một máng đồng hoặc thép không gỉ làm
nguội bằng nước [3], [21], [59], đến [65].
A1.3.2 Hầu
hết năng lượng tia điện tử được tiêu tán dưới dạng nhiệt trong bộ chuyển đổi và
phải được loại bỏ bằng hệ thống làm mát [3], [61].
Độ dày tổng cộng của cơ cấu bia cộng với máng làm
mát nên lớn hơn một chút so với dải điện tử
lớn nhất để tránh chiếu xạ các sản phẩm với các điện tử sơ cấp.
A1.4 Cấu
hình bộ chuyển đổi và chùm tia
A1.4.1 Trái
ngược với thiết bị chụp X quang và thiết bị xạ trị tia X chúng sử dụng chùm tia
điện tử đường kính nhỏ để tạo ra chùm tia X được chuẩn trực tốt, các thiết bị xử
lý bức xạ phải sử dụng chùm điện tử với tiết diện ngang lớn và các bia có diện
tích lớn để tản công suất chùm điện tử. Chùm điện tử có thể được làm phân tán bằng
các nam châm quét, thấu kính từ phân kỳ hoặc các lá tán xạ.
A1.4.2 Đối
với chiếu xạ sản phẩm trên băng tải chuyển động, sẽ là thuận lợi để sử dụng
quét chùm tia để bao phủ một cách đồng đều trên một vùng mục tiêu kéo dài hướng
dọc theo băng tải. cấu hình này làm tăng chiều rộng của trường bức xạ và tạo điều
kiện xử lý lượng lớn vật liệu (xem hình A1.1) [3],
[42], [52], [60] đến [62], [66] đến [72].
A1.5 Các
đặc tính của tia bức xạ hãm
A1.5.1 Trong
dải năng lượng điện tử từ 5 đến 10 MeV, công suất tia X (Px)
phát ra theo hướng về phía trước bởi một bộ chuyển đổi
tối ưu là tỷ lệ với dòng điện phát chùm điện tử/nhân với bình
phương của năng lượng điện tử E [9],
[21], [42], [59], [61], [64], [65], [69], [73].
Với công suất chùm điện tử không thay đổi Pe = I E,
công suất chùm tia X phát ra tăng tuyến tính
với năng lượng điện tử
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
(A1.1)
(A1.2)
Trong đó
f là hệ số
tỷ lệ, và
n là hiệu
quả chuyển đổi tia X.
A1.5.2 Không
giống như bức xạ gamma từ các đồng vị phóng xạ, bức
xạ tia X năng lượng cao không phát ra đẳng hướng mà tập trung theo hướng chùm
điện tử (xem các Hình A1.2 và A1.3)[21], [22], [61],
[71] đến [76]. Phân
tán theo góc giảm dần khi năng lượng của các điện tử tăng lên. Ví dụ, tỷ lệ cường
độ bức xạ X ở hướng về phía trước so với hướng lệch bên (lệch nhẹ về phía sau)
với chùm điện tử có đường kính nhỏ trên bia dày, mật độ cao là khoảng 4/1 ở
3 MeV, 10/1 ở 5 MeV và 40/1 ở 10 MeV (xem Hình A1.4) [76].
A1.5.3 Sự
tập trung hướng về phía trước làm tăng cường độ bức xạ và làm giảm kích thước của
trường bức xạ so với nguồn phát gamma diện
tích lớn có mức phát ra và năng lượng. Các hiệu ứng này làm giảm thời gian xử
lý và thể tích sản phẩm trong trường bức xạ. Điều này tạo thuận lợi cho việc chuyển
đổi từ một loại sản phẩm này sang sản phẩm khác trong quá trình chiếu xạ liên tục.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
(Hình
2.1 trong Tài liệu tham khảo [61])
Hình
A1.2 - Cường độ tia X trên điện từ 2 MeV tới vuông góc trên bia tantali có chiều
dày của một dải điện tử CSDA như
một hàm của góc phát xạ được tính bằng chương trình tính ETRAN
(Hình
3.3 trong Tài liệu tham khảo [61])
Hình
A1.3 - Cường độ tia X trên điện tử 5 MeV tới vuông góc trên bia tantali có chiều
dày của một dải điện tử CSDA như một hàm của góc phát xạ được tính bằng chương
trình tính ETRAN
(Hình
3.4 trong Tài liệu tham khảo [61])
A1.5.4 Phổ
năng lượng liên tục của bức xạ hãm phát ra từ cơ cấu
bia trải dài từ khoảng 35 keV đến năng lượng cực đại của các điện tử tới
trên bộ biến đổi. Đối với các năng lượng photon lớn hơn 0,3
MeV, số photon phát ra trên mỗi đơn vị năng lượng giảm xuống khi năng lượng
photon tăng lên (xem các hình A1.5 và A1.6) [21], [22], [60], [73], [74], [75], [77]. Năng
lượng photon trung bình được tạo ra bởi các điện tử 5
MeV trong bia tantali hoặc vonfram có độ dày tối ưu là khoảng
0,75 MeV và năng lượng photon có xác suất cao
nhất là khoảng 0,3 MeV.
