Thuật
ngữ
|
Ký
hiệu
|
Đơn
vị
|
Định
nghĩa
|
Hoạt độ nguồn 1)
Suất phát xạ bề mặt
của nguồn
Hiệu suất nguồn
Hiệu suất thiết bị
đo
Hiệu suất nội của
thiết bị đo
Độ đáp ứng của
thiết bị đo đối với hoạt độ A
|
A
q2p
es
ei
li
Ri
|
Bq
s-1
2)
2)
2)
2)
|
A = q1 +
q2 + q3 + q4 + q5 + q6
q2p = q1 + q2
+ q3 + q5
es = = 
ei = 
li = 
R1 = ei x es = 
|
1) Định nghĩa hoạt độ
được đơn giản hoá này chỉ có thể sử dụng trong những điều kiện hạn chế đã được
đề cập trong điều 1. Một cách chặt chẽ thì hoạt độ phải được định nghĩa theo
công thức sau:
A
=
( q1 + q2 + … q6)
trong đó
ed là số hạt của loại được
xem xét sinh ra trong một phân rã.
Tuy nhiên đối với các
hạt nhân phóng xạ xem xét trong tiêu chuẩn này (xem bảng 3) thì ed được cho bằng 1.
2) Tất cả các hiệu
suất đều không có thứ nguyên.
Theo cách xác định
cho trong bảng 1, độ đáp ứng của các thiết bị Ri đối với hoạt
độ của nguồn chuẩn có thể được viết như sau:
Ri = eI x es
có nghĩa là độ đáp
ứng có thể tách thành tích hiệu suất thiết bị đo ei (phản ánh đặc trưng kỹ thuật của thiết bị đo
và cấu trúc hình học) và hiệu suất phát xạ của nguồn es (phản ánh hầu hết
các tính chất cơ bản của nguồn). Do đó hệ số chuẩn Rj, thu được
khi chuẩn dựa trên hoạt độ của nguồn là tổ hợp của các đặc trưng của đầu dò,
nguồn và dạng hình học.
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
Về mặt lý thuyết, hiệu
suất của thiết bị đo ei phụ thuộc không chỉ vào
năng lượng bêta cực đại hoặc anpha mà còn phụ thuộc vào phân bố năng lượng thực
của các hạt phát ra, có nghĩa là vào phổ năng lượng của nguồn. Nói cách khác, hai
nguồn có cùng suất phát xạ bề mặt nhưng có phổ năng lượng khác nhau có thể gây
ra các tốc độ đếm khác nhau trên cùng một đầu dò. Đó là vì hiệu suất nội của
thiết bị đo Ii . Hiệu suất này nói chung là phụ thuộc vào năng lượng
và do đó số các hạt tới được đầu dò trong một đơn vị thời gian có thể thay đổi
vì có sự khác nhau về số hấp thụ trong không khí. Nói một cách chặt chẽ, hiệu
suất thiết bị đo ei cũng có phụ thuộc vào
cấu trúc nguồn và giá trị ei được dùng để tính
hoạt độ trên một đơn vị diện tích phải tương ứng với phân bố năng lượng của nhiễm
xạ thực tế. Cần phải lưu ý rằng số các hạt đến được đầu dò trong một đơn vị
thời gian và phổ năng lượng của chúng có thể rất nhạy với sự khác nhau nhỏ nhất
giữa dạng hình học phép đo khi tiến hành chuẩn và dạng hình học khi đo thực tế.
Tuy nhiên, đối với các mục đích thực tiễn thì ảnh hưởng của phổ nói trên có thể
được bỏ qua và giá tri ei thu được bởi nguồn
chuẩn có năng lượng thích hợp có thể được sử dụng (xem bảng 5).
A.4 Giá trị khuyến
cáo đối với hiệu suất của nguồn
A.4.1 Nguồn tham
chiếu
Hiệu suất của một
nguồn tham chiếu, esc , chỉ biết được khi
biết cả hoạt độ và suất phát xạ bề mặt của nguồn (es = q2p /A), xem bảng
1).
Chú thích - Trong trường
hợp đặc biệt nguồn có lớp bão hoà, khi biết được hoạt độ trong độ dày lớp bão
hoà thì hoạt độ A trong công thức đối với es cũng có nghĩa là hoạt độ bên trong bề dày lớp bão hoà.