A1.5.5 Mặc
dù năng lượng photon trung bình thấp so với năng lượng cực đại nhưng sự đâm
xuyên của bức xạ tia X chùm rộng 5 MeV trong các chất hấp thụ có số
nguyên tử thấp vẫn lớn hơn bức xạ gamma từ Cobalt 60 có năng lượng trung bình
1,25 MeV (xem Hình A1.7). Hiệu ứng này là do các thành phần năng lượng cao hơn
và tập trung về hướng phía trước của bức xạ tia X ngược với sự phát xạ đẳng hướng
của bức xạ gamma từ các nguồn có diện tích lớn [3], [9], [38], [57],
[62], [64], [65], [71], [72].
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
CHÚ
THÍCH 1: Các số nằm dọc theo đường cong được trích dẫn từ Tài
liệu tham khảo [76].
Hình
A1.4 - Suất phát xạ tia X từ các bia có số Z
cao (Hình E.1 trong Tài liệu tham khảo [76])
CHÚ
THÍCH 1: Kết quả được cho đối với phát ra cho cả hai trường hợp: chỉ duy nhất bởi
đĩa bộ chuyển đổi và bởi đĩa chuyển đổi cùng với máng làm mát. Kết quả là cho
năng lượng chùm điện tử tới 5 MeV và bao gồm tất cả photon không
kể góc đi ra.
Hình
A1.5 - Phổ của các photon phát ra
(Hình 2a trong Tài liệu tham khảo [21])
CHÚ
THÍCH 1: Kết quả ứng với sự phản xạ bởi toàn bộ bia. Phổ của các photon
phát ra từ bia có bộ chuyển đổi 1,4 g/cm2 W.
Kết quả là cho năng lượng chùm điện tử tới 5
MeV và bao gồm tất cả photon không kể góc đi
ra.
Hình
A1.6 - Phổ các photon phản xạ
(Hình 2b trong Tài liệu tham khảo [21])
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Hình
A1.7 - Phân bố liều theo độ sâu (Hình 1 trong Tài liệu tham khảo [9])
A1.6 Phân
bố liều hấp thụ
A1.6.1 Với
bộ hấp thụ thể tích lớn và một băng tải đơn hướng, phân bố liều theo chiều dọc
(song song với hướng chuyển động băng tải) là gần như đồng nhất, ngoại trừ sự tăng
nhẹ trên các điểm biên ở đoạn đầu và cuối của chất hấp thụ.
Mặt khác, sự phân bố liều ngang (vuông góc với hướng chuyển động băng tải) giảm
ở cả hai mặt của chất hấp thụ, ngay cả khi nguồn tia X rộng hơn chất hấp thụ (xem
Hình A1.8) [3], [4], [62], [72].
A1.6.2
Sự phân bố liều theo độ sâu (các đường cong
suy giảm liều) thu được bằng cách chiếu xạ các vật liệu số nguyên tử thấp (ví dụ
như nước, plastic, hoặc bìa cứng) với 5 tia X MeV về cơ bản là
hàm mũ. Tuy nhiên, độ dốc của các đường cong có xu hướng giảm nhẹ khi độ dày
tăng, do việc làm cứng của phổ tia X (đó là sự suy giảm của các photon là lớn
hơn đối với năng lượng thấp hơn) (xem Hình A1.9) [3], [4],
[21], [62], [71], [72].
A1.6.3 Với
các bia được làm dài, chất hấp thụ có diện tích rộng và băng tải
sản phẩm di chuyển, liều bề mặt ở mặt đối diện với bia là khá
gần điểm ở đỉnh của đường cong hàm mũ của liều theo độ sâu (xem Hình A1.10) [3], [4],
[71], [72]. Do đó, hiệu ứng tích lũy liều gần bề mặt (được quan sát thấy đối
với bức xạ gamma hoặc chùm tia X được chuẩn trực và chất hấp
thụ đứng yên [78][79][80] là không đáng kể
trong quá trình chiếu xạ bằng tia X chùm rộng.
Đơn
vị tính theo hệ SI
Hình
A1.8 - Bản đồ đường đẳng liều, phơi xạ động (Hình 3
trong Tài liệu tham khảo [62])
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Hình
A1.9 - Đường cong suy giảm liều được đo đối với tia X 5 MeV trong các chất hấp
thụ có mật độ khác nhau với băng tải chuyển
động và chùm tia quét.
(Hình
5 trong Tài liệu tham
khảo [3])
Độ
sâu của chất hấp thụ - CM
Hình
A1.10 - Đo của một đường cong suy giảm liều được đo đối với tia X 5 MeV trong
chất hấp thụ nặng nhất (ván ép) với băng tải chuyển động và chùm tia quét
(Hình
6 trong Tài liệu tham khảo [3])
A1.6.4 Tỷ
số liều max/liều min và mức sử dụng năng lượng photon phụ thuộc vào kích cỡ và
mật độ của vật liệu chiếu xạ cũng như phương pháp vận chuyển vật liệu qua trường
bức xạ [3], [59], [68], [69], [72]. Bằng
cách sử dụng các hệ thống băng tải hai chiều với chiếu xạ hai mặt và bằng cách
sắp xếp lại các lớp vật liệu, về mặt lý thuyết có thể đạt được tỷ số liều
max/min thấp (ví dụ, 1,1 đến 1,2) và mức sử dụng năng lượng photon cao (ví dụ,
50 % đến 60 %) với khối lượng lớn vật liệu hấp thụ có số nguyên tử
thấp và mật độ thấp (ví dụ 0,3 g/cm3)[8], [81], [82].
Thư
mục tài liệu tham khảo
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[2] IAEA-TECDOC_1287.
[3] Cleland, M. R.,
Thompson, C. C., Kato, H., Odera, M., Morrissey, R.
F., Herring, C. M., O'Neill, M. T., Wilcott, T. R.,
Masefield, J., Hansen, J. M., Saylor, M.
C., and Sloan, D. P., "Evaluation
of a New X-Ray Processing Facility," Nuclear Instruments and Methods in
Physics Research, B56/57, 1991, pp. 1242-1245.
[4] Takehisa, M., Saito, T.,
Takahashi, T., Sato, Y., and Sato, T., "Characteristics of a Contract
Electron Beam and Bremsstrahlung (X-Ray) Irradiation Facility of Radia
Industry," Radiation Physics and Chemistry, Vo142,
Nos. 1-3, 1993, pp. 495-498.
[5] Aikawa, Y., "A new
facility for X-ray irradiation and its application," Radiation Physics
and Chemistry, Vol 57, Nos. 3-6, 2000, pp. 609-612.
[6] Watanabe, T., "Best use
of high-voltage, high-powered electron beams: a new approach to contract
irradiation services," Radiation Physics and Chemistry, Vol 57,
Nos. 3-6, 2000, pp. 635- 639.
[7] Miller, R. B.,
"A Description of SureBeam Food Irradiation Facilities,"
Proceedings of the 17th International Conference on the Application of
Accelerators in Research and Industry. AIP Conference Proceedings, 2003,
American Institute of Physics.
[8] Tanaka, S., Agernstsu,
K., Sunaga, H., Tanaka, R., Taniguchi,
S., and Kashiwagi, M., "High-Power X-Ray Irradiation Facility for
Industrial Application. (I) Irradiation Method," Proceedings 23rd
Annual Meeting on Radioisotopes in the Physical Sciences and Industry. 1986, p.
36.
[9] Cleland, M. R., and Pageau,
G. M., "Comparisons of X-Ray and Gamma-Ray Sources for
Industrial Irradiation Processes," Nuclear Instruments and Methods in
Physics Research, B24/25, 1987, pp. 967-972.