Điều này cần thiết phải biết để thực hiện hiệu chỉnh khi tính ei tương ứng với điều
5.
Nếu một nguồn
chuẩn(có diện tích hoạt tính V cm2) chỉ biết được hoạt độ (A)
hoặc là hoạt độ trên một đơn vị diện tích (A*) thì có thể sử dụng giá trị esc = 0,5. Nếu sử
dụng công thức (3) trong điều 5, thì Esc = (0,5 A)/V
hoặc Esc = 0,5A*. Việc tính ei sẽ cho kết quả ước
tính cẩn trọng (có nghĩa là thấp hơn giá trị thực) vì sự đóng góp các tia tán
xạ ngược đối với bề mặt được bỏ qua. Các nguồn chuẩn có trên thị trường được
xác định bởi hoạt độ và thường làm bằng vật liệu có sự tán xạ ngược thấp (ví dụ
bằng nhôm). Tán xạ ngược bão hoà đối với nguồn bêta mỏng đặt trên đế nhôm khoảng
30 % và nhỏ hơn 20 % trên vật liệu nhựa và các vật liệu khác có Z thấp đối với
tất cả các năng lượng bêta được xét đến trong tiêu chuẩn này. Tán xạ ngược đối
với các nguồn anpha trong mọi trường hợp đều nhỏ hơn 5%.
A.4.2 Nguồn nhiễm xạ
Hiệu suất của một nguồn
nhiễm xạ anpha hoặc bêta thực es là khó đánh giá và
có thể thay đổi hàng chục lần do sự khác nhau về cấu trúc của các nguồn thực
tế. Ở đây chỉ xét đến quá trình tự hấp thụ của nguồn, vì tán xạ ngược làm tăng
tốc độ đếm và việc bỏ qua sự tán xạ ngược sẽ tăng thêm tính an toàn bằng cách
tạo ra một giá trị hoạt độ cẩn trọng (cao hơn) đối với hoạt độ trên một đơn vị
diện tích.
Giá trị khuyến cáo
của es đối với nguồn bêta
nhận được bằng cách xem xét các loại nguồn gây nhiễm xạ sau đây:
...
...
...
Bạn phải
đăng nhập hoặc
đăng ký Thành Viên
TVPL Pro để sử dụng được đầy đủ các tiện ích gia tăng liên quan đến nội dung TCVN.
Mọi chi tiết xin liên hệ:
ĐT: (028) 3930 3279 DĐ: 0906 22 99 66
- các nguồn bêta đồng
nhất có độ dày của một tờ giấy lọc dùng để lau mẫu thử ( »10 mg/cm2).
Loại thứ nhất có thể
gặp trong các phép đo trực tiếp, loại thứ hai chủ yếu hay gặp trong các phép đo
gián tiếp.
Trong cả hai trường hợp,
sự giảm hiệu suất của nguồn do sự tự hấp thụ trong nguồn được bỏ qua (es = 0,5) đối với nguồn
phát bêta có năng lượng cực đại Ebmax ³
0,4 MeV. Các nguồn phát bêta có năng lượng 0,15 MeV < esc £ 0,4 MeV sẽ có hiệu suất trung bình khoảng
0,25 trong các điều kiện như nhau. Việc áp dụng các giá trị này có thể dẫn đến
đánh giá thấp hoạt độ bêta được bao phủ bởi lớp vỏ có khả năng hấp thụ cao hơn.
Tuy nhiên cần phải lưu ý rằng sự đóng góp của các vật liệu phóng xạ như vậy đối
với nguy cơ xâm nhập hít vào hoặc nuốt phải và chiếu ngoài đồng thời được giảm
xuống.
Trong trường hợp
nguồn phát anpha, việc đánh giá các giá trị đáng tin cậy và ổn định đối với es là khó khăn hơn bởi
vì trong các trường hợp nhiễm xạ thực tế, nó có thể rất gần "không" 1)
. Giá trị lý thuyết đối với nguồn có lớp bão hoà là es,a = 0,25 và đối với đa
số các nguồn phát anpha có độ dày lớp bão hoà