[10] Thompson, C. C., and
Cleland, M. R., "High-Power Dynamitron Accelerators for X-Ray
Processing," Nudear Instruments andMeth- ods in Physics Research,
840/41,1989, pp. 1137-1141.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[12] Sunaga, H.,
Tachibana, H., Tanaka, R., Okamoto, J.,
Terai, H., and Saito, T., "Study on Dosimetry of Bremsstrahlung
Radiation Processing," Radiation Physics and Chemistry, Vol 42,
Nos. 4-6, 1993, pp. 749-752.
[13] Mehta, K.,
"Applicability study on existing dosimetry systems to high-power
bremsstrahlung irradiation," Radial. Phys. Chem, 68,
2003, pp. 959-962.
[14] Cleland, M. R.,
Gregoire, 0.. Stichelbaut, F., Gomola, 1., Galloway, R. A., and Schlecht,
J., "Energy determination in industrial X-ray processing facilities,"
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B 241,2005, pp.
850-853.
[15] Gregoire,
0., Cleland, M. R., Mittendorfer,
J., Dababneh, S., Ehlermann, D. A. E.,
Fan, X. Kappeler, F., Logar, J., Meissner, J.,
Mullier, B., Stichelbaut, F.,
and Thayer, D. W., "Radiologica Safety of
Food Irradiation with High Energy X-Rays: Theoretical Expec- tations and Experimenta Evidence," Radiation Physics and Chemistry, Vol
67,2003, pp. 169-183.
[16] Gregoire,
0., Cleland, M. R., Mittendorfer, J., Vander
Donckt, M. and Meissner, J., "Radiologica Safety of
Medical Devices Sterilized with X-Rays at 7.5 MeV," Radiation Physics
and Chemistry, Vol67, 2003, pp. 149-167.
[17] Mehta, K., Kovacs, A., and
Miller, A., "Dosimetry for Quality Assurance in Electron Beam
Sterilization of Medical Devices," Med. Device Technol., 4,
1993, pp. 24-29.
[18] Monte Carlo Transport of
Electrons and Photons, Jenkins, T. M.,Nelson, W. R., and
Rindi, A., eds., Plenum Press, New York, 1988.
[19] Saylor, M.
C. and Jordan, T. M., "Application of
Mathematical Modeling Technologies to Industrial Radiation Processing," Radia-tion Physics and Chemistry, Vol
57,2000, p. 697.
[20] Chilton, A. B.,
Shultis, J. K., and Faw, R. E., Principles
of Radiation Shielding, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, NJ, 1984.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[22] Meissner, J., Abs,
M., Cleland, M. R., Herer, A.
S., Jongen, Y., Kuntz, F., and Strasser, A.,
"X- Ray treatment at 5 MeV and above," Radiation Physics and
Chemistry, Vol 57, Nos. 3-6, 2000, pp. 647-651.
[23] Ehlermann,
D. A. E., "Dose Distribution and Methods for its Determination
in Bulk Particulate Food Materials," Health Impact, identification, and
Dosimetry of Irradiated Food, BOg!, K. W., Regulla,
D.F., and Suess, M. J., eds., A World Health Organization Report, Institut
fllr Strahlenhygiene des Bundesgesundheitsamtes,
Munchen, 1988, pp. 415-419.
[24] McLaughlin,
W. L., Jarrett, Sr., R. D., and
Olejnik, T. A., "Dosimetry," Preservation of Food by Ionizing
Radiation, Vol I, CRC Press, Boca Raton, FL, 1983, Chap. 8.
[25] Vas, K., Beck,
E. R. A., McLaughlin, W. L., Ehlermann,
D. A. E., and Chadwick, K. H., "Dose Limits
Versus Dose Range," Acta Alimentaria, Vol 7, No. 2, 1978, p. 343.
[26] Dosimetry for Food
Irradiation, Technical Reports Series No. 409, International Atomic Energy
Agency, Vienna, 2002. Available from IAEA, Wagramerstrasse 5, P.O. Box 100,
A-1400, Vienna, Austria.
[27] Mehta, Kishor, "Process
Qualification for Electron-Beam Sterilization," Medical Device
& Diagnostic Industry, June 1992, pp. 122-134.
[28] Strelczyk, M., Lopez, E.
J., Thompson, C. C. and Cleland, M. R.,
"Modification of Electron Beam Dose Distributions for Complex Product
Configurations," Radiation Physics and Chemistry, Vol 35, 1990,
Nos. 4-6, pp. 803-810.
[29] Thompson, C.
C., Cleland, M. R. and Lopez, E.
J., "Apparatus and Method for Promoting Uniform Dosage of
Ionizing Radiation in Targets," U. S. Patent
No. 4,983,849, Jan, 8, 1991.
[30] Stenger, V., Sipos, T.,
Laszlo, L., Hargittai, P., Kovacs, A., and Horvath, 1., "Experiences with
a High Capacity Industrial Scale Pilot Onion Irradiator," Radiation
Physics and Chemistry, Vol 22, 1983, pp. 717-732.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[32] Methods for Calculating
Bremsstrahlung Properties and Dose Dis- tributions in Absorbing Materials and
Products; Monte Carlo Codes: CCC-107/ETRAN, CCC-200/MCNP, CCC- 331/EGS4, and
CCC- 467/ITS, Available from Radiation Safety Information Computa- tional
Center, Oak Ridge National Laboratory, P.O. Box 2008, Oak Ridge, TN 37831. Also
GEANT: Detector Description and Simula- tion Tool, CERN Program Library W5013.
[33] Storm, E., and Israel, H.,
Photon Cross-Sections from 0.001 to 100 MeV for Elements 1 through 100,
LASL-3753, available from NTIS, 1967.
[34] Evans, R. D., "X-Ray
and Gamma-Ray Interactions," Radiation Dosimetry, Vol 1, F. H.
Attix and W. C. Roesch, Eds., Academic Press, New York, NY, 1968.
[35] Hubbell, J. H., "Photon
Mass Attenuation and Energy Absorption Coefficients from 1 keV to 20 MeV,” International
Journal of Applied Radiation and Isotopes, Vol 33,1982, pp. 1269-1290.
[36] Attix, F. H.,
Introduction to Radiological Physics and Radiation Dosimetry, John Wiley
& Sons, New York, 1986.
[37] NIST Standacd Reference Data
Products, 1991 Catalogue, p. 13, NIST X-Ray and Gamma-Ray Attenuation
Coefficients and Cross Sections and NIST Electron and Positron Stopping Powers
and Ranges.
[38] Humphries, S., Jr., and
Farrell, J. P., "Machine Sources for Food Irradiation," USDOE
Contract No. DE- AC04-87AL37515, National Technical Infonnation Service,
5285 Port Royal Road, Springfield, VA 22161, 1988.
[39] Cleland, M. R., "High
Power Electron Accelerators for Industrial Irradiation Processing," Radiation
Processing of Polymers, A. Singh and J. Silvennan, Eds., Carl Hanser Verlag,
Munich, 1992.
[40] Humphries, S., Jr., Prindples
of Charged Particle Acceleration, John Wiley & Sons, New York, NY,
1986.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[42] Koch, H. W., and Eisenhower,
E. H., "Electron Accelerators for Food Processing," Radiation
Preservation of Foods, NAS-NRC Publica-tion 1273, 1965.
[43] Van Lancker, M., Herer, A.,
Cleland, M. R., Jongen, Y., Abs, M., "ffiA Rhodotron: An Industrial High-
Voltage High-Powered Elec- tron Beam Accelerator for Polymers Radiation
Processing," Nuclear Instruments and Methods in Physics Research,
B151, 1999, pp. 242-246.
[44] Jongen, Y., Abs, M.,
Poncelet, E., and Herer, A., "The IBA Rhodotron TTIOOO: A very
high-powered electron beam accelerator," Proceedings of IMRP 2003,
Radiation Physics and Chemistry (in press, 2004).
[45] Yotsumoto, K., Sunaga, H.,
Tanaka, S., Kanazawa, T., Agernatsu, T., Tanaka, R., Yoshida, K., Taniguchi, S., Sakamoto, 1., and Tamura, N.,
"High-Power Bremsstrahlung X-Ray Source
fo Radiation Processing," Radiation Physics and Chemistry, Vol 31,
Nos. 1-3, 1988, pp. 363-368.
[46] Odera, M., Nagakura, K., and
Tanaka, Y.,” Tsulruba Electron Irradiation Facility," Radiation Physics
and Chemistry, Vol 35, Nos. 4-6, 1990, pp. 534-538.
[47] Uehara, S., Taniguchi, S.,
Kashiwagi, M., Mizusawa, K., Sakamoto, 1., Hoshi, Y., and Tomita,
K., "A 5 MV, 30 rnA EB/X-Ray Processing System," Radiation
Physics and Chemistry, Vol42, Nos. 1-3, 1993, pp 515-518.
[48] McKeown, 1.,
"Radiation Processing Using Electron Linacs," IEEE Transactions on
Nudear Science NS-32, No. 5, 1985, pp. 3292- 3296.
[49] McKeown, 1., and
Sherman, N. K., "Linac Based Irradiators" Radiation Physics and
Chemistry, Vol 25, Nos. 1-3, 1985, pp. 103-109.
[50] McKeown,
J., Labrie, J. P., and Funk, L. W.,
"An Intense Radiation Source," Nuclear Instruments and Methods in
Physics Research, BI0/11, 1985, pp. 846-850.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[52] Smittle, B.
J., Rhodes, M. E., and Brown, R.
E., "A New Linear Accelerator Facility for the Treatment of
Agricultural Commodities," Nuclear Instruments and Methods in Physics
Research, 856/57, 1991, pp. 1229-1231.
[53] Abramyan, E. A., "Industrial
Electron Accelerators and Applications," Hemisphere Pub!. Corp., Harper
& Row, New York, 1988.
[54] longen, Y., Abs,
M., Genin, F., Nguyen, A., Capdevilall, J.M. andDefrise, D., "The
Rhodotron, a new 10 MeV, 100 kW, cw metric
wave electron accelerator," Nuclear Instruments and Methods in Physics
Research, B79, 1993, pp. 865-870.
[55] Auslender,
V. L., Bryazgin, A.A., Faktorovich, B. L.,
Gorbunov, V. A., Kokin, E. N., Korobeinikov, M.
V., Krainov, G. S., Lukin, A. N., Maximov,
S. A., Nekbaev, V. E., Panfilov, A. D., Radchenko, V. N., Tkachenko,
V. 0., Tuvik, A. A., and Voronin, L.A., "Accelerators for E-beam and X-ray
Processing," Radiation Physics and Chemistry, Vol 63, Nos. 3-6,
2002, pp. 613-615.
[56] Mathews, S.
M., "Food Processing with Electrically Generated Photon
Radiation," Radiation Disinfestation of Food and Agricul- tural
Products, J. H. Moy, Ed. University of Hawaii, 1985, pp. 283- 294.
[57] Lagunas-Solar, M.
C., and Mathews, S. M., "Radionuclide and
Electric Accelerator Sources for Food Irradiation," Radiation Phys-ics and
Chemistry, Vol25, Nos. 4-6, 1985, pp. 691-702.
[58] Goodman, D.
L., Birx, D. L., and Dave, V. R., "High
energy electron beam processing experiments with induction accelerators," Nuclear
Instruments and Methods in Physics Research, B99, 1995, pp. 775-779.
[59] Farrell, 1. P.,
Seltzer, S. M., and Silvennan, J., "Bremsstrahlung Generators
for Radiation Processing," Radiation Physics and Chemistry, Vol 22,
Nos. 3-5, 1983, pp. 469-478.
[60] Tanaka, S., Tanaka, R.,
Tabata, T., Ito, R., Nakai,
Y., and -Ozawa, K., "Data on Thick Target Bremsstrahlung
Produced by Electrons, "JAERI-M83-019, Japan Atomic Energy Research
Institute, 1983.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[62] Cleland, M. R., Thompson, C.
C., and Strelczyk, M., "Advances in X-Ray Processing Technology," Radiation
Physics and Chemistry, Vol 35, Nos. 4-6, 1990, pp. 632-637.
[63] Seltzer, S. M., Hubbell, J.
H., and Berger, J. J., "Some Theoretical Aspects of Electron and Photon
Dosimetry," Proceedings of the IAEA Symposium on National and
International Standacdization of Radiation Doslmelly, IAEA-SM-222105, Vol
II, 1978.
[64] Seltzer, S. M., and Berger,
M. J., "Energy Deposition by Electron, Bremsstrahlung and 60Co
Gamma- Ray Beams in Multi-Layer Media," International Journal of
Applied Radiation and Isotopes, Vo1138, No.5, 1987, pp. 349-364.
[65] Seltzer, S.M.,
"Applications ofETRAN Monte Carlo Codes," Monte Carlo Transport of
Electrons & Photons, T. M. Jenkins, W. R. Nelson, and A. Rindi,
Eds. Plenum Press, New York, NY, 1988.
[66] Morganstem, K. H.,
"X-Ray Radiation Sources," Proceedings Seminar on the Radiation
Processing Industry, Its Prospects and Problems, American Nuclear Society,
1964.
[67] Farrell, J. P., “The
Bremsstrahlung Radiation Field of a Scanned Monoenergetic Electron Beam,” Proceedings
NUCLEX 66, International Nuclear Industries Fair, Basle, Switzerland, 1966.
[68] Farrell, J. P.,
"High-Power Bremsstrahlung Sources for Radiation Sterilization," Radiation
Physics and Chemistry, Vol 14, Nos. 3-6,1979, pp. 377-387.
[69] Farrell, J. P.,
"Examination of Product Throughput Obtained from High-Power Bremsstrahlung
Sources," IEEE Transactions on Nuclear Science, NS-28, No. 2, 1981,
pp. 1786-1793.
[70] Sunaga, H., Agernatsu, K.,
Tanaka, S., and Tanaka, R., "Preliminary Studies of X-Ray Irradiation
Using Industrial Electron Accelerator for Radiation Processing," Proceedings
20th Annual Meeting on Radioisotopes in the Physical Sciences and Industry,
1983, p. 144.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[72] Takehisa, M., Saito, T.,
Takahashi, T., Sato, T.,Tanaka, S.,Agernatsu, T., Taniguchi, S., and Sakamoto,
I., "Present Status of Industrial X-Ray (Bremsstrahlung) Technology and
the Benefit as a Food Processing Radiation Source" Proceedings
of the International Symposium on Cost-Benefit Aspects of Food Irradiation
Pmcessing, IAEA-SM-328/22, 1993.
[73] Koch, H. W., and Motz, 1.
W.," Bremsstrahlung Cross-Section Formulas and Related Data," Reviews
of Modern Physics, Vol 31, No.4, 1959, pp. 920-955.
[74] Cleland, M. R., Herer, A.
S., Meissner, J., Abs, M., Jongen, Y., Kuntz, F., and Strasser, A., "X-Ray
Technology for Food Processing," Proceedings of the Intertech
Conference, Food Irradia- tion 99, 1999, Intertech
Corporation, Portland, Maine 04105.
[75] Cleland, M. R., Meissner,
J., Herer, A. S., and Beers, E. W., "Treatment of Foods with High-Energy
X- Rays," Proceedings of the Sixteenth International Conference on
Applications of Accelerators In Research and Industry. AIP Conference
Proceedings 576, 2001, American Institute of Physics.
[76] Radiation Protection Design
Guidelines for 0.1-100 MeV Particle Accelerator Facilities," NCRP
Report No. 51, National Council on Radiation Protection and Measurements,
Washington, DC, 1977.
[77] Berger, M. J., and Seltzer,
S. M., “Bremsstrahlung and Photoneu-trons from Thick Tungsten and Tantalum
Targets,” Physical Review c, 2, 1970, p. 621.
[78] Johns, H. E., "The
Physics of Radiation Therapy," Publication No.116, American Lecture
Series, Charles C. Thomas, Springfield, IL, 1953.
[79] Laughlin, J. S.,
"Physical Aspects of Betatron Therapy," Publication No. 196,
American Lecture Series, Charles C. Thomas, Springfield, IL, 1954.
[80] Johns, H. E., "X Rays
and Teleisotope Gamma Rays," Radiation Dosimetry, Vol III, F. H.
Attix and E. Tochilin, Eds., Academic Press, New York, NY, 1969.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
[82] Taniguchi, S., Kashiwagi,
M., Suzuki, M., Sakamoto, 1., Sunaga, H., Kanazawa, T., Yotsumoto, K., Tanaka,
S., Tanaka, R, and Yoshida, K., "High-Power X-Ray Irradiation Facility for
Industrial Applica-tion. (II) Conceptual Design of Facility," Proceedings
23rd Annual Meeting on Radioisotopes in the Physical Sciences and Ind.,
1986, p. 37.